研究者データベース
熊谷 義直KUMAGAI Yoshinaoクマガイ ヨシナオ
| ■所属部署名 | 工学研究院 応用化学部門 | |||
| ■職名 | 教授 | |||
Last Updated :2025/09/11
業績情報
氏名・連絡先
氏名
クマガイ ヨシナオ, 熊谷 義直, KUMAGAI Yoshinao生年
1968電話番号
042-388-7469Fax番号
042-388-7424eメールアドレス
4470kuma
cc.tuat.ac.jp個人ホームページ
http://www.tuat.ac.jp/~kumagai/
主たる所属・職名
工学研究院 応用化学部門, 教授
その他の所属
経歴
- 東京農工大学
大学院工学研究院 応用化学部門
教授
自 2013年12月01日 - 東京農工大学
大学院工学研究院 応用化学部門
准教授
自 2004年04月01日, 至 2013年11月30日 - 東京農工大学
工学部 応用分子化学科
講師
自 2001年08月01日, 至 2004年03月31日 - 東京農工大学
工学部 応用分子化学科
助手
自 1999年04月01日, 至 2001年07月31日 - 株式会社テキサス・インスツルメンツ 筑波研究開発センター
電子材料研究室
研究員
自 1996年04月01日, 至 1999年03月31日
学歴
- 筑波大学 大学院
工学研究科
物質工学専攻
至 1996年03月31日, 修了, 博士 - 筑波大学
第三学群（基礎工学類）
物質分子工学専攻
至 1991年03月31日, 卒業 - 茨城県立 土浦第一高等学校
至 1987年03月31日, 卒業
学位
教育・研究活動状況
- 赤外から深紫外光までの広い範囲で発光するIII族窒化物半導体は、各種表示機、殺菌・ウイルス不活性化用光源等、様々な応用が期待されています。また、電子機器の省エネルギー化の一層の推進のため、高い絶縁破壊電圧を有する酸化物半導体が注目されています。私の研究室では、この新しい半導体結晶を、気体状態の原料から種結晶（基板）上に作り出す（成長させる）研究を実施しています。良質な結晶を成長できる条件を実験と理論の協調で解明するとともに、結晶の物性制御技術を確立することでデバイスの実用化に貢献しています。
研究分野
研究キーワード
研究テーマ
担当授業科目
- 応用化学概論Ⅱ
2024年, 専門科目等 - 論文・文献講読
2024年, 専門科目等 - 応用化学セミナーⅡ
2024年, 専門科目等 - 応用化学セミナーⅠ
2024年, 専門科目等 - 物理化学Ⅰ(3学期・月1・工学部)
2024年, 専門科目等 - 量子化学Ⅰ(1学期・木4・工学部・富樫 理恵代行)
2024年, 専門科目等 - 半導体化学特論(1学期・金1・工学府博士後期)
2023年, 専門科目等 - 物理化学Ⅰ(3学期・月1・工学部)
2023年, 専門科目等 - 物理化学Ⅰ(3学期・月1・工学部)
2022年, 専門科目等 - 無機反応化学特論(1学期・水2・工学府博士前期)
2022年, 専門科目等 - 【1083201002】 薄膜合成化学特論
2021年, 専門科目等 - 【3026310015】 物理化学Ⅰ
2021年, 専門科目等 - 【3026310018】 量子化学Ⅰ
2021年, 専門科目等 - 物理化学Ⅰ
2017年 - 量子化学Ⅰ
2017年 - 薄膜合成化学特論
2017年 - 応用化学セミナーⅠ
2017年 - 応用化学セミナーⅡ
2017年 - 応用化学セミナーⅤ
2017年 - 応用化学特別実験
2017年 - 応用化学特別研究
2017年 - 論文文献講読
2017年 - 卒業論文
2017年 - 物理化学Ⅰ
2016年 - 特別計画研究
2016年 - 無機反応化学特論
2016年 - 応用化学セミナーⅣ
2016年 - 応用化学セミナーⅣ
2016年 - 量子化学Ⅰ
2016年 - 応用化学セミナーⅠ
2016年 - 応用化学セミナーⅡ
2016年 - 応用化学特別実験
2016年 - 応用化学特別研究
2016年 - 応用化学セミナーⅢ
2016年 - 応用化学セミナーＶ
2016年 - 論文文献講読
2016年 - 応用分子化学演習
2016年 - 先端応用化学演習
2016年 - 卒業論文
2016年 - 量子化学Ⅰ
2015年 - 薄膜合成化学特論
2015年 - 応用化学セミナーⅠ
2015年 - 物理化学Ⅰ
2015年 - 応用化学セミナーⅡ
2015年 - 論文文献講読
2015年 - 応用化学特別実験
2015年 - 応用分子化学演習
2015年 - 応用化学特別研究
2015年 - 先端応用化学演習
2015年 - 応用化学セミナーⅢ
2015年 - 卒業論文
2015年 - 応用化学セミナーⅢ
2015年 - 応用化学セミナーⅣ
2015年 - 応用化学セミナーⅤ
2015年 - 特別計画研究
2015年 - 量子化学Ⅰ
2014年 - 無機反応化学特論
2014年 - 物理化学Ⅰ
2014年 - 応用化学セミナーⅠ
2014年 - 応用化学セミナーⅡ
2014年 - 論文文献講読
2014年 - 応用化学特別実験
2014年 - 応用分子化学演習
2014年 - 応用化学特別研究
2014年 - 先端応用化学演習
2014年 - 応用化学セミナーⅢ
2014年 - 卒業論文
2014年 - 応用化学セミナーⅣ
2014年 - 応用化学セミナーⅤ
2014年 - 特別計画研究
2014年 - 量子化学Ⅰ
2013年 - 薄膜合成化学特論
2013年 - 物理化学Ⅰ
2013年 - 応用化学セミナーⅠ
2013年 - 応用化学セミナーⅡ
2013年 - 論文・文献講読
2013年 - 応用化学特別実験
2013年 - 応用分子化学演習
2013年 - 応用化学特別研究
2013年 - 先端応用化学演習
2013年 - 応用化学セミナーⅢ
2013年 - 卒業論文
2013年 - 応用化学セミナーⅣ
2013年 - 応用化学セミナーⅤ
2013年 - 特別計画研究
2013年 - 薄膜合成化学特論
2012年 - 量子化学Ⅰ
2012年 - 物理化学Ⅰ
2012年 - 応用化学セミナーⅠ
2012年 - 応用化学セミナーⅡ
2012年 - 論文・文献講読
2012年 - 応用化学特別実験
2012年 - 応用分子化学演習
2012年 - 応用化学特別研究
2012年 - 先端応用化学演習
2012年 - 応用化学セミナーⅢ
2012年 - 卒業論文
2012年 - 応用化学セミナーⅣ
2012年 - 応用化学セミナーⅤ
2012年 - 特別計画研究
2012年 - 量子化学Ⅰ
2011年 - 薄膜合成化学特論
2011年 - 物理化学Ⅰ
2011年 - 応用化学セミナーⅠ
2011年 - 応用化学セミナーⅡ
2011年 - 論文・文献講読
2011年 - 応用化学特別実験
2011年 - 応用分子化学演習
2011年 - 応用化学特別研究
2011年 - 先端応用化学演習
2011年 - 応用化学セミナーⅢ
2011年 - 卒業論文
2011年 - 応用化学セミナーⅣ
2011年 - 応用化学セミナーⅤ
2011年 - 特別計画研究
2011年 - 量子力学概論
2010年 - 無機反応化学特論
2010年 - 応用化学セミナーⅠ
2010年 - 物理化学Ⅰ
2010年 - 応用化学セミナーⅡ
2010年 - 論文・文献講読
2010年 - 応用化学特別実験
2010年 - 応用分子化学演習
2010年 - 応用化学特別研究
2010年 - 先端応用化学演習
2010年 - 卒業論文
2010年 - 応用化学セミナーⅢ
2010年 - 応用化学セミナーⅣ
2010年 - 融合科目（持続可能な発展と化学）
2010年 - 応用化学セミナーⅤ
2010年 - 融合科目（持続可能な発展と化学）
2010年 - 特別計画研究
2010年 - 無機反応化学特論
2009年 - 量子力学概論
2009年 - 応用化学セミナーⅠ
2009年 - 物理化学Ⅰ
2009年 - 応用化学セミナーⅡ
2009年 - 論文・文献購読
2009年 - 応用分子化学演習
2009年 - 応用化学特別実験
2009年 - 応用化学特別研究
2009年 - 先端応用化学演習
2009年 - 応用化学セミナーⅢ
2009年 - 卒業論文
2009年 - 応用化学セミナーⅣ
2009年 - 応用化学セミナーⅤ
2009年 - 応用化学セミナーⅤ
2009年 - 特別計画研究
2009年 - 量子力学概論
2008年 - 無機反応化学特論
2008年 - 物理化学Ⅰ
2008年 - 応用化学セミナーⅠ
2008年 - 基礎ゼミ
2008年 - 応用化学セミナ－Ⅱ
2008年 - 論文・文献購読
2008年 - 応用化学特別実験
2008年 - 応用化学特別研究
2008年 - 応用分子化学演習
2008年 - 先端応用化学演習
2008年 - 応用化学セミナーⅢ
2008年 - 卒業論文
2008年 - 応用化学セミナーⅣ
2008年 - 応用化学セミナーⅤ
2008年 - 無機機器分析
2008年 - 特別計画研究
2008年 - 量子力学概論
2007年 - 無機反応化学特論
2007年 - 物理化学Ⅰ
2007年 - 応用化学セミナーⅠ
2007年 - 基礎ゼミ
2007年 - 応用化学セミナーⅡ
2007年 - 応用化学特別実験
2007年 - 総合科目（総合化学Ｂ）
2007年 - 応用化学特別研究
2007年 - 論文・文献講読
2007年 - 応用化学セミナーⅢ
2007年 - 応用分子化学演習
2007年 - 応用化学セミナーⅣ
2007年 - 先端応用化学演習
2007年 - 応用化学セミナーⅤ
2007年 - 卒業論文
2007年 - 応用分子化学実験Ⅲ
2007年 - 特別計画研究
2007年 - 応用分子化学実験Ⅳ
2007年 - 科学基礎実験
2007年 - 応用化学特別実験
2006年 - 薄膜合成化学特論
2006年 - 応用化学特別研究
2006年 - 応用化学セミナ－Ⅱ
2006年 - 無機反応化学特論
2006年 - 応用化学セミナーⅠ
2006年 - 総合科目（総合化学Ｂ）
2006年 - 科学基礎実験
2006年 - 量子力学概論
2006年 - 物理化学Ⅰ
2006年 - 卒業論文
2006年 - 応用分子化学演習
2006年 - 先端応用化学演習
2006年 - 応用分子化学実験Ⅲ
2006年 - 基礎ゼミ
2006年 - 論文・文献購読
2006年 - 応用分子化学実験Ⅳ
2006年 - 応用化学セミナーⅢ
2006年 - 応用化学セミナーⅣ
2006年 - 応用化学セミナーⅤ
2006年 - 特別計画研究
2006年 - 無機反応化学特論
2005年 - 薄膜合成化学特論
2005年 - 応用化学特別実験
2005年 - 応用化学特別研究
2005年 - 応用化学セミナ－Ⅱ
2005年 - 応用化学セミナーⅠ
2005年 - 応用化学セミナーⅢ
2005年 - 応用化学セミナーⅣ
2005年 - 応用化学セミナーⅤ
2005年 - 特別計画研究
2005年 - 総合科目（総合化学Ｂ）
2005年 - 量子力学概論
2005年 - 応用分子化学演習
2005年 - 応用分子化学実験Ⅲ
2005年 - 基礎ゼミ
2005年 - 科学基礎実験
2005年 - 物理化学Ⅰ
2005年 - 先端応用化学演習
2005年 - 論文・文献購読
2005年 - 応用分子化学実験Ⅳ
2005年 - 卒業論文
2005年 - 無機反応化学特論
2004年 - 薄膜合成化学特論
2004年 - 応用化学特別実験
2004年 - 応用化学特別研究
2004年 - 応用化学セミナ－Ⅱ
2004年 - 応用化学セミナーⅠ
2004年 - 応用化学セミナーⅢ
2004年 - 応用化学セミナーⅣ
2004年 - 応用化学セミナーⅤ
2004年 - 特別計画研究
2004年 - 総合科目（総合化学Ｂ）
2004年 - 量子力学概論
2004年 - 応用分子化学演習
2004年 - 応用分子化学実験Ⅲ
2004年 - 基礎ゼミ
2004年 - 科学基礎実験
2004年 - 物理化学Ⅰ
2004年 - 先端応用化学演習
2004年 - 論文・文献購読
2004年 - 応用分子化学実験Ⅳ
2004年 - 卒業論文
2004年 - 無機反応化学特論
2003年 - 薄膜合成化学特論
2003年 - 応用化学特別実験
2003年 - 応用化学特別研究
2003年 - 応用化学セミナ－Ⅱ
2003年 - 応用化学セミナーⅠ
2003年 - 応用化学セミナーⅢ
2003年 - 応用化学セミナーⅣ
2003年 - 応用化学セミナーⅤ
2003年 - 特別計画研究
2003年 - 総合科目（総合化学Ｂ）
2003年 - 量子力学概論
2003年 - 応用分子化学演習
2003年 - 応用分子化学実験Ⅲ
2003年 - 基礎ゼミ
2003年 - 科学基礎実験
2003年 - 物理化学Ⅰ
2003年 - 先端応用化学演習
2003年 - 論文・文献購読
2003年 - 応用分子化学実験Ⅳ
2003年 - 卒業論文
2003年 - 無機反応化学特論
2002年 - 薄膜合成化学特論
2002年 - 応用化学特別実験
2002年 - 応用化学特別研究
2002年 - 応用化学セミナ－Ⅱ
2002年 - 応用化学セミナーⅠ
2002年 - 応用化学セミナーⅢ
2002年 - 応用化学セミナーⅣ
2002年 - 応用化学セミナーⅤ
2002年 - 特別計画研究
2002年 - 総合科目（総合化学Ｂ）
2002年 - 量子力学概論
2002年 - 応用分子化学演習
2002年 - 応用分子化学実験Ⅲ
2002年 - 基礎ゼミ
2002年 - 科学基礎実験
2002年 - 物理化学Ⅰ
2002年 - 先端応用化学演習
2002年 - 論文・文献購読
2002年 - 応用分子化学実験Ⅳ
2002年 - 卒業論文
2002年
科学研究費助成事業
- 基盤研究(C)
酸化インジウム固有の電子移動度解明のための低転位密度単結晶の創成
自 2023年, 至 2023年 - 基盤研究(C)
酸化インジウム固有の電子移動度解明のための低転位密度単結晶の創成
自 2022年, 至 2022年 - 新学術領域研究（研究領域提案型）
化学平衡・非平衡制御による特異構造のボトムアップ創製
自 2016年06月30日, 至 2021年03月31日 - 基盤研究(B)
バルク窒化アルミニウム結晶の点欠陥形成メカニズム解明によるｎ形導電性結晶の創出
自 2015年04月01日, 至 2018年03月31日 - 基盤研究(B)
原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出
自 2013年, 至 2013年 - 基盤研究(B)
深紫外光透過性発現メカニズム解明による実用的バルク窒化アルミニウム結晶の創出
自 2012年04月01日, 至 2015年03月31日 - 基盤研究(B)
原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出
自 2012年, 至 2012年 - 基盤研究(B)
原料分子制御法による新しいバルクＧａＮ成長法の創出
自 2011年, 至 2011年 - 特定領域研究
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
自 2010年, 至 2010年 - 基盤研究(C)一般
窒化アルミニウム薄膜へテロ成長界面の分解メカニズムの解明
自 2009年04月01日, 至 2012年03月31日 - 特定領域研究
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
自 2009年, 至 2009年 - 特定領域研究
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
自 2008年, 至 2008年 - 若手研究(B)
その場重量測定による窒化アルミニウム基板表面反応メカニズムの解明
自 2005年04月01日, 至 2007年03月31日 - 基盤研究(C)一般
インターネットを利用する計算機能を有する気相エピタキシャル成長データベースの構築
自 2001年, 至 2002年 - その他
環境半導体鉄シリサイドの気相エピタキシャル成長
自 2000年04月01日, 至 2002年03月31日 - 基盤研究(B)
イオン注入によるバルク窒化アルミニウム結晶のバンドギャップ・電導性制御
論文
- 熱力学解析と成長実験によるβ-Ga2O3薄膜のMOVPE成長の検討
熊谷義直，後藤健
日本結晶成長学会誌
2021年10月26日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 48, 3, DOI(公開)(r-map), 05-1, 05-9 - Ga2O3 fin field-effect transistors with on-axis (100)-plane gate sidewalls fabricated on Ga2O3 (010) substrates
Wang, Zhenwei; Kumar, Sandeep; Kamimura, Takafumi; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
Ga2O3 fin field-effect transistors (FinFETs) were fabricated on beta-Ga2O3 (010) substrates, which had on-axis (100)-plane gate sidewalls treated by nitrogen radical irradiation. The typical FinFET with a fin width (W-fin) of 400 nm demonstrated decent on-state device characteristics such as a low specific on-resistance of 6.9 m Omega cm(2), a high drain current on/off ratio of over 10(9), and a subthreshold slope of 82 mV/decade. The threshold voltage (V-th) of the FinFETs increased with decreasing W-fin, and enhancement-mode operation with V-th > 0 V was achieved for W-fin < 800 nm.
2024年10月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 63, 10, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 100902-1, 100902-4 - Electrical properties of unintentionally doped β-Ga2O3 (010) thin films grown by a low-pressure hot-wall metalorganic chemical vapor deposition
Morihara, Jun Jason; Inajima, Jin; Wang, Zhenwei; Yoshinaga, Junya; Sato, Shota; Eguchi, Kohki; Tsutsumi, Takuya; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
We investigated the electrical properties of unintentionally doped (UID) Ga2O3 (010) layers grown by low-pressure hot-wall metalorganic chemical vapor depositions from device characteristics of Schottky barrier diodes (SBDs) fabricated on them. Highly resistive properties of the UID Ga2O3 layers were confirmed from current-voltage characteristics. The specific on-resistance of the SBD with the most resistive UID Ga2O3 layer was 2.2 x 10(7) Omega cm(2). Capacitance-voltage characteristics revealed that most of the SBDs had complete depletion of the UID layers at thermal equilibrium, indicating that their residual effective donor densities were less than 3.0 x 1013 cm(-3).
2024年08月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 63, 8, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 080901-1, 080901-4 - High-speed growth of thick high-purity β-Ga2O3 layers by low-pressure hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
Yoshinaga, Junya; Tozato, Haruka; Okuyama, Takahito; Sasaki, Shogo; Piao, Guanxi; Ikenaga, Kazutada; Goto, Ken; Ban, Yuzaburo; Kumagai, Yoshinao
APPLIED PHYSICS EXPRESS
IOP Publishing Ltd
High-speed growth of thick, high-purity beta-Ga2O3 homoepitaxial layers on (010) beta-Ga2O3 substrates by low-pressure hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy was investigated using trimethylgallium (TMGa) as the Ga precursor. When the reactor pressure was 2.4-3.4 kPa, the growth temperature was 1000 degrees C, and a high input VI/III (O/Ga) ratio was used, the growth rate of beta-Ga2O3 could be increased linearly by increasing the TMGa supply rate. A thick layer was grown at a growth rate of 16.2 mu m h(-1) without twinning. Incorporated impurities were not detected, irrespective of the growth rate, demonstrating the promising nature of beta-Ga2O3 growth using TMGa.
2023年09月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 16, 9, 1882-0778, DOI(公開)(r-map), 095504-1, 095504-5 - Heterostructure formation of group-III sesquioxides via cation-exchange reactions with metal chloride gases
Goto, Ken; Ueno, Tomo; Kumagai, Yoshinao
AIP ADVANCES
AIP Publishing
Thermodynamic analyses and experimental demonstrations were performed to investigate whether cation-exchange reactions (CERs) with metal chloride gases are a feasible technique for forming heterostructures of group-III sesquioxides. The thermodynamic analyses revealed the possibility of formation of aluminum oxide (Al2O3) layers on gallium oxide (Ga2O3) or indium oxide (In2O3) substrates via CERs with aluminum chloride gases, as well as formation of Ga2O3 layers on In2O3 substrates via CERs with gallium chloride gases, in a practical temperature range. However, CERs with gallium chloride gases or indium chloride gases did not occur on Al2O3 substrates, suggesting that heterostructures were not formed. On the basis of the results of the thermodynamic analyses, a CER was performed by the reaction of n-type beta-Ga2O3(201) substrates with aluminum trichloride gas, resulting in the formation of Al2O3 layers. Under optimal conditions, a dense (001)-oriented kappa-Al2O3 layer with a thickness of 30 nm was formed and served as an excellent gate oxide in metal-oxide-semiconductor devices. The relative dielectric constant of kappa-Al2O3 was obtained via capacitance-voltage measurements, and a high value of similar to 22 was obtained in the several tens of kHz band. CERs using metal chloride gases open a new method for forming heterostructures of group-III sesquioxides. (c) 2023 Author(s). All article content, except where otherwise noted, is licensed under a Creative Commons Attribution (CC BY) license (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/).
2023年08月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 13, 8, DOI(公開)(r-map), 085221-1, 085221-8 - Comparison of triethylgallium and diethylgallium ethoxide for β-Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy
Goto, Ken; Nishimura, Taro; Ishikawa, Masato; Okuyama, Takahito; Tozato, Haruka; Sasaki, Shogo; Ikenaga, Kazutada; Takinami, Yoshihiko; Machida, Hideaki; Kumagai, Yoshinao
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A
A V S AMER INST PHYSICS
The suitability of diethylgallium ethoxide (Et2GaOEt) containing Ga-O bonds as a Ga precursor for beta-gallium oxide (beta-Ga2O3) growth by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) was investigated. Because estimating the growth behavior by thermodynamic analysis is difficult as a result of a lack of knowledge about the thermodynamics of Et2GaOEt, the growth behavior was estimated by observing its pyrolysis and combustion processes. Mass spectrometric analysis of gases sampled directly from an MOVPE reactor when only Et2GaOEt was supplied revealed that Et2GaOEt was decomposed to gallane, ethylene, and acetaldehyde by beta-hydrogen (beta-H) elimination at temperatures greater than 450 degrees C. However, when Et2GaOEt was supplied together with O-2 to the MOVPE reactor maintained at 1000 degrees C, the combustion of hydrogen and carbon derived from Et2GaOEt was accelerated as the O-2 supply was increased. In addition, the amount of O-2 required for the complete combustion of Et2GaOEt (i.e., the amount required for the growth of beta-Ga2O3) was clarified. On the basis of this pyrolysis/ combustion behavior, homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers on beta-Ga2O3 substrates was investigated at 1000 degrees C using Et2GaOEt as a Ga precursor and the growth behavior was compared with that when triethylgallium (Et3Ga) was used as a Ga precursor. Because both Ga precursors ultimately provide Ga gas after beta-H elimination, no substantial difference in the growth rate was observed with respect to the amount of Ga atoms injected into the growth reactor. In addition, no substantial difference in crystallinity was observed; homoepitaxial layers grown at 0.7-0.8 mu m/h were single crystals without twins, whereas those at 1.5-1.6 mu m/h had twins. Et2GaOEt was found to be suitable as a Ga precursor for MOVPE of beta-Ga2O3, with performance comparable to that of Et3Ga.
2023年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 41, 4, 0734-2101, DOI(公開)(r-map), 042704-1, 042704-9 - Characterization of electrical properties of β-Ga2O3 epilayer and bulk GaAs using terahertz time-domain ellipsometry
Iwamoto, Toshiyuki; Agulto, Verdad C.; Liu, Shuang; Wang, Youwei; Mag-usara, Valynn Katrine; Fujii, Takashi; Goto, Ken; Kumagai, Yoshinao; Nakajima, Makoto
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
The electrical properties of beta-gallium oxide (beta-Ga2O3) and gallium arsenide semiconductors were characterized using the emerging terahertz time-domain ellipsometry (THz-TDE) technique. The dielectric and conductivity properties were obtained from the complex ratio of the measured p- and s-polarized THz pulses reflected from the samples. The carrier concentration and mobility were then deduced using the Drude model, and the results showed good accuracy. This work demonstrates THz-TDE as a promising tool for characterizing semiconductors, especially those with high carrier concentrations and significant absorption in the THz region.
2023年06月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 62, SF, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), SF1011-1, SF1011-6 - Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist chemical vapor deposition
Taguchi, Akito; Yamamoto, Takumi; Kaneko, Kentaro; Goto, Ken; Onuma, Takeyoshi; Honda, Tohru; Kumagai, Yoshinao; Fujita, Shizuo; Yamaguchi, Tomohiro
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
The heteroepitaxial growth of In2O3 on a (0001) alpha-Al2O3 substrate was carried out using the mist chemical vapor deposition method. The concentrations of In2O3 powder in the source precursor solution varied between 0.025 and 0.250 mol l(-1). An increase in the growth rate was observed with the increasing In2O3 powder concentration, and the highest growth rate of 4.2 mu m h(-1) was obtained at a powder concentration of 0.150 mol l(-1). An improvement in the electrical properties was eventually observed, i.e. the lowest carrier concentration of 3.1 x 10(17) cm(-3) and the highest Hall mobility of 241 cm(2) V-1 s(-1) at room temperature were obtained at a powder concentration of 0.150 mol l(-1). The temperaturedependent Hall effect measurement for the sample showed pronounced carrier freeze-out in a temperature range of 300-30 K, indicating that the a-In2O3 film had near-non-degenerate conductivity.
2023年06月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 62, SF, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), SF1023-1, SF1023-4 - Observation of nanopipes in edge-defined film-fed grown β-Ga2O3 substrate and their effect on homoepitaxial surface hillocks
Nishikawa, Tomoka; Goto, Ken; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Uemukai, Masahiro; Tanikawa, Tomoyuki; Katayama, Ryuji
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
beta-Ga2O3 substrates and homoepitaxial films were characterized using the multiphoton excitation photoluminescence (MPPL) method. MPPL emission peaks at 3.2 and 3.36 eV were obtained with broad shoulders on the low energy side. MPPL images showed the presence of nanopipes in the substrate with a unique contrast. Three-dimensional MPPL imaging revealed the distribution and spatial location of the nanopipes. All the nanopipes were elongated along the [010] direction with diameters of approximately 0.4-1.0 mu m and lengths of 10-30 mu m. The nanopipes were aligned in the [100] and [001] directions with sub-micron spacing in the (0 (1) over bar0)-oriented substrate. The nanopipes were located under the hillocks at the homoepitaxial surface. The nanopipes are suggested to trigger the hillock growth by transforming into threading dislocations in the homoepitaxial film. (c) 2023 The Japan Society of Applied Physics
2023年06月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 62, SF, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), SF1015-1, SF1015-7 - Mass spectrometric study of β-Ga2O3 growth process by metalorganic vapor phase epitaxy
Ikenaga, Kazutada; Okuyama, Takahito; Tozato, Haruka; Nishimura, Taro; Sasaki, Shogo; Goto, Ken; Ishikawa, Masato; Takinami, Yoshihiko; Machida, Hideaki; Kumagai, Yoshinao
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
In metalorganic vapor phase epitaxy of beta-Ga2O3 using triethylgallium (TEGa) and O-2 as precursors and Ar as the carrier gas, the gases directly above the substrate were sampled and analyzed by time-of-flight mass spectrometry. TEGa was found to decompose at 400 degrees C-600 degrees C via beta-hydrogen elimination reaction to generate gaseous Ga, hydrocarbons (C2H4, C2H2, C2H6), and H-2. When beta-Ga2O3 was grown at temperatures greater than 1000 degrees C and with input VI/III ratios greater than 100, the hydrocarbons and H-2 were combusted and CO2 and H2O were generated. The C and H impurity concentrations measured by secondary-ion mass spectrometry in the beta-Ga2O3(010) homoepitaxial layer grown under these conditions were less than their respective background levels. Thus, to grow beta-Ga2O3 without C and H contamination, conditions that favor the complete combustion of hydrocarbons and H-2 generated by the decomposition of TEGa should be used. (c) 2023 The Japan Society of Applied Physics
2023年06月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 62, SF, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), SF1019-1, SF1019-6 - Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of group-III sesquioxides
Togashi, Rie; Goto, Ken; Higashiwaki, Masataka; Kumagai, Yoshinao
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
Thermodynamic analyses for the growth of group-III sesquioxides, including alpha-Al2O3, ss-Ga2O3, and c-In2O3, by both ozone and plasma-assisted MBE were performed. In either case, under O-rich conditions, the driving force for III2O3 (III = Al, Ga, In) growth (Delta P-III2O3) increased with increasing input partial pressure of the group-III metal (P-III(o)), without generation of metal droplets. Conversely, under group-III-metal-rich conditions, Delta(PIII2O3) decreased with increasing P-III(o) and/or decreasing input partial pressure of O-3 or O. This decrease was caused by the formation of Ga2O or In2O during growth of ss-Ga2O3 and c-In2O3. The decrease of Delta P-Al2O3D was smaller because the equilibrium constant of alpha-Al2O3 formation reaction was very large. Ga and In droplets formed at low temperatures (<420 degrees C), whereas Al droplets were formed at high temperatures (<820 degrees C), and the order that enabled growth at higher temperatures was c-In2O3 < ss-Ga2O3 << alpha-Al2O3. (c) 2023 The Japan Society of Applied Physics
2023年05月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 62, 5, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 055503-1, 055503-8 - Thermodynamic analysis of β-Ga2O3 growth by molecular beam epitaxy
Togashi, Rie; Ishida, Haruka; Goto, Ken; Higashiwaki, Masataka; Kumagai, Yoshinao
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
Thermodynamic analyses of beta-Ga2O3 growth by both ozone and plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) were performed. In either case, the growth mechanism was found to differ depending on whether the input VI/III ratio was above or below 1.5. Under O-rich conditions (VI/III > 1.5), the driving force for beta-Ga2O3 growth (Delta P-Ga2O3) was determined to increase linearly with increasing Ga input partial pressure (P-Ga degrees) because almost all the supplied Ga was used for the growth of the beta-Ga2O3. In contrast, Ga-rich conditions (VI/III < 1.5) caused Delta P-Ga2O3 to decrease. Etching of the beta-Ga2O3 occurred with increasing P& due to the formation of volatile Ga2O. This work also demonstrated that the use of ozone allowed growth at higher temperatures than the use of O radicals. The calculated results were in good agreement with experimental values, indicating that beta-Ga2O3 growth by MBE can be explained by thermodynamics. (C) 2022 The Japan Society of Applied Physics
2023年01月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 62, 1, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 015501-1, 015501-6 - Influence of growth rate on homoepitaxial growth of AlN at 1450 degrees C by hydride vapor phase epitaxy
Kumagai, Yoshinao; Goto, Ken; Nagashima, Toru; Yamamoto, Reo; BockowskiBo, Michal; Kotani, Junji
APPLIED PHYSICS EXPRESS
IOP Publishing Ltd
The influence of growth rate on the homoepitaxial growth of AlN at 1450 degrees C by hydride vapor phase epitaxy on bulk AlN(0001) substrates was studied. X-ray diffraction and Raman spectroscopy revealed that high structural quality comparable to that of the initial substrate can be achieved even when the growth rate is increased to over 150 mu m h(-1). Although the concentration of Si impurities increased with increasing growth rate, a freestanding AlN substrate prepared from a homoepitaxial layer grown at 155.6 mu m h(-1) showed a steep optical absorption edge at 207 nm and high optical transmittance at longer wavelengths.
2022年11月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 15, 11, 1882-0778, DOI(公開)(r-map), 115501-1, 115501-4 - Vertical beta-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate
Kumar, Sandeep; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
APPLIED PHYSICS EXPRESS
IOP Publishing Ltd
This study presents vertical Ga2O3 Schottky barrier diodes (SBDs) with a staircase field plate on a deep trench filled with SiO2. It was clarified from device simulation that at high reverse voltage operation, the staircase field plate and the deep trench can effectively alleviate electric field concentration in the Ga2O3 drift layer and the SiO2 layer, respectively. The Ga2O3 SBDs successfully demonstrated superior device characteristics typified by an on-resistance of 7.6 m omega cm(2) and an off-state breakdown voltage of 1.66 kV. These results offer the availability of the trench staircase field plate as an edge termination structure for the development of Ga2O3 SBDs.
2022年05月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 15, 5, 1882-0778, DOI(公開)(r-map), 054001-1, 054001-3 - Effect of high temperature homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 by hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
Ikenaga, Kazutada; Tanaka, Nami; Nishimura, Taro; Iino, Hirotaka; Goto, Ken; Ishikawa, Masato; Machida, Hideaki; Ueno, Tomo; Kumagai, Yoshinao
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER
The effect of high temperature homoepitaxial growth of (010) beta-Ga2O3 layer by low pressure hot-wall metal-organic vapor phase epitaxy was investigated. In the growth-temperature range 800-1000 degrees C, the growth rate decreased with increasing growth temperature and the growth mode changed from three-dimensional island growth to two-dimensional step-flow growth. At 1000 degrees C, a smooth, twin-free single-crystalline homoepitaxial layer with a structural quality equivalent to that of the substrate could be grown. As the growth temperature increased, the concentration of precursor-derived C impurities decreased, while that of unintentionally incorporated Si impurities increased. It was found that the grown layers were all n-type and showed an effective donor concentration approximately equal to the Si impurity concentration regardless of the C impurity concentration.
2022年03月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 582, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 126520-1, 126520-5 - Effect of substrate orientation on homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
Goto, Ken; Murakami, Hisashi; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Higashiwaki, Masataka; Kumagai, Yoshinao
APPLIED PHYSICS LETTERS
AIP Publishing
The influence of substrate orientation on homoepitaxial growth of beta-gallium oxide by halide vapor phase epitaxy was investigated. Substrates were cut at various angles & UDelta;(b) from the (001) plane (& UDelta;(b) = 0 & DEG;) to the (010) plane (& UDelta;(b) = 90 & DEG;) of bulk crystals grown by the edge-defined film-fed growth method. The growth rate increased with increasing absolute value of & UDelta;(b) near the (001). However, from the (001) to the (010), as & UDelta;(b) increased, the growth rate decreased sharply, and streaky grooves observed in the grown layer on the (001) substrate became triangular pits. The length of the pits decreased with increasing & UDelta;(b), and a pit-free homoepitaxial layer grew at & UDelta;(b) & AP; 60 & DEG;. The valley line of the pits was parallel to the [010] direction; therefore, the length of the pits decreased with increasing & UDelta;(b). In addition, transmission electron microscopy observations of the deepest part of a pit revealed that the pits originate from dislocations propagating in the substrate at an angle of 60 & DEG; with respect to the (001) plane. Therefore, pits are not formed on the grown layer surface when the & UDelta;(b) of the substrate is & SIM;60 & DEG;, because its surface is substantially parallel to the dislocations. The homoepitaxial growth of a pit-free layer on the (011) substrate (& UDelta;(b) = 61.7 & DEG;) was demonstrated, and void defects and dislocations in the substrate were confirmed by the etch-pit method to not be inherited by the homoepitaxial layer.
2022年03月07日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 120, 10, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 102102-1, 102102-6 - Investigation of etching characteristics of HVPE-grown c-In2O3 layers by hydrogen-environment anisotropic thermal etching
Togashi, Rie; Kasaba, Ryo; Goto, Ken; Kumagai, Yoshinao; Kikuchi, Akihiko
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER
A hydrogen-environment anisotropic thermal etching (HEATE) method, which is a top-down etching process with the advantages of high controllability, large-area adaptability, and low damage to the etched surface, was applied to c-In2O3 layer. The etching characteristics under the HEATE conditions using a H-2 flow at various temperatures and various low total pressures were investigated using (111) c-In2O3 layers grown by halide vapor phase epitaxy on (0001) sapphire substrates. The onset temperature of etching at a low pressure of 5.7 x 10(-4) atm and the onset total pressure of etching at 800 degrees C were approximately 600 degrees C and 2.0 x 10(-5) atm, respectively. Etching occurred without the formation of In droplets on the surfaces under the investigated conditions. The etching rate for c-In2O3 increased with increasing temperature and pressure and could be controlled with nanometer-scale order in the range from 1 to 75 nm min(-1). The etching rate estimated from the thermodynamic analysis was in good agreement with the experimental results, indicating that the experimental results follow thermodynamics.
2021年12月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 575, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 126338-1, 126338-7 - Growth of twin-free cubic In2O3(111) thick layers on c-plane sapphire substrates by halide vapor phase epitaxy
Goto, Ken; Mori, Akane; Nakahata, Hidetoshi; Togashi, Rie; Kumagai, Yoshinao
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
The growth of twin-free single-crystal cubic-indium oxide (c-In2O3) layers was investigated by halide vapor phase epitaxy on c-plane sapphire substrates with various off-axis angles. The growth rate of the c-In2O3 layer increased and twin formation was suppressed as the off-axis angle of the substrate was increased. A single-crystal c-In2O3(111) layer grown on a sapphire substrate with a 5 degrees off-axis angle showed a room temperature carrier density and mobility of 1.4 x 10(16) cm(-3) and 232 cm(2) V-1 s(-1), respectively. Temperature-dependent Hall measurements of the layer revealed that the mobility is dominated by optical phonon scattering.
2021年12月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 60, 12, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 125506-1, 125506-6 - Investigation of halide vapor phase epitaxy of In2O3 on sapphire (0001) substrates
Nakahata, Hidetoshi; Togashi, Rie; Goto, Ken; Monemar, Bo; Kumagai, Yoshinao
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER
The effect of the growth conditions on halide vapor phase epitaxy of In2O3 on sapphire (0 0 0 1) substrates was investigated. Only the most thermally stable phase c-In2O3 grows at growth temperatures of 400 to 1000 degrees C. The growth rate increased as the growth temperature increased up to 700 degrees C, and layers with rough surfaces and a preferred (100) orientation were grown. Above 700 degrees C, the growth rate became constant, the preferential orientation changed to (111), and layers with smooth surfaces were grown. At 1000 degrees C, the volume fraction of the (111)-oriented domains in the grown layer reached 99.0%, although there were in-plane twins rotated by 180 degrees. The growth rate also increased as the input partial pressure of the InCl or O-2 source gas was increased, and a high growth rate exceeding 10 mu m/h was found. The layer grown at 1000 degrees C was of high purity and incorporated no impurities other than Cl. Optical transmission measurements of this layer showed high optical transmittance at energies below the optical gap of 3.47 eV.
2021年06月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 563, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 126111-1, 126111-6 - Thermodynamic and experimental studies of beta-Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy
Goto, Ken; Ikenaga, Kazutada; Tanaka, Nami; Ishikawa, Masato; Machida, Hideaki; Kumagai, Yoshinao
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP Publishing Ltd
Thermodynamic analysis and experimental demonstration of beta-Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy using triethylgallium (TEG) and oxygen (O-2) precursors were performed. Thermodynamic analysis revealed that the O-2 supplied is preferentially used for the combustion of hydrocarbons and H-2 derived from TEG. Therefore, the use of high growth temperatures and high input VI/III ratios is essential for the complete combustion of hydrocarbons and H-2, and beta-Ga2O3 growth. The use of an inert gas as the carrier gas was also determined as necessary to grow beta-Ga2O3 at high temperatures. Based on these results, a ((2) over bar 01) oriented smooth beta-Ga2O3 layer could be grown on a c-plane sapphire substrate at 900 degrees C with a growth rate of 1.4 mu m h(-1) at an input VI/III ratio of 100. The grown layer showed a clear optical bandgap of 4.84 eV, and impurity concentrations of hydrogen and carbon were below the background levels of the measurement system. (C) 2021 The Japan Society of Applied Physics
2021年04月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 60, 4, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 045505-1, 045505-8 - Split Ga vacancies in n-type and semi-insulating beta-Ga2O3 single crystals
Karjalainen, A.; Makkonen, I.; Etula, J.; Goto, K.; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Tuomisto, F.
APPLIED PHYSICS LETTERS
AMER INST PHYSICS
We report a positron annihilation study using state-of-the-art experimental and theoretical methods in n-type and semi-insulating beta - Ga 2 O 3. We utilize the recently discovered unusually strong Doppler broadening signal anisotropy of beta - Ga 2 O 3 in orientation-dependent Doppler broadening measurements, complemented by temperature-dependent positron lifetime experiments and first principles calculations of positron-electron annihilation signals. We find that split Ga vacancies dominate the positron trapping in beta - Ga 2 O 3 single crystals irrespective of the type of dopant or conductivity, implying concentrations of at least 1 x 1 0 18 c m - 3.
2021年02月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 118, 7, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 072104, 1-5 - Anisotropic complex refractive index of beta-Ga2O3 bulk and epilayer evaluated by terahertz time-domain spectroscopy
Agulto, Verdad C.; Toya, Kazuhiro; Thanh Nhat Khoa Phan; Mag-usara, Valynn Katrine; Li, Jiajun; Empizo, Melvin John F.; Iwamoto, Toshiyuki; Goto, Ken; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Sarukura, Nobuhiko; Yoshimura, Masashi; Nakajima, Makoto
APPLIED PHYSICS LETTERS
AMER INST PHYSICS
Homoepitaxial film and semi-insulating bulk beta -Ga2O3 with (001) orientation were studied using terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) in the frequency region from 0.2 to 3.0THz parallel to the [100] and [010] directions. The static permittivity of the bulk was determined to be 10.0 and 10.4 along the a-axis and b-axis, respectively, and the refractive index values at 0.2THz are 3.17 and 3.23 for each axis. The electrical resistivity of the epilayer was extracted with good accuracy by employing the Drude-Lorentz model and without the use of electrical contacts. This noninvasive and contact-free material evaluation through THz-TDS proves to be a powerful tool for probing and obtaining various types of information about beta -Ga2O3 materials such as bulk and thin films for the development of beta -Ga2O3-based device applications.
2021年01月25日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 118, 4, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 042101, 1-5 - Aperture-limited conduction and its possible mechanism in ion-implanted current aperture vertical
beta -Ga2O3 MOSFETs
Wong, Man Hoi; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
APPLIED PHYSICS LETTERS
AIP Publishing
An anomalous diode-like turn-on behavior was observed in the drain characteristics of current aperture vertical beta -Ga2O3 transistors. This phenomenon was attributable to an electron barrier created by negative fixed charges in the aperture opening, through which electrons were funneled from the gated channel to the drift layer. Electrostatic analysis for deriving the turn-on voltage yielded effective sheet charge densities on the order of 10(11)-10(12)cm(-2). The charged species was conjectured to be acceptor-like point defects diffusing from nitrogen-implanted current blocking layers with an activation energy consistent with migration of gallium vacancies. These results alluded to a possible role of point-defect diffusion in the performance and reliability of ion-implanted Ga2O3 devices.
2021年01月04日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 118, 1, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 012102, 1-6 - Characterization of trap states in buried nitrogen-implanted beta-Ga2O3
Mishra, Abhishek; Moule, Taylor; Uren, Michael J.; Wong, Man Hoi; Goto, Ken; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka; Kuball, Martin
APPLIED PHYSICS LETTERS
AMER INST PHYSICS
The advent of acceptor-type doping of beta -Ga2O3 through ion-implantation of nitrogen has opened a new design space for junction-type devices with estimated breakdown voltages in excess of a few kVs. However, the presence of deep states due to intrinsic defects in beta -Ga2O3 and implantation damage could be detrimental to the performance and reliability of such devices. We give a phenomenological description and experimental demonstration of the effects of nitrogen implantation in a buried blocking layer on the performance of transistors. The partial activation of acceptor-like states in the buried implanted region has been revealed and estimated to be similar to 20% through a junction spectroscopic technique involving substrate-bias and sub-bandgap illumination, which remains elusive to standard characterization techniques. The characterization technique, along with a space-charge model of the channel and band model of the buried implanted layer, has revealed the presence of photosensitive mid-bandgap (similar to 2.47eV below the conduction band) and tail states near the valence band edge of nitrogen-implanted beta -Ga2O3.
2020年12月14日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 117, 24, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 243505, 1-7 - Study of Dislocations in Homoepitaxially and Heteroepitaxially Grown AlN Layers
Goto, Ken; Takekawa, Nao; Nagashima, Toru; Yamamoto, Reo; Pozina, Galia; Dalmau, Rafael; Schlesser, Raoul; Collazo, Ramon; Monemar, Bo; Sitar, Zlatko; Bockowski, Michal; Kumagai, Yoshinao
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
WILEY-V C H VERLAG GMBH
Dislocation densities in AlN layers grown on c-plane sapphire and physical vapor transport-grown AlN (PVT-AlN) (0001) substrates, by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) and hydride vapor phase epitaxy (HVPE), respectively, are evaluated from the density of etch pits formed in sodium hydroxide (NaOH)/potassium hydroxide (KOH) eutectic heated to 450 degrees C. In the heteroepitaxial layers grown by MOVPE on the sapphire substrates, etch pits with different sizes are formed. Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) observations reveal that the large, medium, and small pits, with densities of 1.4 x 10(6), 2.6 x 10(7), and 6.9 x 10(9) cm(-2), respectively, correspond to screw, mixed, and edge dislocations, respectively. In contrast, in the homoepitaxial layers grown by HVPE on the PVT-AlN substrates, only one kind of etch pit with uniform size corresponding to the edge dislocations is formed with a density of 10(3)-10(4) cm(-2). Cross-sectional TEM observation confirms that the edge dislocations in the homoepitaxial layer propagate from the substrate through the interface, which indicates that the dislocation density does not increase during homoepitaxial growth by HVPE. The HVPE-AlN homoepitaxial layers grown on the PVT-AlN substrates are found to have very low dislocation density.
2020年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 217, 24, 1862-6300, DOI(公開)(r-map), 2000465, 1-7 - Temperature dependence of Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy on sapphire and beta-Ga2O3 substrates
Goto, Ken; Nakahata, Hidetoshi; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao
APPLIED PHYSICS LETTERS
AMER INST PHYSICS
The influence of growth temperature on Ga2O3 growth by atmospheric-pressure halide vapor phase epitaxy was investigated on sapphire and beta-Ga2O3 substrates. In the growth-temperature range of 700-1000 degrees C, the growth rate of Ga2O3 was in agreement with that estimated by thermodynamic analysis under the assumption of growth under thermal equilibrium. However, when the growth temperature was lower than 700 degrees C, the growth rate, which decreased as the growth temperature decreased, deviated from that estimated by thermodynamic analysis, reflecting growth behavior under nonthermal equilibrium. X-ray diffraction and optical absorption measurements of the grown layers revealed that the Ga2O3 growth under nonthermal equilibrium was constrained by the crystal structure of the substrate, i.e., the metastable phase alpha-Ga2O3(0001) grew on the sapphire (0001) substrate, whereas the stable phase beta-Ga2O3 grew homoepitaxially on a beta-Ga2O3(001) substrate. However, under thermal equilibrium, the growth of the stable phase beta-Ga2O3 occurred irrespective of the substrate and the constraint from the crystal structure of the substrate was no longer observed. We also observed that in the beta-Ga2O3 homoepitaxial layer grown under nonthermal equilibrium, crystal twinning occurred in the homoepitaxial layer, presumably due to an insufficient growth temperature.
2020年11月30日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 117, 22, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 222101, 1-5 - Hydride vapor phase epitaxy of Si -doped AlN layers using SiCl4 as a doping gas
Yamamoto, Reo; Takekawa, Nao; Goto, Ken; Nagashima, Toru; Dalmau, Rafael; Schlesser, Raoul; Murakami, Hisashi; Collazo, Ramon; Monemar, Bo; Sitar, Zlatko; Kumagai, Yoshinao
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER
2020年09月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 545, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 125730, 1-6 - Electron paramagnetic resonance and theoretical study of gallium vacancy in beta-Ga2O3
Nguyen Tien Son; Quoc Duy Ho; Goto, Ken; Abe, Hiroshi; Ohshima, Takeshi; Monemar, Bo; Kumagai, Yoshinao; Frauenheim, Thomas; Deak, Peter
APPLIED PHYSICS LETTERS
AMER INST PHYSICS
Unintentionally doped n-type beta-Ga2O3 becomes highly resistive after annealing at high temperatures in oxygen ambient. The annealing process also induces an electron paramagnetic resonance (EPR) center, labeled IR1, with an electron spin of S=1/2 and principal g-values of g(xx)=2.0160, g(yy)=2.0386, and g(zz)=2.0029 with the principal axis of g(zz) being 60 degrees from the [001](*) direction and g(yy) along the b-axis. A hyperfine (hf) structure due to the hf interaction between the electron spin and nuclear spins of two equivalent Ga atoms with a hf splitting of similar to 29G (for Ga-69) has been observed. The center can also be created by electron irradiation. Comparing the Ga hf constants determined by EPR with corresponding values calculated for different Ga vacancy-related defects, the IR1 defect is assigned to the double negative charge state of either the isolated Ga vacancy at the tetrahedral site (V-Ga(I)(2-)) or the V-Ga(I)-Ga-ib-V-Ga(I) complex.
2020年07月20日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 117, 3, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 032101, 1-5 - Homoepitaxial growth of AlN on a 2-in.-diameter AlN single crystal substrate by hydride vapor phase epitaxy
Nagashima, Toru; Ishikawa, Reiko; Hitomi, Tatsuya; Yamamoto, Reo; Kotani, Junji; Kumagai, Yoshinao
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER
Homoepitaxial growth of a thick AlN layer on a 2-in.-diameter single crystal AlN(0 0 0 1) substrate prepared by physical vapor transport (PVT) was investigated by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). A water-clear crack-free homoepitaxial layer with a thickness of 500 mu m or more could be grown on the entire surface of the PVT-AlN substrate. No degradation of crystallinity was observed during homoepitaxial growth. X-ray rocking curve measurements of the homoepitaxial layer showed small full widths at half maximum of 11-16 arcsec, the same as those for the PVT substrates. A freestanding AlN substrate prepared from the homoepitaxial layer showed high optical transmittance in the deep ultraviolet region owing to low impurity concentrations.
2020年06月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 540, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 125644, 1-5 - Lattice bow in thick, homoepitaxial GaN layers for vertical power devices
Liu, Qiang; Fujimoto, Naoki; Shen, Jian; Nitta, Shugo; Tanaka, Atsushi; Honda, Yoshio; Sitar, Zlatko; Bockowski, Michal; Kumagai, Yoshinao; Amano, Hiroshi
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER
2020年06月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 539, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 125643, 1-6 - Growth of Highly Crystalline GaN at High Growth Rate by Trihalide Vapor-Phase Epitaxy
Yamaguchi, Akira; Oozeki, Daisuke; Kawamoto, Naoya; Takekawa, Nao; Bulsara, Mayank; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Matsumoto, Koh; Koukitu, Akinori
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
WILEY-V C H VERLAG GMBH
Free-standing gallium nitride (GaN) wafers are being increasingly used for high-power and high-frequency electronic devices. However, these have to be produced at low costs while maintaining high quality. With the aim of reducing the cost of manufacturing GaN substrates, trihalide vapor-phase epitaxy (THVPE) is investigated to explore the effect of growth temperatures up to 1400 degrees C. High growth rate and high crystal quality are achieved simultaneously using THVPE. High-quality GaN crystals are obtained at the growth rate of more than 300 mu m h(-1). Crystal characteristics are confirmed via the full width at half maximum (FWHM) of the (002) plane, obtained by the X-ray two-crystal (XRC) method. Dark spot density (DSD) measured via cathode luminescence decreases to the level of seed substrate at growth temperatures above 1300 degrees C. The yellow emission band is not visible in the photoluminescence spectra of the 2 in.-diameter sample, which is consistent with very small concentrations of carbon impurities in the crystal. In addition to the attainment of high-purity materials, parasitic polycrystal growth around the wafer and the reactor wall is eliminated, which can improve the productivity of the THVPE, due to very little down time of the reactor.
2020年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 257, 4, 0370-1972, DOI(公開)(r-map), 1900564, 1-5 - Comment on Characteristics of Multi-photon Absorption in a beta-Ga2O3 Single Crystal [J. Phys. Soc. Jpn. 88, 113701 (2019)]
Korlacki, Rafal; Mock, Alyssa; Briley, Chad; Darakchieva, Vanya; Monemar, Bo; Kumagai, Yoshinao; Goto, Ken; Higashiwaki, Masataka; Schubert, Mathias
JOURNAL OF THE PHYSICAL SOCIETY OF JAPAN
PHYSICAL SOC JAPAN
2020年03月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 89, 3, 0031-9015, DOI(公開)(r-map), 036001, 1-2 - Enhancement-Mode beta-Ga2O3 Current Aperture Vertical MOSFETs With N-Ion-Implanted Blocker
Wong, Man Hoi; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Enhancement-mode (E-mode) vertical beta-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect transistors featuring a current aperture were developed on a single-crystal beta-Ga2O3 (001) substrate. Nitrogen ions were implanted into a drift layer grown by halide vapor phase epitaxy to form current blocking layers (CBLs) for vertical source-drain isolation, while Si ionswere implanted to form degenerately doped source contact regions and a top-gated lateral channel that was fully depleted at 0-V gate bias. The devices delivered a high output current on/off ratio of 2x10(7) despite a nonideal MOS interface that limited the maximum drain current density to <0.1 kA/cm(2). Pulsed operation without current collapse under off-state voltage stress was demonstrated. Hard breakdown occurred prematurely owing to leakage through the CBLs, but is expected to improve with an optimized nitrogen implantation process. The realization of E-mode vertical Ga2O3 transistors based on a manufacturable all-ion-implanted process represents an important step toward practical applications of Ga2O3 power electronics.
2020年02月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 41, 2, 0741-3106, DOI(公開)(r-map), 296, 299 - Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
Lin, Chia-Hung; Yuda, Yohei; Wong, Man Hoi; Sato, Mayuko; Takekawa, Nao; Konishi, Keita; Watahiki, Tatsuro; Yamamuka, Mikio; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
A guard ring (GR) was employed to improve the breakdown voltage (V-br) of vertical Ga(2)O(3 )Schottky barrier diodes (SBDs) with or without a field-plate (FP) by eliminating electric field concentration at the edges of anode and FP electrodes. The GR structure was formed by nitrogen (N)-ion implantation. Four types of vertical SBD structures with: 1) neither a GR nor a FP; 2) a GR; 3) a FP; and 4) both a GR and a FP were fabricated on the same substrate. The SBDs with a GR [structures 2) and 4)] showed larger V-br values than their GR-free counterparts [structures 1) and 3)]. Considering the trade-off relationship between V-br and specific on-resistance (R-on), a V-br/R-on combination of 1.43 kV/4.7 m Omega.cm(2) for the GR/FP-SBD corresponds to one of the best balanced data for Ga2O3 SBDs.
2019年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 40, 9, 0741-3106, DOI(公開)(r-map), 1487, 1490 - Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices
De Santi, C.; Nardo, A.; Wong, M. H.; Goto, K.; Kuramata, A.; Yamakoshi, S.; Murakami, H.; Kumagai, Y.; Higashiwaki, M.; Meneghesso, G.; Zanoni, E.; Meneghini, M.
MICROELECTRONICS RELIABILITY
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Within this paper, we report the first study on the reliability of isolation structures and surfaces for the gallium oxide material system. Even though insulation by Mg-doping implantation and diffusion is found to provide a stable electrical isolation at increasing temperature, a significant thermally-activated leakage flows through surface states. The vertical bulk material does provide a better stability of the isolation over stress time, but withstands a lower level of stress compared with the surface and the lateral structure, possibly due to the charge trapping at the surface of the latter that mitigates the peak electric field.
2019年09月, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, 共同, 100-101, 0026-2714, DOI(公開)(r-map), 113453, 1-4 - Dependence of thermal stability of GaN on substrate orientation and off-cut
Yoshida, Kento; Yamanobe, Sakiko; Konishi, Keita; Takashima, Shinya; Edo, Masaharu; Monemar, Bo; Kumagai, Yoshinao
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
IOP PUBLISHING LTD
The thermal stability of +/- c- and m-plane GaN substrates and its dependence on the m-plane GaN off-cut angle were investigated at and above 1200 degrees C at atmospheric pressure in flowing N-2 with and without added NH3. It was clarified that decomposition of the +c-plane GaN surface is promoted by the addition of NH3, while decomposition of the -c- and m-plane GaN surfaces is suppressed by added NH3. It was found that -c- and m-plane GaN substrates can be heated at 1300 degrees C with an added NH3 input partial pressure of more than 0.2 atm, which is 100 degrees C higher than for +c-plane GaN substrates. Nevertheless, decomposition of m-plane GaN substrates became noticeable with increase in the off-cut angle of the substrate. It was revealed that the decomposition was better controlled by using m-plane GaN substrates with an off-cut towards [000 (1) over bar] than towards [0001]. (C) 2019 The Japan Society of Applied Physics
2019年06月01日, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, 共同, 58, SC, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), SCCD17, 1-4 - Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping
Wong, Man Hoi; Goto, Ken; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Depletion-mode vertical Ga2O3 metal-oxidesemiconductor field-effect transistors featuring a current aperture were developed on a halide vapor phase epitaxial drift layer grown on a bulk beta-Ga2O3 (001) substrate. Three ion implantation steps were employed to fabricate the n ++ source regions, lateral n channel, and p current blocking layers, where Si and N were selected as the donor and deep acceptor dopant species, respectively. The transistors delivered a drain current density of 0.42 kA/cm(2), a specific on-resistance of 31.5m Omega.cm(2), and an output current on/off ratio of over 108. High-voltage performance of the present devices was hampered by a large gate oxide field in the off-state causing high gate leakage, a limitation that can be readily overcome through optimized doping schemes and an improved gate dielectric. The demonstration of a planar-gate vertical Ga2O3 transistor based on a highly manufacturable all-ion-implanted process greatly enhances the prospects for Ga2O3-based power electronics.
2019年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 40, 3, 0741-3106, DOI(公開)(r-map), 431, 434 - Halide vapor phase epitaxy of Si doped beta-Ga2O3 and its electrical properties
Goto, Ken; Konishi, Keita; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Monemar, Bo; Higashiwaki, Masataka; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu
THIN SOLID FILMS
ELSEVIER SCIENCE SA
Silicon doped homoepitaxial films were grown on beta-gallium oxide (001) substrates by halide vapor phase epitaxy using gallium monochloride, oxygen and silicon tetrachloride gases as precursors. It was confirmed that the n-type carrier density at room temperature was almost equal to the doped silicon concentration, which was controlled in the range of 10(15) to 10(18) cm(-3). In the doped film with the carrier density of 1x10(16) cm(-3), the activation energy and the mobility at room temperature were 45.6 meV and 145 cm(2)/V.s, respectively. The carrier scattering mechanism in the low carrier density film was dominated by optical phonon scattering with the phonon energy of 33 meV. These results suggest that the doped homoepitaxial film grown by halide vapor phase epitaxy is a high quality film with good crystallinity comparable to bulk crystals.
2018年11月30日, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, 共同, 666, 0040-6090, DOI(公開)(r-map), 182, 184 - Growth temperatures and the excess chlorine effect of N-Polar GaN growth via tri-halide vapor phase epitaxy
Takekawa, Nao; Hayashida, Naoto; Ohzeki, Daisuke; Yamaguchi, Akira; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Matsumoto, Koh; Koukitu, Akinori
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER SCIENCE BV
In this paper, we investigated the effects of the growth temperature and chlorine gas on the growth of thick GaN on an N-polar GaN substrate via tri-halide vapor phase epitaxy. The results revealed that free Cl-2 is necessary for high-speed growth. When the growth temperature increases, the crystal quality improves, and a high growth rate and high crystalline quality can be simultaneously achieved.
2018年11月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 502, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 7, 13 - Acceptor doping of beta-Ga2O3 by Mg and N ion implantations
Wong, Man Hoi; Lin, Chia-Hung; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
APPLIED PHYSICS LETTERS
AMER INST PHYSICS
Deep acceptor doping of beta-Ga2O3 with Mg and N was demonstrated by implantation of the impurity ions into n-type bulk substrates. Systematic physical and electrical characterizations were performed to demonstrate recovery of the implantation-damaged crystals and electrical activation of the dopant atoms by thermal annealing at 1000-1200 degrees C in an N-2 atmosphere. N was found to exhibit much lower thermal diffusivity than Mg, thus enabling the use of higher annealing temperatures to maximize N activation efficiency without significantly altering the impurity profile. Consequently, an n-Ga2O3 /Ga2O3:N/n-Ga2O3 structure was capable of sustaining a much larger voltage across its end terminals than its Mg-doped counterpart. The development of an ion implantation technology for acceptor doping of beta-Ga2O3 creates unique opportunities for designing and engineering a variety of high-voltage beta-Ga(2)O(3 )devices. Published by AIP Publishing.
2018年09月03日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 113, 10, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 102103, 1-5 - Thermal conductivity of single-crystalline AIN
Rounds, Robert; Sarkar, Biplab; Klump, Andrew; Hartmann, Carsten; Nagashima, Toru; Kirste, Ronny; Franke, Alexander; Bickermann, Matthias; Kumagai, Yoshinao; Sitar, Zlatko; Collazo, Ramon
APPLIED PHYSICS EXPRESS
IOP PUBLISHING LTD
The thermal conductivity of AlN single crystals grown by physical vapor transport (PVT) and hydride vapor phase epitaxy (HVPE) was measured in the range of 30 to 325K by the 3 omega method. The measured room-temperature thermal conductivity ranged from 268 to 374 W m(-1) K-1 . Higher thermal conductivity correlated with higher transparency at 265nm and lower total impurity levels. (C) 2018 The Japan Society of Applied Physics
2018年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 11, 7, 1882-0778, DOI(公開)(r-map), 071001, 1-3 - Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
Konishi, Keita; Goto, Ken; Togashi, Rie; Murakami, Hisashi; Higashiwaki, Masataka; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Monemar, Bo; Kumagai, Yoshinao
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
ELSEVIER SCIENCE BV
Homoepitaxial growth of p-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy (HVPE) using O-2 or H2O as an oxygen source was investigated by thermodynamic analysis, and compared with measured properties after growth. The thermodynamic analysis revealed that Ga2O3 growth is expected even at 1000 C-degrees using both oxygen sources due to positive driving forces for Ga2O3 deposition. The experimental results for homoepitaxial growth on (0 0 1) beta-Ga2O3 substrates showed that the surfaces of the layers grown with H2O were smoother than those grown with O-2, although the growth rate with H2O was approximately half that with O-2. However, in the homoepitaxial layer grown using H2O, incorporation of Si impurities with a concentration almost equal to the effective donor concentration (2 x 10(16)cm (3)) was confirmed, which was caused by decomposition of the quartz glass reactor due to the presence of hydrogen in the system. (C) 2018 Elsevier B.V. All rights reserved.
2018年06月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 492, 0022-0248, DOI(公開)(r-map), 39, 44 - All-ion-implanted planar-gate current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs with Mg-doped blocking layer
Wong, Man Hoi; Goto, Ken; Morikawa, Yoji; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka
APPLIED PHYSICS EXPRESS
IOP PUBLISHING LTD
A vertical beta-Ga2O3 metal-oxide-semiconductor field-effect transistor featuring a planar-gate architecture is presented. The device was fabricated by an all-ion-implanted process without requiring trench etching or epitaxial regrowth. A Mg-ion-implanted current blocking layer (CBL) provided electrical isolation between the source and the drain except at an aperture opening through which drain current was conducted. Successful transistor action was realized by gating a Si-ion-implanted channel above the CBL. Thermal diffusion of Mg induced a large source-drain leakage current through the CBL, which resulted in compromised off-state device characteristics as well as a reduced peak extrinsic transconductance compared with the results of simulations. (C) 2018 The Japan Society of Applied Physics
2018年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 11, 6, 1882-0778, DOI(公開)(r-map), 064102, 1-5 - The influence of point defects on the thermal conductivity of AlN crystals
Rounds, Robert; Sarkar, Biplab; Alden, Dorian; Guo, Qiang; Klump, Andrew; Hartmann, Carsten; Nagashima, Toru; Kirste, Ronny; Franke, Alexander; Bickermann, Matthias; Kumagai, Yoshinao; Sitar, Zlatko; Collazo, Ramon
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
AMER INST PHYSICS
The average bulk thermal conductivity of free-standing physical vapor transport and hydride vapor phase epitaxy single crystal AIN samples with different impurity concentrations is analyzed using the 3 omega method in the temperature range of 30-325 K. AIN wafers grown by physical vapor transport show significant variation in thermal conductivity at room temperature with values ranging between 268 W/m K and 339 W/m K. AIN crystals grown by hydride vapor phase epitaxy yield values between 298 W/m K and 341 W/m K at room temperature, suggesting that the same fundamental mechanisms limit the thermal conductivity of MN grown by both techniques. All samples in this work show phonon resonance behavior resulting from incorporated point defects. Samples shown by optical analysis to contain carbon-silicon complexes exhibit higher thermal conductivity above 100K. Phonon scattering by point defects is determined to be the main limiting factor for thermal conductivity of AIN within the investigated temperature range. Published by AIP Publishing.
2018年05月14日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 123, 18, 0021-8979, DOI(公開)(r-map), 185107, 1-7 - Electron effective mass in Sn-doped monoclinic single crystal beta-gallium oxide determined by mid-infrared optical Hall effect
Knight, Sean; Mock, Alyssa; Korlacki, Rafal; Darakchieva, Vanya; Monemar, Bo; Kumagai, Yoshinao; Goto, Ken; Higashiwaki, Masataka; Schubert, Mathias
APPLIED PHYSICS LETTERS
AMER INST PHYSICS
The isotropic average conduction band minimum electron effective mass in Sn-doped monoclinic single crystal beta-Ga2O3 is experimentally determined by the mid-infrared optical Hall effect to be (0.2846 +/- 0.013)m(0) combining investigations on (010) and ((2) over bar 01) surface cuts. This result falls within the broad range of values predicted by theoretical calculations for undoped beta-Ga2O3. The result is also comparable to recent density functional calculations using the Gaussian-attenuation-Perdew-Burke-Ernzerhof hybrid density functional, which predict an average effective mass of 0.267m(0). Within our uncertainty limits, we detect no anisotropy for the electron effective mass, which is consistent with most previous theoretical calculations. We discuss upper limits for possible anisotropy of the electron effective mass parameter from our experimental uncertainty limits, and we compare our findings with recent theoretical results. Published by AIP Publishing.
2018年01月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 112, 1, 0003-6951, DOI(公開)(r-map), 012103, 1-5 - Band-to-band transitions, selection rules, effective mass, and excitonic contributions in monoclinic β-Ga2O3
Alyssa Mock, Rafał Korlacki, Chad Briley, Vanya Darakchieva, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, and Mathias Schubert
Physical Review B
AMER PHYSICAL SOC
We employ an eigenpolarization model including the description of direction dependent excitonic effects for rendering critical point structures within the dielectric function tensor of monoclinic beta-Ga2O3 yielding a comprehensive analysis of generalized ellipsometry data obtained from 0.75-9 eV. The eigenpolarization model permits complete description of the dielectric response. We obtain, for single-electron and excitonic band-to-band transitions, anisotropic critical point model parameters including their polarization vectors within the monoclinic lattice. We compare our experimental analysis with results from density functional theory calculations performed using the Gaussian-attenuation-Perdew-Burke-Ernzerhof hybrid density functional. We present and discuss the order of the fundamental direct band-to-band transitions and their polarization selection rules, the electron and hole effective mass parameters for the three lowest band-to-band transitions, and their excitonic contributions. We find that the effective masses for holes are highly anisotropic and correlate with the selection rules for the fundamental band-to-band transitions. The observed transitions are polarized close to the direction of the lowest hole effective mass for the valence band participating in the transition.
2017年12月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 96, 24, 2469-9950, DOI(公開)(r-map), 245205, 1-14 - Preparation of 2-in.-diameter (001) β-Ga2O3 homoepitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy
Quang Tu Thieu, Daiki Wakimoto, Yuki Koishikawa, Kohei Sasaki, Ken Goto, Keita Konishi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Yoshinao Kumagai, and Shigenobu Yamakoshi
Japanese Journal of Applied Physics
2017年11月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 56, 11, DOI(公開)(r-map), 110310, 1-3 - State-of-the-art technologies of gallium oxide power devices
Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Hisashi Murakami, and Yoshinao Kumagai
Journal of Physics D-Applied Physics
IOP PUBLISHING LTD
Gallium oxide (Ga2O3) has gained increased attention for power devices due to its superior material properties and the availability of economical device-quality native substrates. This review illustrates recent advances in Ga2O3 device technologies, beginning with an overview of the social circumstances that motivate the development of new-generation switching devices. Following an introduction to the material properties of Ga2O3 from the viewpoint of power electronics, growth technologies of Ga2O3 bulk single crystals and epitaxial thin films are discussed. The fabrication and performance of state-of-the-art Ga2O3 transistors and diodes are then described. We conclude by identifying the directions and challenges of Ga2O3 power device development in the near future.
2017年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 50, 33, 0022-3727, DOI(公開)(r-map), 333002, 1-12 - Thermodynamic analysis of (0001) and (000-1) GaN metalorganic vapor phase epitaxy
Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Pawel Kempisty, Hubert Valencia, Kenji Shiraishi, Yoshinao Kumagai, Koichi Kakimoto, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
IOP PUBLISHING LTD
We performed a thermodynamic analysis of GaN metalorganic vapor phase epitaxy considering the (0001) and (000 (1) over bar) surface states. Surface reconstruction, which depends on growth conditions such as temperature and partial pressure, affects growth processes. To discuss the effects of surface states on growth processes, we investigated the driving force of precursor deposition to form the surface phase defined stoichiometrically. In both N-2 and H-2 carrier gas cases, we showed surface phase diagrams, calculated driving forces, and discussed the difference in growth orientation. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics
2017年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 56, 7, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 070304, 1-4 - Theoretical study of the composition pulling effect in InGaN metalorganic vapor-phase epitaxy growth
Yuya Inatomi, Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Tadeusz Suski, Yoshinao Kumagai, Koichi Kakimoto, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
IOP PUBLISHING LTD
The composition pulling effect in metalorganic vapor-phase InGaN epitaxy was theoretically investigated by thermodynamic analysis. The excess energies of biaxial-strained InxGa1-xN were numerically calculated using empirical interatomic potentials considering different situations: (i) coherent growth on GaN(0001), (ii) coherent growth on In0.2Ga0.8N(0001), and (iii) bulk growth. Using the excess energies, the excess chemical potentials of InN and GaN alloys were computed. Our results show that compressive strain suppresses In incorporation, whereas tensile strain promotes it. Moreover, assuming chemical equilibrium, the relationship between the solid composition and the growth conditions was predicted. The results successfully reproduced the typical composition pulling effect. (C) 2017 The Japan Society of Applied Physics
2017年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 56, 7, 0021-4922, DOI(公開)(r-map), 078003, 1-3 - 1-kV vertical Ga2O3 field-plated Schottky barrier diodes
Keita Konishi, Ken Goto, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, and Masataka Higashiwaki
Applied Physics Letters
2017年03月06日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 110, 10, DOI(公開)(r-map), 103506, 1-4 - HVPE法による高品質酸化ガリウムエピタキシャル成長技術
熊谷義直，村上尚，倉又朗人，東脇正高
応用物理
2017年02月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 86, 2, 107, 111 - Electronic properties of the residual donor in unintentionally doped β-Ga2O3
N. T. Son, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu, S. Yamakoshi, B. Monemar, and E. Janzen
Journal of Applied Physics
2016年12月21日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 120, 23, DOI(公開)(r-map), 235703, 1-8 - Tri-halide vapor phase epitaxy of thick GaN using gaseous GaCl3 precursor
Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Anna Shiono, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Koh Matsumoto, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2016年12月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 456, DOI(公開)(r-map), 140, 144 - Growth of thick and high crystalline quality InGaN layers on GaN (000-1) substrate using tri-halide vapor phase epitaxy
Takahide Hirasaki, Martin Eriksson, Quang Tu Thieu, Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Per Olof Holtz, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2016年12月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 456, DOI(公開)(r-map), 145, 150 - Current status of Ga2O3 power devices
Masataka Higashiwaki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akito Kuramata
Japanese Journal of Applied Physics
2016年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 55, 12, DOI(公開)(r-map), 1202A1, 1-7 - High rate growth of In2O3 at 1000 °C by halide vapor phase epitaxy
Rie Togashi, Shiyu Numata, Mayuko Hayashida, Takayuki Suga, Ken Goto, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Plamen Paskov, Bo Monemar, and Yoshinao Kumagai
Japanese Journal of Applied Physics
2016年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 55, 12, DOI(公開)(r-map), 1202B3, 1-5 - Thermal and chemical stabilities of group-III sesquioxides in a flow of either N2 or H2
Rie Togashi, Yumi Kisanuki, Ken Goto, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, Akinori Koukitu, and Yoshinao Kumagai
Japanese Journal of Applied Physics
2016年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 55, 12, DOI(公開)(r-map), 1202BE, 1-6 - 酸化ガリウムパワーデバイス開発の現状
東脇正高，倉又朗人，村上尚，熊谷義直
電子情報通信学会論文誌C
2016年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, J99-C, 9, 448, 455 - Influence of high-temperature processing on the surface properties of bulk AlN substrates
Shunsuke Tojo, Reo Yamamoto, Ryohei Tanaka, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Hisashi Murakami, Ramón Collazo, Akinori Koukitu, Bo Monemar, Zlatko Sitar, Yoshinao Kumagai
Journal of Crystal Growth
2016年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 446, 33, 38 - Investigation of NH3 input partial pressure for N-polarity InGaN growth on GaN substrates by tri-halide vapor phase epitaxy
Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2016年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 55, 5S, DOI(公開)(r-map), 05FA01, 1-4 - Formation mechanism of AlN whiskers on sapphire surfaces heat-treated in a mixed flow of H2 and N2
Kazuya Takada, Kazushiro Nomura, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, and Yoshinao Kumagai
Japanese Journal of Applied Physics
2016年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 55, 5S, DOI(公開)(r-map), 05FF01, 1-4 - 酸化ガリウムショットキーバリアダイオード
東脇正高，佐々木公平，村上尚，熊谷義直，倉又朗人
電気学会論文誌C
2016年04月, 共同, 136, 4, 479, 483 - Recent progress in Ga2O3 power devices
Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Akito Kuramata, Takekazu Masui and Shigenobu Yamakoshi
Semiconductor Science and Technology
2016年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 31, 3, 034001, 1-11 - Anisotropy, phonon modes, and free charge carrier parameters in monoclinic beta-gallium oxide single crystals
M. Schubert, R. Korlacki, S. Knight, T. Hofmann, S. Schöche, V. Darakchieva, E. Janzén, B. Monemar, D. Gogova, Q.-T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, and M. Higashiwaki
Physical Review B
2016年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 93, 12, 125209, 1-18 - Temperature-dependent capacitance-voltage and current-voltage characteristics of Pt/Ga2O3 (001) Schottky barrier diodes fabricated on n--Ga2O3 drift layers grown by halide vapor phase epitaxy
Masataka Higashiwaki, Keita Konishi, Kohei Sasaki, Ken Goto, Kazushiro Nomura, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu, Akito Kuramata, and Shigenobu Yamakoshi
Applied Physics Letters
2016年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 108, 13, 133503, 1-5 - 酸化ガリウム単結晶の光・電子デバイス応用
倉又朗人，飯塚和幸，佐々木公平，輿公祥，増井建和，森島嘉克，後藤健，熊谷義直，村上尚，纐纈明伯，ワン マンホイ，上村崇史，東脇正高，山腰茂伸
日本結晶成長学会誌
2015年07月28日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 42, 2, DOI(公開)(r-map), 130, 140 - High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy
Rie Togashi, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Yoshihiro Ishitani, Bo Monemar, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2015年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 422, 15, 19 - Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
Toru Kinoshita, Toru Nagashima, Toshiyuki Obata, Shinya Takashima, Reo Yamamoto, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Raoul Schlesser, Ramón Collazo, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
Applied Physics Express
2015年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 8, 6, DOI(公開)(r-map), 061003, 1-3 - Thermal stability of beta-Ga2O3 in mixed flows of H2 and N2
Rie Togashi, Kazushiro Nomura, Chihiro Eguchi, Takahiro Fukizawa, Ken Goto, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2015年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 54, 4, DOI(公開)(r-map), 041102, 1-6 - Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Kohei Sasaki, Katsuaki Kawara, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, and Akinori Koukitu
Applied Physics Express
2015年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 8, 1, DOI(公開)(r-map), 015503, 1-4 - Thermodynamic study of beta-Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy
Kazushiro Nomura, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2014年11月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 405, 19, 22 - 昇華法AlNウェハー上HVPEホモエピタキシャル成長と深紫外LED応用
熊谷義直，永島徹，木下亨，纐纈明伯
日本結晶成長学会誌
2014年10月24日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 41, 3, DOI(公開)(r-map), 131, 137 - Growth of thick InGaN layers by tri-halide vapor phase epitaxy
Takahide Hirasaki, Kazuma Asano, Mizuki Banno, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2014年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 53, 5, DOI(公開)(r-map), 05FL02, 1-4 - The role of the carbon-silicon complex in eliminating deep ultraviolet absorption in AlN
Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Isaac Bryan, Jinqiao Xie, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Ronny Kirste, Zlatko Sitar, Ramón Collazo, and Douglas L. Irving
Applied Physics Letters
2014年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 104, 20, 202106, 1-4 - Vacancy defects in UV-transparent HVPE-AlN
Tanja Kuittinen, Filip Tuomisto, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Ramón Collazo, and Zlatko Sitar
Physica Status Solidi (c)
2014年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 11, 3-4, 405, 407 - Vacancy compensation and related donor-acceptor pair recombination in bulk AlN
Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Isaac Bryan, Ronny Kirste, Jinqiao Xie, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Zlatko Sitar, Ramón Collazo, and Douglas L. Irving
Applied Physics Letters
2013年10月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 103, 16, 161901, 1-5 - Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Toru Kinoshita, Toshiyuki Obata, Toru Nagashima, Hiroyuki Yanagi, Baxter Moody, Seiji Mita, Shin-ichiro Inoue, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
Applied Physics Express
2013年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 6, 9, DOI(公開)(r-map), 092103, 1-3 - High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N2
Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2013年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 52, 8, DOI(公開)(r-map), 08JB10, 1-4 - Effect of High NH3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates
Rie Togashi, Sho Yamamoto, K. Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2013年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 52, 8, DOI(公開)(r-map), 08JD05, 1-4 - Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10-13) crystal on GaAs(110) by MOVPE
H. C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
Journal of Crystal Growth
2013年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 367, 122, 125 - Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides
Takahide Hirasaki, Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2013年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 10, 3, 413, 416 - Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Sae Takenaka, Tetsuo Hotta, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2013年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 10, 3, DOI(公開)(r-map), 472, 475 - Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates
Rie Togashi, Toru Nagashima, Manabu Harada, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hiroyuki Yanagi, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2012年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 360, 197, 200 - Structural and Optical Properties of Carbon-Doped AlN Substrates Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using AlN Substrates Prepared by Physical Vapor Transport
Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Yoshinao Kumagai, Jinqiao Xie, Ramón Collazo, Hisashi Murakami, Hiroshi Okamoto, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
Applied Physics Express
2012年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 5, 12, DOI(公開)(r-map), 125501, 1-3 - Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Toru Kinoshita, Keiichiro Hironaka, Toshiyuki Obata, Toru Nagashima, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Shin-ichiro Inoue, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
Applied Physics Express
2012年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 5, 12, DOI(公開)(r-map), 122101, 1-3 - Structural and optical properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy
J. A. Freitas Jr., J. C. Culbertson, M. A. Mastro, Y. Kumagai, A. Koukitu
Journal of Crystal Growth
2012年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 350, 33, 37 - Formation of AlN on sapphire surfaces by high-temperature heating in a mixed flow of H2 and N2
Yoshinao Kumagai, Takahiro Igi, Masanari Ishizuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2012年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 350, 60, 65 - Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates
Toru Nagashima, Akira Hakomori, Takafumi Shimoda, Keiichiro Hironaka, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Reo Yamamoto, Kazuya Takada, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Hiroyuki Yanagi
Journal of Crystal Growth
2012年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 350, 75, 79 - On the origin of the 265 nm absorption band in AlN bulk crystals
Ramón Collazo, Jinqiao Xie, Benjamin E. Gaddy, Zachary Bryan, Ronny Kirste, Marc Hoffmann, Rafael Dalmau, Baxter Moody, Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Yuki Kubota, Toru Kinoshita, Akinori Koukitu, Douglas L. Irving, and Zlatko Sitar
Applied Physics Letters
2012年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 100, 19, 191914, 1-5 - Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
Yoshinao Kumagai, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rafael Dalmau, Raoul Schlesser, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu, and Zlatko Sitar
Applied Physics Express
2012年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 5, 5, DOI(公開)(r-map), 055504, 1-3 - Influence of growth temperature on the twin formation of InN{10-13} on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Mayu Suematsu, Katsuhiko Inaba, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2012年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 9, 3-4, 677, 680 - Improvements in Optical Properties of (0001) ZnO Layers Grown on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy Using Thick Buffer Layers
Rui Masuda, Chih-Wei Hsu, Martin Eriksson, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, and Per-Olof Holtz
Japanese Journal of Applied Physics
2012年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 51, 3, DOI(公開)(r-map), 031103, 1-4 - Two-Step Growth of (0001) ZnO Single-Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
Rui Masuda, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2011年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 50, 12, DOI(公開)(r-map), 125503, 1-5 - Semi-polar InN(10-13) dominant growth on GaAs(110) substrate by mixing hydrogen in carrier gas
H. C. Cho, M. Suematsu, H. Murakami, Y. Kumagai, R. Tob, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2011年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 8, 7-8, 2025, 2027 - Control of in-plane epitaxial relationship of c-plane AlN layers grown on a-plane sapphire substrates by hydride vapor phase epitaxy
Jumpei Tajima, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2011年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 8, 7-8, 2028, 2030 - First-principles study on the effect of surface hydrogen coverage on the adsorption process of ammonia on InN(0001) surfaces
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2011年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 8, 7-8, 2267, 2269 - Carrier Gas Dependence at Initial Processes for a-Plane AlN Growth on r-Plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
Jumpei Tajima, Chikashi Echizen, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2011年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 50, 5, DOI(公開)(r-map), 055501, 1-5 - Tri-halide vapor phase epitaxy of GaN using GaCl3 gas as a group III precursor
T. Yamane, K. Hanaoka, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2011年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 8, 5, 1471, 1474 - Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surfaces
Hikari Suzuki, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2011年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 8, 5, 1577, 1580 - Thermodynamic analysis on HVPE growth of InGaN ternary alloy
Koshi Hanaoka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2011年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 318, 441, 445 - Growth of semi-polar InN layer on GaAs (110) surface by MOVPE
Hisashi Murakami, Hyun Chol Cho, Mayu Suematsu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Ryuichi Toba, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2011年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 318, 479, 482 - In系窒化物半導体のMOVPEおよびHVPE成長
村上尚，花岡幸史，富樫理恵，稲葉克彦，熊谷義直，纐纈明伯
日本結晶成長学会誌
2011年01月31日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 38, 4, DOI(公開)(r-map), 255, 262 - Halide vapor phase epitaxy of ZnO studied by thermodynamic analysis and growth experiments
Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2011年01月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 314, 1, DOI(公開)(r-map), 108, 112 - Solid Composition Control of MgxZn1-xO in Halide Vapor Phase Epitaxy
Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2010年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 49, 12, DOI(公開)(r-map), 125501, 1-8 - Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE
Yoshinao Kumagai, Yuuki Enatsu, Masanari Ishizuki, Yuki Kubota, Jumpei Tajima, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2010年09月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 312, 18, DOI(公開)(r-map), 2530, 2536 - Step-flow growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using ZnCl2 and H2O source gases
Rui Masuda, Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2010年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 312, DOI(公開)(r-map), 2324, 2327 - Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate - influence of InN decomposition at the interface
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2010年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 7, 7-8, 2019, 2021 - Temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy
Yoshinao Kumagai, Hirokazu Adachi, Aya Otake, Yoshihiro Higashikawa, Rie Togashi, Hisashi Murakami, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2010年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 7, 7-8, 2022, 2024 - Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001) surface under a hydrogen atmosphere
Hikari Suzuki, Uliana Panyukova, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2010年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 7, 7-8, 2265, 2267 - Influence of substrate polarity of (0001) and (000-1)GaN surfaces on hydride vapor-phase epitaxy of InN
Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2010年02月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 312, 5, DOI(公開)(r-map), 651, 655 - Growth of ZnO crystal on sapphire and nitridated sapphire substrates at 1000 °C by halide vapor phase epitaxy
Naoki Yoshii, Tetsuo Fujii, Rui Masuda, Shigetoshi Hosaka, Akira Kamisawa, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Materials Letters
2010年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 64, 25, 27 - Halide Vapor Phase Epitaxy of MgxZn1-xO Layers on Zn-Polar ZnO Substrates
Naoki Yoshii, Tetsuo Fujii, Rui Masuda, Shigetoshi Hosaka, Hidemi Takasu, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Applied Physics Express
2009年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 2, 12, DOI(公開)(r-map), 121102, 1-3 - In situ Gravimetric Monitoring of Thermal Decomposition and Hydrogen Etching Rates of 6H-SiC(0001) Si Face
Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Sohei Abe, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hironori Okumura, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2009年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 48, 9, DOI(公開)(r-map), 095505, 1-4 - Measurement of misorientation of AlN layer grown on (111)Si for freestanding substrate
K. Saito, J. Tajima, Y. Kumagai, M. Ishizuki, K. Takada, H. Morioka, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2009年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 6, S2, S293, S296 - Ab initio calculation for an initial growth process of GaN on (0001) and (000-1) surfaces by vapor phase epitaxy
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
physica status solidi (c)
2009年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 6, S2, S301, S304 - Investigation of polarity dependent InN{0001} decomposition in N2 and H2 ambient
R. Togashi, T. Kamoshita, H. Adachi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2009年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 6, S2, S372, S375 - Polarity control and preparation of AlN nano-islands by hydride vapor phase epitaxy
Toru Nagashima, Keiichiro Hironaka, Masanari Ishizuki, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, and Kazuya Takada
physica status solidi (c)
2009年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 6, S2, S444, S446 - Controlled formation of voids at the AlN/sapphire interface by sapphire decomposition for self-separation of the AlN layer
J. Tajima, Y. Kubota, M. Ishizuki, T. Nagashima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, K. Takada, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2009年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 6, S2, S447, S450 - Preparation of a crack-free AlN template layer on sapphire substrate by hydride vapor-phase epitaxy at 1450 °C
Jumpei Tajima, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Kazuya Takada, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2009年05月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 311, 10, DOI(公開)(r-map), 2837, 2839 - Theoretical investigation on the decomposition process of GaN(0001) surface under a hydrogen atmosphere
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2009年05月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 311, 10, DOI(公開)(r-map), 3103, 3105 - In situ gravimetric monitoring of surface reactions between sapphire and NH3
Kazuhiro Akiyama, Yasuhiro Ishii, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2009年05月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 311, 10, DOI(公開)(r-map), 3110, 3113 - Nucleation and coalescence behavior for epitaxial ZnO layers on ZnO/sapphire templates grown by halide vapor phase epitaxy
Tetsuo Fujii, Naoki Yoshii, Rui Masuda, Tetsuhiro Tanabe, Akira Kamisawa, Shigetoshi Hosaka, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2009年02月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 311, DOI(公開)(r-map), 1056, 1059 - Improvements in the crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure
Hisashi Murakami, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2008年11月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 310, DOI(公開)(r-map), 4954, 4958 - High-temperature growth of thick AlN layers on sapphire (0001) substrates by solid source halide vapor-phase epitaxy
Ken-ichi Eriguchi, Takako Hiratsuka, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2008年08月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 310, DOI(公開)(r-map), 4016, 4019 - First principles study of the decomposition processes of AlN in a hydrogen atmosphere
U. Panyukova, H. Suzuki, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2008年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 5, 9, DOI(公開)(r-map), 3042, 3044 - In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on Surface of (10-12) R-Plane Sapphire for High-Temperature Growth of Nonpolar AlN
Kazuhiro Akiyama, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2008年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 47, 5, DOI(公開)(r-map), 3434, 3437 - Characterization of a freestanding AlN substrate prepared by hydride vapor phase epitaxy
Y. Kumagai, T. Nagashima, H. Murakami, K. Takada, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2008年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 5, 6, DOI(公開)(r-map), 1512, 1514 - Growth of thin protective AlN layers on sapphire substrates at 1065 °C for hydride vapor phase epitaxy of AlN above 1300 °C
J. Tajima, Y. Kubota, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2008年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 5, 6, DOI(公開)(r-map), 1515, 1517 - Experimental and ab-initio studies of temperature dependent InN decomposition in various ambient
R. Togashi, T. Kamoshita, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2008年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 5, 6, DOI(公開)(r-map), 1518, 1521 - Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (111)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Hisashi Murakami, Ken-ichi Eriguchi, Jun-ichi Torii, Hyun-Chol Cho, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2008年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 310, DOI(公開)(r-map), 1602, 1606 - Ab initio calculation for the decomposition process of GaN (0001) and (000-1) surfaces
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2008年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 310, DOI(公開)(r-map), 1632, 1636 - Self-Separation of a Thick AlN Layer from a Sapphire Substrate via Interfacial Voids Formed by the Decomposition of Sapphire
Yoshinao Kumagai, Jumpei Tajima, Masanari Ishizuki, Toru Nagashima, Hisashi Murakami, Kazuya Takada, and Akinori Koukitu
Applied Physics Express
2008年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 1, 4, DOI(公開)(r-map), 045003, 1-3 - Study of the Decomposition Processes of (0001)AlN in a Hydrogen Atmosphere
Uliana Panyukova, Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2007年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 46, 46, DOI(公開)(r-map), L1114, L1116 - Theoretical Analysis for Surface Reconstruction of AlN and InN in the Presence of Hydrogen
Hikari Suzuki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2007年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 46, 8A, DOI(公開)(r-map), 5112, 5115 - HVPE growth of AlxGa1-xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl
Akinori Koukitu, Fumitaka Satoh, Takayoshi Yamane, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai
Journal of Crystal Growth
2007年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 305, 2, DOI(公開)(r-map), 335, 339 - Improvement of AlN crystalline quality with high epitaxial growth rates by hydride vapor phase epitaxy
Toru Nagashima, Manabu Harada, Hiroyuki Yanagi, Hiroyuki Fukuyama, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Kazuya Takada
Journal of Crystal Growth
2007年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 305, 2, DOI(公開)(r-map), 355, 359 - Al- and N-polar AlN layers grown on c-plane sapphire substrates by modified flow-modulation MOCVD
M. Takeuchi, H. Shimizu, R. Kajitani, K. Kawasaki, T. Kinoshita, K. Takada, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, T. Koyama, S. F. Chichibu, Y. Aoyagi
Journal of Crystal Growth
2007年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 305, 2, DOI(公開)(r-map), 360, 365 - Polarity dependence of AlN {0001} decomposition in flowing H2
Yoshinao Kumagai, Kazuhiro Akiyama, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Misaichi Takeuchi, Toru Kinoshita, Kuzuya Takada, Yoshinobu Aoyagi, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2007年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 305, 2, DOI(公開)(r-map), 366, 371 - Properties of Fe-doped semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication
J. A. Freitas Jr., J. G. Tischler, J.-H. Kim, Y. Kumagai, A. Koukitu
Journal of Crystal Growth
2007年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 305, 2, DOI(公開)(r-map), 403, 407 - First-principles calculation and X-ray absorption fine structure analysis of Fe doping mechanism for semi-insulating GaN growth on GaAs substrates
R. Togashi, F. Satoh, H. Murakami, J. Iihara, K. Yamaguchi, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (b)
2007年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 244, 6, DOI(公開)(r-map), 1862, 1866 - In situ gravimetric monitoring of decomposition rate on the surface of (0001) c-plane sapphire for the high temperature growth of AlN
K. Akiyama, T. Araki, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2007年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 4, 7, DOI(公開)(r-map), 2297, 2300 - A new system for growing thick InN layers by hydride vapor phase epitaxy
J. Kikuchi, Y. Nishizawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2007年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 4, 7, DOI(公開)(r-map), 2419, 2422 - Preparation of a Freestanding AlN Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy at 1230 °C Using (111)Si as a Starting Substrate
Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2007年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 46, 17, DOI(公開)(r-map), L389, L391 - High-speed epitaxial growth of AlN above 1200 °C by hydride vapor phase epitaxy
Toru Nagashima, Manabu Harada, Hiroyuki Yanagi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Kazuya Takada
Journal of Crystal Growth
2007年03月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 300, DOI(公開)(r-map), 42, 44 - Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl2
Yoshinao Kumagai, Jun Kikuchi, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2007年03月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 300, DOI(公開)(r-map), 57, 61 - Growth of thick AlxGa1-xN ternary alloy by hydride vapor-phase epitaxy
Takayoshi Yamane, Fumitaka Satoh, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2007年03月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 300, DOI(公開)(r-map), 164, 167 - MOVPE-like HVPE of AlN using solid aluminum trichloride source
Ken-ichi Eriguchi, Hisashi Murakami, Uliana Panyukova, Yoshinao Kumagai, Shigeo Ohira, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2007年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 298, DOI(公開)(r-map), 332, 335 - Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD
M. Takeuchi, H. Shimizu, R. Kajitani, K. Kawasaki, Y. Kumagai, A. Koukitu, Y. Aoyagi
Journal of Crystal Growth
2007年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 298, DOI(公開)(r-map), 336, 340 - Influence of surface atom arrangement on the growth of InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces by metalorganic vapor-phase epitaxy
Hisashi Murakami, Jun-ichi Torii, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2007年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 298, DOI(公開)(r-map), 387, 389 - Thermodynamic Analysis of Various Types of Hydride Vapor Phase Epitaxy System for High-Speed Growth of InN
Jun Kikuchi, Yuuki Nishizawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2006年11月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 45, 45, DOI(公開)(r-map), L1203, L1205 - Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor-phase epitaxy using GaAs starting substrates
Yoshinao Kumagai, Fumitaka Satoh, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Kikurou Takemoto, Junji Iihara, Koji Yamaguchi, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2006年10月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 296, 1, DOI(公開)(r-map), 11, 14 - Thermodynamic study on the role of hydrogen during hydride vapor phase epitaxy of AlxGa1-xN
H. Murakami, J. Kikuchi, Y. Kumagai and A. Koukitu
physica status solidi (c)
2006年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 3, 6, DOI(公開)(r-map), 1457, 1460 - Thermodynamics on hydride vapor phase epitaxy of AlN using AlCl3 and NH3
Y. Kumagai, K. Takemoto, J. Kikuchi, T. Hasegawa, H. Murakami and A. Koukitu
physica status solidi (b)
2006年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 243, 7, DOI(公開)(r-map), 1431, 1435 - Growth of GaN Directly on Si(111) Substrate by Controlling Atomic Configuration of Si Surface by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Kikurou Takemoto, Hisashi Murakami, Tomoyuki Iwamoto, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2006年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 45, 18, DOI(公開)(r-map), L478, L481 - Fabrication of Semi-Insulating GaN Wafers by Hydride Vapor Phase Epitaxy of Fe-Doped Thick GaN Layers Using GaAs Starting Substrates
Kikurou Takemoto, Yoshinao Kumagai, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2005年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 44, 50, DOI(公開)(r-map), L1519, L1521 - Growth of Fe-Doped Thick GaN Layers for Preparation of Semi-Insulating GaN Substrates
Yoshinao Kumagai, Kikurou Takemoto, Hisashi Murakami, Akinori Koukitu
Japanese Journal of Applied Physics
2005年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 44, 34, DOI(公開)(r-map), L1072, L1075 - Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE growth
Akinori Koukitu, Jun Kikuchi, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai
Journal of Crystal Growth
2005年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 281, DOI(公開)(r-map), 47, 54 - Growth of thick AlN layers by hydride vapor-phase epitaxy
Yoshinao Kumagai, Takayoshi Yamane, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2005年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 281, DOI(公開)(r-map), 62, 67 - Growth and characterization of thick GaN layers with high Fe doping
Y. Kumagai, H. Murakami, Y. Kangawa, A. Koukitu
physica status solidi (c)
2005年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 2, 7, DOI(公開)(r-map), 2058, 2061 - Growth of thick AlN layer on sapphire (0001) substrate using hydride vapor phase epitaxy
T. Yamane, H. Murakami, Y. Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu
physica status solidi (c)
2005年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 2, 7, DOI(公開)(r-map), 2062, 2065 - 化合物半導体気相成長の熱力学
纐纈明伯，寒川義裕，熊谷義直，関 壽
応用物理
2005年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 74, 5, 561, 572 - Effective distribution coefficients of an ideal solid solution crystal: Monte Carlo simulation
Kiiko Matsumoto, Toshiharu Irisawa, Masao Kitamura, Etsuro Yokoyama, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2005年04月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 276, DOI(公開)(r-map), 635, 642 - Impact of crystallization manner of the buffer layer on the crystalline quality of GaN epitaxial layers on GaAs (111)A substrate
Hisashi Murakami, Nobuhiko Kawaguchi, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2005年02月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 275, DOI(公開)(r-map), e1149, e1154 - GaN growth process using GaP(111)A and (111)B surfaces as an initial substrate
Yuriko Matsuo, Nobuhiko Kawaguchi, Marie Fujino, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Toshiharu Irisawa, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2005年02月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 275, DOI(公開)(r-map), e1631, e1636 - Thermodynamic analysis of InN and InxGa1-xN MOVPE using various nitrogen sources
Yoshinao Kumagai, Jun Kikuchi, Yuriko Matsuo, Yoshihiro Kangawa, Ken Tanaka, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2004年12月10日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 272, DOI(公開)(r-map), 341, 347 - Influence of laser power on crystalline quality of InGaN with high indium content grown by pulse laser-assisted MOVPE
Yoshihiro Kangawa, Norihito Kawaguchi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2004年12月10日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 272, DOI(公開)(r-map), 444, 448 - Pulse laser assisted MOVPE for InGaN with high indium content
Norihito Kawaguchi, Ken-nosuke Hida, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
physica status solidi (a)
2004年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 201, 12, DOI(公開)(r-map), 2846, 2849 - Study of Pulse Laser Assisted Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of InGaN with Large Indium Mole Fraction
Yoshihiro KANGAWA, Norihito KAWAGUCHI, Ken-nosuke HIDA, Yoshinao KUMAGAI, Akinori KOUKITU
Japanese Journal of Applied Physics
2004年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 43, 8A, DOI(公開)(r-map), L1026, L1028 - Trade-off between thickness and temperature ramping rate of GaN buffer layer studied for high quality GaN growth on GaAs (111)A substrate
Hisashi Murakami, Yoshihiro Kangawa, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2004年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 268, DOI(公開)(r-map), 1, 7 - Improvements in crystalline quality of thick GaN layers on GaAs (111)A by periodic insertion of low-temperature GaN buffer layers
H. Murakami, N. Kawaguchi, Y. Kangawa, Y. Kumagai, A. Koukitu
physica status solidi (c)
2003年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 0, 7, DOI(公開)(r-map), 2141, 2144 - Hydride vapor phase epitaxy of AlN: thermodynamic analysis of aluminum source and its application to growth
Y. Kumagai, T. Yamane, T. Miyaji, H. Murakami, Y. Kangawa, A. Koukitu
physica status solidi (c)
2003年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 0, 7, DOI(公開)(r-map), 2498, 2501 - Influence of lattice constraint from InN and GaN substrate on relationship between input mole ratio and solid composition of InGaN during MOVPE
Y. Kangawa, T. Ito, Y. Kumagai, A. Koukitu
physica status solidi (c)
2003年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 0, 7, DOI(公開)(r-map), 2575, 2579 - Thermodynamic study on compositional instability of InGaN/GaN and InGaN/InN during MBE
Yoshihiro Kangawa, Tomonori Ito, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Applied Surface Science
2003年06月30日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 216, DOI(公開)(r-map), 453, 457 - Theoretical Investigation of Arsenic Desorption from GaAs(001) Surfaces under an Atmosphere of Hydrogen
Yuriko MATSUO, Yoshihiro KANGAWA, Yoshinao KUMAGAI, Toshiharu IRISAWA, Akinori KOUKITU
Japanese Journal of Applied Physics
2003年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 42, 5A, DOI(公開)(r-map), 2578, 2581 - High Temperature Ramping Rate for GaAs (111)A Substrate Covered with a Thin GaN Buffer Layer for Thick GaN Growth at 1000°C
Yoshinao KUMAGAI, Hisashi MURAKAMI, Yoshihiro KANGAWA, Akinori KOUKITU
Japanese Journal of Applied Physics
2003年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 42, 5B, DOI(公開)(r-map), L526, L528 - Influence of Lattice Constraint from InN and GaN Substrate on Relationship between Solid Composition of InxGa1-xN Film and Input Mole Ratio during Molecular Beam Epitaxy
Yoshihiro KANGAWA, Tomonori ITO, Yoshinao KUMAGAI, Akinori KOUKITU, Norihito KAWAGUCHI
Japanese Journal of Applied Physics
2003年02月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 42, 2A, DOI(公開)(r-map), L95, L98 - Influence of substrate polarity on the low-temperature GaN buffer layer growth on GaAs (111)A and (111)B surfaces
Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Hisashi Seki, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2003年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 247, DOI(公開)(r-map), 245, 250 - Influence of Temperature Ramping Rate on Thick GaN Growth on GaAs (111)A Surfaces
A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Murakami, H. Seki
physica status solidi (c)
2002年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 0, 1, DOI(公開)(r-map), 166, 169 - Thick and high-quality GaN growth on GaAs (111) substrates for preparation of freestanding GaN
Yoshinao Kumagai, Hisashi Murakami, Hisashi Seki, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2002年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 246, DOI(公開)(r-map), 215, 222 - Surface polarity dependence of decomposition and growth of GaN studied using in situ gravimetric monitoring
Akinori Koukitu, Miho Mayumi, Yoshinao Kumagai
Journal of Crystal Growth
2002年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 246, DOI(公開)(r-map), 230, 236 - Vinyltitanium as an Initiator for the Polymerization of Acetylene
Yasuhiro Takagi, Naoko Saeki, Akira Tsubouchi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Takeshi Takeda
Journal of Polymer Science Part A: Polymer Chemistry
2002年08月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 40, 15, DOI(公開)(r-map), 2663, 2669 - Preparation of large GaN substrates
Kensaku Motoki, Takuji Okahisa, Seiji Nakahata, Naoki Matsumoto, Hiroya Kimura, Hitoshi Kasai, Kikurou Takemoto, Koji Uematsu, Masaki Ueno, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Hisashi Seki
Materials Science and Engineering B
2002年05月30日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 93, DOI(公開)(r-map), 123, 130 - Growth and characterization of freestanding GaN substrates
Kensaku Motoki, Takuji Okahisa, Seiji Nakahata, Naoki Matsumoto, Hiroya Kimura, Hitoshi Kasai, Kikurou Takemoto, Koji Uematsu, Masaki Ueno, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu, Hisashi Seki
Journal of Crystal Growth
2002年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 237-239, DOI(公開)(r-map), 912, 921 - Comparison of GaN growth processes on GaAs(111)A and (111)B substrates studied by ab initio calculation
Yuriko Matsuo, Yoshinao Kumagai, Toshiharu Irisawa, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2002年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 237-239, DOI(公開)(r-map), 1084, 1088 - Influence of lattice polarity on wurtzite GaN{0001} decomposition as studied by in situ gravimetric monitoring method
Miho Mayumi, Fumitaka Satoh, Yoshinao Kumagai, Kikurou Takemoto, Akinori Koukitu
Journal of Crystal Growth
2002年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 237-239, DOI(公開)(r-map), 1143, 1147 - A quadratic convergence method for MOVPE thermodynamic analysis
Takahiro Hasegawa, Akinori Koukitu, Yoshinao Kumagai
Journal of Crystal Growth
2002年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 237-239, DOI(公開)(r-map), 1603, 1609 - Comparison of GaN Buffer Layers Grown on GaAs (111)A and (111)B Surfaces
Y. KUMAGAI, H. MURAKAMI, H. SEKI, A. KOUKITU
physica status solidi (a)
2001年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 188, 2, DOI(公開)(r-map), 549, 552 - Ab initio Calculations of GaN Initial Growth Processes on GaAs(111)A and GaAs(111)B Surfaces
Y. MATSUO, Y. KUMAGAI, T. IRISAWA, A. KOUKITU
physica status solidi (a)
2001年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 188, 2, DOI(公開)(r-map), 553, 556 - Transmission Electron Microscope Analysis of Microstructures in GaN Grown on (111)A and (111)B of GaAs by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy
T. MITATE, Y. SONODA, K. OKI, N. KUWANO, Y. KUMAGAI, H. MURAKAMI, A. KOUKITU
physica status solidi (a)
2001年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 188, 2, DOI(公開)(r-map), 557, 560 - Influence of Polarity on Surface Reaction between GaN{0001} and Hydrogen
M. MAYUMI, F. SATOH, Y. KUMAGAI, K. TAKEMOTO, A. KOUKITU
physica status solidi (b)
2001年11月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 228, 2, DOI(公開)(r-map), 537, 541 - Thermodynamics on tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN and InxGa1-xN using GaCl3 and InCl3
Yoshinao Kumagai, Kikurou Takemoto, Takahiro Hasegawa, Akinori Koukitu, Hisashi Seki
Journal of Crystal Growth
2001年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 231, DOI(公開)(r-map), 57, 67 - In Situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate from GaN (0001) and (000-1) Surfaces Using Freestanding GaN
Miho MAYUMI, Fumitaka SATOH, Yoshinao KUMAGAI, Akinori KOUKITU
Japanese Journal of Applied Physics
2001年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 40, 7A, DOI(公開)(r-map), L654, L656 - Preparation of Large Freestanding GaN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy Using GaAs as a Starting Substrate
Kensaku MOTOKI, Takuji OKAHISA, Naoki MATSUMOTO, Masato MATSUSHIMA, Hiroya KIMURA, Hitoshi KASAI, Kikurou TAKEMOTO, Koji UEMATSU, Tetsuya HIRANO, Masahiro NAKAYAMA, Seiji NAKAHATA, Masaki UENO, Daijirou HARA, Yoshinao KUMAGAI, Akinori KOUKITU, Hisashi SEKI
Japanese Journal of Applied Physics
2001年02月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 40, 2B, DOI(公開)(r-map), L140, L143 - Thermodynamics on halide vapor-phase epitaxy of InN using InCl and InCl3
Yoshinao Kumagai, Kikurou Takemoto, Akinori Koukitu, Hisashi Seki
Journal of Crystal Growth
2001年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 222, DOI(公開)(r-map), 118, 124 - Thermodynamic analysis of the MOVPE growth of InGaAlN quaternary alloy
Akinori Koukitu, Yoshinao Kumagai, Hisashi Seki
Journal of Crystal Growth
2000年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 221, DOI(公開)(r-map), 743, 750 - Investigation of Hydrogen Chemisorption on GaAs (111)A Ga Surface by In Situ Monitoring and Ab Initio Calculation
Yuriko MATSUO, Mikihiko NIMURA, Akinori KOUKITU, Yoshinao KUMAGAI, Hisashi SEKI, Seiichi TAKAMI, Momoji KUBO, Akira MIYAMOTO
Japanese Journal of Applied Physics
2000年11月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 39, 11, DOI(公開)(r-map), 6174, 6179 - Thermodynamic Analysis of the MOVPE Growth of InAlN
A. KOUKITU, Y. KUMAGAI, H. SEKI
physica status solidi (a)
2000年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 180, DOI(公開)(r-map), 115, 120 - Growth of Thick Hexagonal GaN Layer on GaAs (111)A Surfaces for Freestanding GaN by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy
Yoshinao KUMAGAI, Hisashi MURAKAMI, Akinori KOUKITU, Kikurou TAKEMOTO, Hisashi SEKI
Japanese Journal of Applied Physics
2000年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 39, 7B, DOI(公開)(r-map), L703, L706 - In Situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate from GaN Epitaxial Surface
Miho MAYUMI, Fumitaka SATOH, Yoshinao KUMAGAI, Kikurou TAKEMOTO, Akinori KOUKITU
Japanese Journal of Applied Physics
2000年07月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 39, 7B, DOI(公開)(r-map), L707, L709 - In situ gravimetric monitoring of halogen transport atomic layer epitaxy of cubic-GaN
Yoshinao Kumagai, Miho Mayumi, Akinori Koukitu, Hisashi Seki
Applied Surface Science
2000年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 159/160, DOI(公開)(r-map), 427, 431 - Investigation of Substrate Orientation Dependence for the Growth of GaN on GaAs (111)A and (111)B Surfaces by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor-Phase Epitaxy
Yoshinao KUMAGAI, Akinori KOUKITU, Hisashi SEKI
Japanese Journal of Applied Physics
2000年02月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 39, 2B, DOI(公開)(r-map), L149, L151 - Thermodynamic Analysis on the MOVPE Growth of Nitride Semiconductors Using Hydrazine
A. KOUKITU, Y. KUMAGAI, N. KUBOTA, H. SEKI
physica status solidi (b)
1999年11月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 216, DOI(公開)(r-map), 707, 712 - Halogen-Transport Atomic-Layer Epitaxy of Cubic GaN Monitored by In Situ Gravimetric Method
Akinori KOUKITI, Yoshinao KUMAGAI, Tetsuya TAKI, Hisashi SEKI
Japanese Journal of Applied Physics
1999年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 38, 9A, DOI(公開)(r-map), 4980, 4982 - Si(001) surface variation with annealing in ambient H2
T. Komeda, Y. Kumagai
Physical Review B
1998年07月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 58, 3, DOI(公開)(r-map), 1385, 1391 - Formation of periodic step and terrace structure on Si (100) surface during annealing in hydrogen diluted with inert gas
Y. Kumagai, K. Namba, T. Komeda, Y. Nishioka
Journal of Vacuum Science & Technology A
1998年05月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 16, 3, DOI(公開)(r-map), 1775, 1778 - Si Molecular Beam Epitaxial Growth over an Atomic-Layer Boron Adsorbed Si(001) Substrate and Its Electrical Properties
Takashi SUEMASU, Masaki YAMAMOTO, Ken'ichiro TAKAKURA, Satoshi HASHIMOTO, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1997年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 36, 12A, DOI(公開)(r-map), 7146, 7151 - Aggregation of Monocrystalline b-FeSi2 by Annealing and by Si Overlayer Growth
Takashi SUEMASU, Masaya TANAKA, Tetsuo FUJII, Satoshi HASHIMOTO, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1997年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 36, 9A/B, DOI(公開)(r-map), L1225, L1228 - Reactive deposition epitaxial growth of b-FeSi2 layers on Si(001)
M. Tanaka, Y. Kumagai, T. Suemasu, F. Hasegawa
Applied Surface Science
1997年06月02日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 117/118, DOI(公開)(r-map), 303, 307 - Formation of β-FeSi2 Layers on Si(001) Substrates
Masaya TANAKA, Yoshinao KUMAGAI, Takashi SUEMASU, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1997年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 36, 6A, DOI(公開)(r-map), 3620, 3624 - Stability of Si(111)√3×√3R30°-B Surface in Air
Ryosuke MORI, Yoshinao KUMAGAI, Masaya TANAKA, Masaki YAMAMOTO, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1996年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 35, 4B, DOI(公開)(r-map), L465, L467 - 4-Monolayer-Height Layer-by-Layer Growth and Increase of the Critical Thickness of Ge Heteroepitaxy on Boron-Preadsorbed Si(111) Surface
Yoshinao KUMAGAI, Kouichi ISHIMOTO, Ryosuke MORI, Keh-Ming TEE, Takayuki ISHIBASHI, Mitsuo KAWABE, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1996年04月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 35, 4B, DOI(公開)(r-map), L476, L478 - Growth Temperature Dependence of Boron Surface Segregation and Electrical Properties of Boron Delta-Doped Structures Grown by Si Molecular Beam Epitaxy
Yoshinao KUMAGAI, Ryosuke MORI, Kouichi ISHIMOTO, Kyung-ho PARK, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1995年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 34, 9A, DOI(公開)(r-map), 4593, 4598 - Comparison of Planar to Columnar Transformation of PtSi Layers on Si(001) and Si(111) Substrates in the Si Capping Layer Growth Process
Yoshinao KUMAGAI, Kouichi ISHIMOTO, Satoshi HASHIMOTO, Kyung-ho PARK, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1995年09月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 34, 9A, DOI(公開)(r-map), 4621, 4626 - Temperature dependence of boron surface segregation in Si molecular beam epitaxial growth on the Si(111)√3×√3-B surface
Yoshinao Kumagai, Kouichi Ishimoto, Ryosuke Mori, Fumio Hasegawa
Journal of Crystal Growth
1995年05月01日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 150, DOI(公開)(r-map), 989, 993 - Influence of Boron Adsorption over Si(111) Surface on Si Molecular Beam Epitaxial Growth Studied by Reflection High-Energy Electron Diffraction
Yoshinao KUMAGAI, Ryosuke MORI, Kouichi ISHIMOTO, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1994年06月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 33, 6B, DOI(公開)(r-map), L817, L819 - Planar to columnar transformation of PtSi in the epitaxial growth process of Si/PtSi/Si(111) double heterostructures
Y. Kumagai, F. Hasegawa, K. Park
Journal of Applied Physics
1994年03月15日, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 75, 6, DOI(公開)(r-map), 3211, 3213 - Temperature Dependence of Boron Adsorption during HBO2 Irradiation on Si(111) Surface Evaluated by Reflection High-Energy Electron Diffraction
Yoshinao KUMAGAI, Kouichi ISHIMOTO, Ryosuke MORI, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1994年01月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 33, 1A, DOI(公開)(r-map), L1, L4 - Microstructure Analysis of Agglomerated Epitaxial Columns of Si/PtSi/Si(111) Double Heterostructure
Kyung-Ho Park, Y. Kumagai, F. Hasegawa
Materials Research Society Symposium Proceedings
1994年01月, 研究論文（国際会議プロシーディングス）, 共同, 320, DOI(公開)(r-map), 403, 408 - Reflection High-Energy Electron Diffraction Intensity Oscillations during Si MBE Growth on HF-Treated Si(111) Surface
Yoshinao KUMAGAI, Kunihiro FUJII, Hisashi MATSUMOTO, Fumio HASEGAWA
Japanese Journal of Applied Physics
1992年08月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 31, 8A, DOI(公開)(r-map), L1103, L1105 - Low-Temperature Formation of the PtSi Layer by Codeposition of Pt and Si in a Molecular Beam Epitaxy System
Kunihiro FUJII, Hiroyuki KANAYA, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA, Eiso YAMAKA
Japanese Journal of Applied Physics
1991年03月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 30, 3B, DOI(公開)(r-map), L455, L457 - Influence of the Surface Condition on the Thermal Relaxation of Strained SiGe Molecular Beam Epitaxy Layers
Hiroyuki KANAYA, Kunihiro FUJII, Yukiko CHO, Yoshinao KUMAGAI, Fumio HASEGAWA, Eiso YAMAKA
Japanese Journal of Applied Physics
1990年12月, 研究論文（学術雑誌）, 共同, 29, 12, DOI(公開)(r-map), L2143, L2145
著書
- 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
村上尚，熊谷義直
β型酸化ガリウム結晶の高純度成長法
株式会社エヌ・ティー・エス
2022年 - Gallium Oxide – Materials Properties, Crystal Growth, and Devices
Masataka Higashiwaki and Shizuo Fujita
Halide Vapor Phase Epitaxy 1 – Homoepitaxial Growth of β-Ga2O3 on β-Ga2O3 Substrates
Springer
2020年 - Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Materials
Meiyong Liao, Bo Shen, Zhanguo Wang
Defects and impurities in β-Ga2O3
Elsevier
2019年 - ポストシリコン半導体 －ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果－
熊谷義直，纐纈明伯
ハイドライド気相成長法 ～InNを事例として～
株式会社エヌ・ティー・エス
2013年06月 - 2013化合物半導体技術大全
熊谷義直
AlN基板・応用デバイス
電子ジャーナル
2013年01月 - サイエンス＆テクノロジー
纐纈明伯，熊谷義直，村上尚
GaNパワーデバイスの技術展開
サイエンス＆テクノロジー
2012年04月 - Springer Handbook of Crystal Growth
Carl Hemmingsson, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
Growth of III-Nitrides with Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE)
Springer
2010年07月 - Springer Series in Materials Science 133, Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
Akinori Koukitu and Yoshinao Kumagai
Hydride Vapor Phase Epitaxy of GaN
Springer
2010年03月 - 熱力学解析による化合物半導体の気相成長
纐纈明伯，熊谷義直
アグネ技術センター
2009年11月 - 窒化物基板および格子整合基板の成長とデバイス特性
纐纈明伯，熊谷義直
窒化ガリウムのハイドライド気相成長
シーエムシー出版
2009年10月 - 2009化合物半導体技術大全
熊谷義直
AlN基板・応用デバイス
電子ジャーナル
2009年02月 - Crystal and Epitaxial Growth Vol. 1
Yoshinao KUMAGAI, Kikurou TAKEMOTO, Hisashi SEKI, Akinori KOUKITU
THICK AND HIGH QUALITY GaN GROWTH ON GaAs (111)A SURFACES FOR PREPARATION OF FREESTANDING GaN SUBSTRATES
The Stefan University Press
2002年12月
研究発表、招待講演等
- 酸化ガリウム薄膜エピタキシャル成長技術の進展
日本物理学会2025年春季大会
2025年03月18日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE成長Si添加ホモエピタキシャルAlNの発光特性
第72回応用物理学会春季学術講演会
2025年03月16日, 口頭発表（一般） - 減圧ホットウォールMOCVD成長したSiドープGa2O3薄膜の電気的特性に対する高温アニール処理の影響
第72回応用物理学会春季学術講演会
2025年03月16日, 口頭発表（一般） - 窒素ドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層のHVPE成長
第72回応用物理学会春季学術講演会
2025年03月16日, 口頭発表（一般） - Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Trench Staircase Field Plate
第72回応用物理学会春季学術講演会
2025年03月15日, 口頭発表（招待・特別） - MOVPE法によるβ-Ga2O3成長とパワーデバイス用ホモエピウェハの開発
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会第20回研究会「化合物半導体結晶成長の新展開」
2025年03月06日, 口頭発表（招待・特別） - Fabrication and Electrical Characteristics of Ga2O3 FinFETs on β-Ga2O3 (010) Substrates with on-axis (100)-plane Gate Sidewalls
先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2025
2025年01月10日, ポスター発表 - β-Ga2O3ホモエピタキシャル成長用基板表面のin situガスエッチング
先端ICTデバイスラボ・コラボレーションミーティング2025
2025年01月10日, ポスター発表 - HVPE法によるNドープβ-Ga2O3ホモエピタキシャル層成長の検討
応用物理学会結晶工学分科会主催第3回結晶工学講演会
2024年11月22日, ポスター発表 - HVPE法によるβ-Ga2O3成長におけるGaCl先行供給の効果
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）
2024年11月20日, 口頭発表（一般） - 固体AlCl3を用いたHVPE法によるAlNの高速ホモエピタキシャル成長
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）
2024年11月20日, 口頭発表（一般） - 熱力学解析を用いたMBE法による(AlxGa1-x)2O3混晶成長の検討
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）
2024年11月19日, 口頭発表（一般） - テトラメチルシランを用いたSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル層のMOVPE成長
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）
2024年11月19日, 口頭発表（一般） - β-(AlxGa1-x)2O3のMOVPE成長のためのTMGaおよびTMAlの熱分解・燃焼挙動の調査
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）
2024年11月19日, 口頭発表（一般） - MOVPE法によるパワーデバイス向けβ-Ga2O3ホモエピウェハの開発
第53回結晶成長国内会議（JCCG-53）
2024年11月18日, 口頭発表（招待・特別） - Growth of β-Ga2O3 Layers Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)
2024年10月03日, 口頭発表（招待・特別） - Mass spectrometric analysis of vapor phase reactions for epitaxial growth of group-III sesquioxides
43rd Electronic Materials Symposium (EMS-43)
2024年10月03日, ポスター発表 - Temperature Dependence Analysis for β-Ga2O3 Studied by Terahertz Time-Domain Spectroscopy
第85回応用物理学会秋季学術講演会
2024年09月18日, 口頭発表（一般） - トリメチルガリウム系MOVPEによるβ-Ga2O3成長メカニズムの調査
第85回応用物理学会秋季学術講演会
2024年09月18日, 口頭発表（一般） - MOVPE法によるSiドープβ-Ga2O3(010)ホモエピタキシャル成長
第85回応用物理学会秋季学術講演会
2024年09月18日, 口頭発表（一般） - High-speed growth of thick high-purity β-Ga2O3 layers by low-pressure hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
E-MRS 2024 Fall Meeting
2024年09月16日, 口頭発表（招待・特別） - Effects of Nitrogen Radical Irradiation to Ga2O3 (100) Surface and Its Application to Vertical Ga2O3 FinFETs
The 23rd International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE2024)
2024年09月10日, 口頭発表（一般） - Temperature Dependence of Conductivity Properties of Epitaxial Beta-Gallium Oxide Evaluated in Terahertz Region
The 49th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2024)
2024年09月03日, 口頭発表（一般） - Vertical Ga2O3 (010) FinFETs with (100) Sidewalls Treated by Nitrogen Radical Irradiation
15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
2024年08月27日, 口頭発表（招待・特別） - Off-Angle Dependence of Homoepitaxial Growth on (010) β-Ga2O3 Substrate
The 7th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2024)
2024年08月07日, 口頭発表（一般） - Growth and Carrier Density Control of Si-Doped β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers by MOVPE Using Tetramethylsilane as Doping Gas
The 7th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2024)
2024年08月06日, 口頭発表（一般） - High-Speed Growth of High-Purity β-Ga2O3 Layers by MOVPE
The 7th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2024)
2024年08月06日, 口頭発表（招待・特別） - High resolution process gas monitoring by infiTOF to shed light on the growth process of β-Ga2O3 by MOVPE
72nd ASMS Conference on Mass Spectrometry and Allied Topics (ASMS2024)
2024年06月03日, ポスター発表 - 有機金属気相成長法による高純度β-Ga2O3厚膜の高速成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2024年05月31日, ポスター発表 - 非水素系におけるトリメチルガリウムの熱分解およびβ-Ga2O3成長挙動の調査
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2024年05月30日, ポスター発表 - β-Ga2O3(010)オフ基板上ホモエピタキシャル成長における表面形態改善メカニズム
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2024年05月30日, ポスター発表 - Ga2O3 FinFETs with on-axis (100)-plane Gate Sidewalls Fabricated on β-Ga2O3 (010) Substrates
The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024)
2024年05月30日, 口頭発表（一般） - Investigation of electrical properties of unintentionally doped Ga2O3 thin films grown by low-pressure hot-wall MOCVD
The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024)
2024年05月29日, ポスター発表 - Thermodynamic analysis of (AlxGa1-x)2O3 growth by molecular beam epitaxy
The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024)
2024年05月29日, 口頭発表（一般） - Growth of Si-doped β-Ga2O3 thick layers by low-pressure hot-wall MOVPE using tetramethylsilane as a doping gas
The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024)
2024年05月28日, 口頭発表（一般） - Vapor-phase epitaxial growth of gallium-oxide using Ga halides as source gases
The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2024)
2024年05月27日, 口頭発表（招待・特別） - Using solid AlCl3 for homoepitaxial growth of thick AlN layers by HVPE
The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2024)
2024年04月25日, 口頭発表（一般） - 減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電気的特性（２）
第71回応用物理学会春季学術講演会
2024年03月25日, 口頭発表（一般） - 減圧ホットウォールMOCVD成長したノンドープGa2O3薄膜の電気的特性（１）
第71回応用物理学会春季学術講演会
2024年03月25日, 口頭発表（一般） - Ga2O3 (010) FinFETs with On-Axis (100) Gate Sidewalls
第71回応用物理学会春季学術講演会
2024年03月25日, 口頭発表（一般） - MBE法による(AlxGa1-x)2O3結晶成長の熱力学的検討
第71回応用物理学会春季学術講演会
2024年03月23日, 口頭発表（一般） - 減圧ホットウォールMOVPE法による高純度ベータ酸化ガリウム厚膜の高速成長及びデバイス応用に向けた今後の展望
第71回応用物理学会春季学術講演会
2024年03月23日, 口頭発表（招待・特別） - Development of vertical Ga2O3 power devices and their processing technologies
8th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2024 (IEEE EDTM 2024)
2024年03月05日, 口頭発表（招待・特別） - Vertical Ga2O3 (010) FinFETs
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices 2024 (WOCSEMMAD 2024)
2024年02月21日, 口頭発表（一般） - MOVPE法による高純度β-Ga2O3ホモエピタキシャル層の成長
先端ICTデバイスラボ コラボレーションミーティング 2024
2024年01月19日, ポスター発表 - β-Ga2O3電子デバイス開発の進展
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会第15回研究会「ワイドギャップパワー半導体：β-Ga2O3とダイヤモンド」
2024年01月12日, 口頭発表（招待・特別） - THVPE法によるパーティクルフリーβ-Ga2O3ホモエピタキシャル成長
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会第15回研究会「ワイドギャップパワー半導体：β-Ga2O3とダイヤモンド」
2024年01月12日, 口頭発表（招待・特別） - High-speed growth of thick AlN homoepitaxial layers by HVPE for mass production of high-quality AlN wafers
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
2023年11月17日, 口頭発表（招待・特別） - Homoepitaxial growth of thick AlN layers by HVPE using solid AlCl3
14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14)
2023年11月14日, 口頭発表（一般） - III族酸化物半導体結晶成長の熱力学的検討
薄膜材料デバイス研究会第20回研究集会「薄膜材料デバイス研究会が見据える次世代技術・未来デバイス」
2023年11月10日, 口頭発表（招待・特別） - テラヘルツ分光によるエピタキシャルβ-Ga2O3の温度特性
日本赤外線学会第32回研究会
2023年11月09日, ポスター発表 - Development of a mass-production HVPE system and demonstration of beta-Ga2O3 growth on a 6-inch sapphire substrate
42nd Electronic Materials Symposium (EMS-42)
2023年10月13日, ポスター発表 - Temperature dependence of the anisotropic dielectric properties of semi-insulating β-Ga2O3 in the terahertz region,
48th Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2023)
2023年09月21日, ポスター発表 - HVPE法によるβ-Ga2O3(010)基板上Siドープβ-Ga2O3層の成長
第84回応用物理学会秋季学術講演会
2023年09月20日, 口頭発表（一般） - β-Ga2O3(010)基板上ホモエピタキシャル成長の基板オフ角依存性
第84回応用物理学会秋季学術講演会
2023年09月20日, 口頭発表（一般） - AlNのHVPEホモエピタキシャル成長におけるV/III比の影響
第84回応用物理学会秋季学術講演会
2023年09月20日, 口頭発表（一般） - ホットウォール有機金属気相成長法による2インチ基板上高純度β-Ga2O3厚膜の高速成長
第84回応用物理学会秋季学術講演会
2023年09月19日, 口頭発表（一般） - 低転位密度・高深紫外光透過率AlN基板の気相成長
一般社団法人ワイドギャップ半導体学会（WideG）特別公開シンポジウム「各種バルク材料の成長・合成の最前線」
2023年09月08日, 口頭発表（招待・特別） - Fast Growth and Characterization of Undoped β-Ga2O3 on 2-Inch Substrates Using a Horizontal Hot-Wall MOVPE System
The 6th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2023)
2023年08月15日, 口頭発表（一般） - High-rate growth of pure β-Ga2O3 thick layers on 2-inch-diameter substrates by hot-wall metalorganic vapor phase epitaxy
The 20th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE20)
2023年08月03日, ポスター発表 - MOVPE法による高純度β-Ga2O3結晶成長の化学反応メカニズム
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2023年06月16日, 口頭発表（招待・特別） - β-Ga2O3(010)オフ基板を用いたホモエピタキシャル成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2023年06月16日, ポスター発表 - 高分解能質量分析によるトリエチルガリウムとジエチルガリウムエトキシドの熱分解・燃焼メカニズムの比較
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2023年06月15日, ポスター発表 - HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長におけるV/III比の影響
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2023年06月15日, ポスター発表 - HVPE法による縦型Ga2O3デバイス用高純度高速エピ成長
応用物理学会 応用電子物性分科会／結晶工学分科会 合同研究会「次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線」
2023年06月13日, 口頭発表（招待・特別） - ベータ酸化ガリウムデバイス開発の最近の進展
応用物理学会 応用電子物性分科会／結晶工学分科会 合同研究会「次世代ワイドギャップパワーデバイスの最前線」
2023年06月12日, 口頭発表（招待・特別） - Ion Implantation Doping Technology for Ga2O3 and Its Application to Device Fabrication
21st International Workshop on Junction Technology 2023 (IWJT2023)
2023年06月08日, 口頭発表（招待・特別） - 炉内ガス種の熱力学解析に基づいたAlNの超高速気相成長の実現
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会第12回研究会「相平衡図とバルク結晶成長」
2023年05月18日, 口頭発表（招待・特別） - 多光子励起過程を利用したβ-Ga2O3の時間分解フォトルミネッセンス分光
第70回応用物理学会春季学術講演会
2023年03月16日, 口頭発表（一般） - 飛行時間型質量分析器を用いたβ-Ga2O3有機金属気相成長のその場解析
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2022年11月24日, ポスター発表 - HVPE法によるβ-Ga2O3(010)基板上へのNドープ層のホモエピタキシャル成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2022年11月24日, ポスター発表 - トリエチルガリウムまたはジエチルガリウムエトキシドを用いた有機金属気相成長法によるβ-Ga2O3成長の比較
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第14回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2022年11月24日, ポスター発表 - Thermodynamic analysis of group-III sesquioxide growth by molecular beam epitaxy
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月26日, 口頭発表（一般） - Characterization of electrical properties of β-Ga2O3 epilayer using terahertz time-domain ellipsometry
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月25日, ポスター発表 - Three-dimensional feature of nanopipes in EFG-grown (010) β-Ga2O3 crystal characterized by multiphoton-excitation photoluminescence
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月25日, ポスター発表 - Gallium vacancy in β-Ga2O3: An electron paramagnetic resonance and theoretical study
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月25日, 口頭発表（一般） - Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist CVD
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月24日, ポスター発表 - Temperature dependence of homoepitaxial layer growth by MOVPE on (010) β-Ga2O3 substrate
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月24日, ポスター発表 - Comparison of metalorganic vapor phase epitaxy of β-Ga2O3 using triethylgallium and diethylgallium ethoxide
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月24日, ポスター発表 - Time-of-flight mass spectrometric study of Ga2O3 growth system in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月24日, ポスター発表 - Growth of β-Ga2O3 layers on a 6-inch wafer using halide vapor-phase epitaxy
The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO 2022)
2022年10月24日, ポスター発表 - Temperature dependence of carrier concentration and Hall mobility in alpha-In2O3 films grown by mist CVD method
41st Electronic Materials Symposium (EMS-41)
2022年10月19日, ポスター発表 - Mist CVD法により成長したα-In2O3薄膜のキャリア濃度とホール移動度の温度依存性
第83回応用物理学会秋季学術講演会
2022年09月21日, 口頭発表（一般） - 飛行時間型質量分析によるβ-Ga2O3の有機金属気相成長の解析
第83回応用物理学会秋季学術講演会
2022年09月21日, 口頭発表（一般） - MOVPE法によるβ-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長の成長温度依存性
第83回応用物理学会秋季学術講演会
2022年09月20日, 口頭発表（一般） - トリエチルガリウムおよびジエチルガリウムエトキシドをⅢ族原料に用いたβ-Ga2O3のMOVPE成長の比較
第83回応用物理学会秋季学術講演会
2022年09月20日, 口頭発表（一般） - MBE法によるⅢ族セスキ酸化物結晶成長の熱力学的検討
第83回応用物理学会秋季学術講演会
2022年09月20日, 口頭発表（一般） - Ga2O3 device physics and engineering for power electronics and new directions
15th Asia Pacific Physics Conference (APPC15)
2022年08月25日, 口頭発表（招待・特別） - Ga2O3 Device Technologies: Power Switching and High-Frequency Applications, and Beyond
The 5th U.S. Gallium Oxide Workshop (GOX 2022)
2022年08月08日, 口頭発表（基調） - β-Ga2O3結晶の気相エピタキシャル成長の現状と展望
化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会主催 第36回シンポジウム「ワイドバンドギャップ新材料の開拓」
2022年07月01日, 口頭発表（招待・特別） - Effect of Off-Axis Angle of C-Plane Sapphire Substrate for Cubic In2O3(111) Single-Crystal Layer Growth by Halide Vapor Phase Epitaxy
2022 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit
2022年05月23日, 口頭発表（一般） - 3D Imaging of β-Ga2O3 Crystal Using Multiphoton-Excitation Photoluminescence
2022 MRS Spring Meeting & Exhibit
2022年05月13日, 口頭発表（一般） - Investigation of dislocations in AlN layers grown on sapphire and PVT-AlN substrates
The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2022)
2022年04月22日, 口頭発表（招待・特別） - Modification of thermodynamic analysis model for HVPE growth of GaN at high temperatures
The 9th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2022)
2022年04月21日, ポスター発表 - EFG成長(010)β-Ga2O3結晶中のナノパイプの三次元形状
第69回応用物理学会春季学術講演会
2022年03月25日, 口頭発表（一般） - Vertical Trench Field-Plated Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
第69回応用物理学会春季学術講演会
2022年03月22日, 口頭発表（一般） - GaN高温HVPE成長のための熱力学解析モデルの修正
第69回応用物理学会春季学術講演会
2022年03月22日, 口頭発表（一般） - Ga2O3イオン注入ドーピング技術とそのデバイス応用
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会第6回研究会「R032委員会キックオフ研究会：ワイドギャップ半導体Ⅱ」
2022年03月04日, 口頭発表（招待・特別） - Investigation of MOVPE growth for beta gallium oxide by thermodynamic and experimental studies
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity (IWSingularity 2022)
2022年01月13日, 口頭発表（招待・特別） - 高品質β-Ga2O3結晶のエピタキシャル成長技術
独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第173回研究会「ワイドギャップ半導体Ga2O3結晶成長と評価、デバイス応用の最前線」
2021年12月08日, 口頭発表（招待・特別） - 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶のナノパイプ観察
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2021年12月02日, ポスター発表 - 有機金属気相成長法によるβ-Ga2O3成長の熱力学解析および実験的考察
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2021年12月02日, ポスター発表 - β-Ga2O3 (011)基板上へのSiドープβ-Ga2O3層成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2021年12月02日, ポスター発表 - サファイア基板上へのHVPE c-In2O3(111)成長における基板オフ角の影響
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第13回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2021年12月02日, ポスター発表 - MOVPE法によるβ-Ga2O3薄膜成長の検討
第50回結晶成長国内会議（JCCG-50）
2021年10月27日, 口頭発表（招待・特別） - MOVPE法を用いたβ-Ga2O3成長の熱力学解析とその実験的検証
第82回応用物理学会秋季学術講演会
2021年09月13日, 口頭発表（一般） - Nondestructive Characterization of Carrier Density and Mobility in β-Ga2O3 Using Terahertz Waves
第82回応用物理学会秋季学術講演会
2021年09月13日, 口頭発表（一般） - 多光子励起フォトルミネッセンス法によるβ-Ga2O3結晶の三次元イメージング
第82回応用物理学会秋季学術講演会
2021年09月12日, 口頭発表（一般） - Investigation of OMVPE growth for beta gallium oxide by thermodynamic and experimental studies
22nd American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-22) and 20th US Workshop on Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE-20)
2021年08月03日, 口頭発表（一般） - Terahertz time-domain spectroscopy of wide-bandgap semiconductors GaN and β-Ga2O3
The 12th International Conference on Information Optics and Photonics (CIOP 2021)
2021年07月25日, 口頭発表（招待・特別） - β酸化ガリウムの気相エピタキシャル成長の現状と展望
独立行政法人日本学術振興会R032産業イノベーションのための結晶成長委員会第1回研究会「R032委員会キックオフ研究会：結晶作製」
2021年07月09日, 口頭発表（招待・特別） - AlN単結晶上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の発光特性
第68回応用物理学会春季学術講演会
2021年03月19日, 口頭発表（一般） - GaCl-O2系HVPE法によるβ-Ga2O3成長における過剰Cl2供給効果
第68回応用物理学会春季学術講演会
2021年03月19日, 口頭発表（招待・特別） - 酸化物半導体結晶Ga2O3およびIn2O3の準安定相発現機構の検討
第68回応用物理学会春季学術講演会
2021年03月18日, 口頭発表（招待・特別） - High-temperature growth of high-purity AlN layers on AlN substrates by HVPE
2021 Photonics West
2021年03月06日, 口頭発表（招待・特別） - Mass production of AlN substrates by high speed homoepitaxial growth
2021 Photonics West
2021年03月06日, 口頭発表（招待・特別） - Growth of stable and/or metastable phases of Ga2O3 and In2O3 by halide vapor phase epitaxy and mist chemical vapor deposition
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
2021年03月02日, 口頭発表（一般） - Epitaxial mist chemical vapor deposition growth and characterization of α-In2O3 films on α-Al2O3 substrates
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
2021年03月02日, 口頭発表（一般） - Thermodynamic study of etching characteristics of HVPE-grown In2O3 layers by hydrogen-environment anisotropic thermal etching
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
2021年03月02日, 口頭発表（一般） - Thermodynamic study and growth demonstration of Ga2O3 by HVPE using GaCl and GaCl3 as Ga precursors
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8)
2021年03月01日, 口頭発表（一般） - Thermodynamic and experimental study of β-Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy for fabrication of epitaxial wafers for power device applications
International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 (ISWGPDs 2021)
2021年01月21日, 口頭発表（基調） - ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3高品質ホモエピタキシャル層の高速成長と導電性制御
第72回CVD研究会
2020年12月18日, 口頭発表（招待・特別） - Halide Vapor Phase Epitaxy of Group-III Sesquioxides
2020 Virtual MRS Spring Meeting & Exhibit
2020年12月01日, 口頭発表（招待・特別） - Electrical properties of β-Ga2O3 homoepitaxial layer measured by terahertz time-domain spectroscopy
45th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2020)
2020年11月09日, ポスター発表 - Aperture-Limited Conduction from Acceptor Diffusion in Current Aperture Vertical β-Ga2O3 MOSFETs
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2020)
2020年09月28日, 口頭発表（一般） - イオン注入ドーピングプロセスを用いた縦型β-Ga2O3パワートランジスタ開発
応用物理学会先進パワー半導体分科会第17回研究会「次世代パワー半導体Ga2O3とダイヤモンドの進展」
2020年09月24日, 口頭発表（招待・特別） - Aperture-Limited Conduction in Vertical β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Implanted Current Blocking Layer
第81回応用物理学会秋季学術講演会
2020年09月11日, 口頭発表（一般） - 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性の熱力学的検討
第81回応用物理学会秋季学術講演会
2020年09月09日, 口頭発表（一般） - Fundamentals and Process Technologies of Current Aperture Vertical Ga2O3 MOSFETs
237th ECS Meeting
2020年05月11日, 口頭発表（招待・特別） - Thermodynamic analysis of metalorganic vapor phase epitaxy of group-III sesquioxides
The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
2020年04月21日, ポスター発表 - Thermodynamic study of (AlxGa1-x)2O3 ternary alloy growth by metalorganic vapor phase epitaxy
The 8th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA 2020)
2020年04月21日, ポスター発表 - Vertical Gallium Oxide Transistors with Current Aperture Formed Using Nitrogen-Ion Implantation Process
4th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2020 (EDTM 2020)
2020年04月06日, 口頭発表（招待・特別） - PVT成長AlN上にHVPE成長させたSi添加AlN基板の陰極線蛍光評価
第67回応用物理学会春季学術講演会
2020年03月15日, 口頭発表（一般） - 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In2O3成長層のエッチング特性評価
第67回応用物理学会春季学術講演会
2020年03月13日, 口頭発表（一般） - Recent progress of thick GaN and InGaN growth via HVPE and THVPE
2020 Photonics West
2020年02月05日, 口頭発表（招待・特別） - Vertical Ga2O3 transistors based on ion implantation doping technology
2020 Photonics West
2020年02月04日, 口頭発表（招待・特別） - Charge trapping and degradation of Ga2O3 isolation structures for power electronics
2020 Photonics West
2020年02月04日, 口頭発表（一般） - Current status of halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 and related sesquioxides
2020 Photonics West
2020年02月03日, 口頭発表（招待・特別） - Nitrogen Doping of Gallium Oxide by Ion Implantation and its Application to Vertical Transistors
47th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-47)
2020年01月22日, 口頭発表（招待・特別） - Vertical Ga2O3 MOSFETs Fabricated by Ion Implantation Process
2019 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2019)
2019年12月04日, 口頭発表（招待・特別） - Influence of substrate constraint on the emergence of metastable α-Ga2O3
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
2019年11月14日, ポスター発表 - Investigation of Etching Characteristics of HVPE-Grown In2O3 Layers by Hydrogen-Environment Anisotropic Thermal Etching
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
2019年11月14日, ポスター発表 - Phonons, free charge carriers, excitons and band-to-band transitions in beta Ga2O3 and related alloys determined by ellipsometry and optical Hall effect
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
2019年11月13日, 口頭発表（招待・特別） - Study on halide vapor phase epitaxy growth of twin-free cubic-indium oxide and its carrier properties
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
2019年11月12日, 口頭発表（一般） - Comparison of thermodynamics on growth of In2O3 and Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy using mono- and tri-halides
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
2019年11月11日, ポスター発表 - Homoepitaxial growth of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy for the preparation of epitaxial wafers for vertical power device application
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS 2019)
2019年11月11日, 口頭発表（招待・特別） - Development of Vertical Ga2O3 Power Transistors
The 5th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2019)
2019年11月06日, 口頭発表（招待・特別） - ハライド気相成長法を用いたβ-Ga2O3ホモエピタキシャルウェハ量産技術の確立
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
2019年11月01日, 口頭発表（招待・特別） - THVPE法によるIII族窒化物半導体結晶成長の進展
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
2019年10月31日, 口頭発表（招待・特別） - In2O3及びGa2O3のHVPE成長におけるIII族原料の熱力学的比較
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
2019年10月31日, ポスター発表 - AlNの高温HVPE成長におけるV/III供給比の影響
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
2019年10月30日, 口頭発表（一般） - β-Ga2O3(001), (010), (¯201)基板の熱的・化学的安定性の面方位依存性
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
2019年10月30日, 口頭発表（一般） - トリハライド気相成長法によるε-Ga2O3成長のsapphire基板面方位依存性
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
2019年10月30日, 口頭発表（一般） - HVPE法で成長したサファイア基板上In2O3単結晶薄膜の電気伝導特性
第48回結晶成長国内会議（JCCG-48）
2019年10月30日, 口頭発表（一般） - The Physics of Low Symmetry Metal Oxides: Applications of Ellipsometry
AVS 66th International Symposium & Exhibition
2019年10月23日, 口頭発表（一般） - Nitrogen-Ion Implantation Doping of Ga2O3 and Its Application to Transistors
236th ECS Meeting
2019年10月15日, 口頭発表（基調） - HVPE法を用いた深紫外線LED作製用バルクAlN基板の作製
ポストLEDフォトニクス公開シンポジウム2019「深紫外LEDの可能性と生み出す未来」
2019年10月15日, 口頭発表（招待・特別） - Vertical β-Ga2O3 Transistors for Power Switching Applications
11th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics (TOEO-11)
2019年10月08日, 口頭発表（招待・特別） - Stability and degradation of isolation and surface in Ga2O3 devices
30th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2019)
2019年09月25日, 口頭発表（一般） - In2O3のハライド気相成長におけるIn原料分子種の影響
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月21日, 口頭発表（一般） - Siイオン注入プロセスを用いた高純度HVPE-AlN基板表面のn型化
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月21日, 口頭発表（一般） - HVPE法を用いたβ-Ga2O3成長における成長温度と供給VI/III比の影響
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月21日, 口頭発表（一般） - Ga源にGaCl3又はGaClを用いるGa2O3 HVPE成長の熱力学解析
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月21日, 口頭発表（一般） - β-Ga2O3ショットキーバリアダイオードの電子線照射に対する耐性
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月21日, 口頭発表（一般） - トリハライド気相成長法によるa面sapphire基板上へのε-Ga2O3成長
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月21日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるAlN高速ホモエピタキシャル成長とその影響
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月20日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるAlNホモエピタキシャル成長におけるNH3供給分圧の影響
第80回応用物理学会秋季学術講演会
2019年09月20日, 口頭発表（一般） - Study of dislocations in homo- and hetero-epitaxially grown AlN layer
4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD IV)
2019年09月12日, 口頭発表（一般） - Structural recovery of Si-ion-implantation damage of AlN surfaces by high temperature heat treatment
4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD IV)
2019年09月12日, 口頭発表（一般） - High-speed homoepitaxial growth of AlN above 100 μm/h by hydride vapor phase epitaxy
4th International Workshop on Ultraviolet Materials and Devices (IWUMD IV)
2019年09月10日, ポスター発表 - 縦型酸化ガリウムトランジスタのデバイスプロセスと特性
2019年電気学会電子・情報・システム部門大会
2019年09月06日, 口頭発表（一般） - Aperture size engineering of current aperture vertical Ga2O3 MOSFETs
13th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2019)
2019年08月27日, ポスター発表 - Growth of Gallium Oxide by HVPE
2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
2019年08月14日, 口頭発表（招待・特別） - Influence of growth temperature and input VI/III ratio on crystallinity in homoepitaxy of β-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
2019年08月14日, 口頭発表（一般） - Comparison between lateral and vertical Ga2O3 isolation structures
2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
2019年08月14日, 口頭発表（一般） - Impact of electron-beam irradiation on the performance of β-Ga2O3 Schottky barrier diodes
2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
2019年08月14日, ポスター発表 - Investigation of Thermal and Chemical Stabilities of (001), (010), and (¯201) β-Ga2O3 substrates in a flow of either N2 or H2
2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
2019年08月14日, ポスター発表 - Thermodynamic study on halide vapor phase epitaxy of Ga2O3 using GaCl or GaCl3 as a group-III precursor
2019 International Workshop on Gallium Oxide and Other Related Materials (IWGO 2019)
2019年08月13日, ポスター発表 - Growth of High Crystalline Quality GaN with High Growth Rate by THVPE
The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
2019年07月10日, 口頭発表（一般） - Growth of Lattice-Relaxed InGaN Thick Films on Patterned Sapphire Substrates by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13)
2019年07月08日, ポスター発表 - Enhancement-Mode Current Aperture Vertical Ga2O3 MOSFETs
77th Device Research Conference (77th DRC)
2019年06月25日, 口頭発表（一般） - 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3(001)，(010)，(¯201)基板の熱的・化学的安定性の検討
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2019年06月14日, ポスター発表 - GaCl及びGaCl3をGa源とするGa2O3 HVPE成長の熱力学解析
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2019年06月14日, ポスター発表 - ベータ酸化ガリウムHVPE成長における成長温度および供給VI/III比の影響
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2019年06月14日, ポスター発表 - 高温熱処理によるSiイオン注入により損傷したAlN表面の結晶構造回復
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2019年06月13日, ポスター発表 - トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2019年06月13日, ポスター発表 - HVPE法によるPVT-AlN基板上高速（> 100 μm/h）ホモエピタキシャル成長の検討
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2019年06月13日, ポスター発表 - 酸化ガリウムトランジスタ開発の進展
2019年日本結晶成長学会特別講演会
2019年06月07日, 口頭発表（招待・特別） - p型酸化ガリウムの形成とそのデバイス応用
独立行政法人日本学術振興会先端ナノデバイス・材料テクノロジー第151委員会令和元年度第1回研究会「ワイドバンドギャップ半導体の結晶成長の動向」
2019年05月31日, 口頭発表（招待・特別） - Vertical Ga2O3 Transistors Fabricated By Ion Implantation Doping
235th ECS Meeting
2019年05月27日, 口頭発表（招待・特別） - β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Ion-Implanted Back-Barrier: DC Performance and Trapping Effects
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
2019年05月21日, 口頭発表（招待・特別） - Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
2019年05月21日, 口頭発表（一般） - Growth of Single Crystalline c-In2O3(111) Layers on Off-Axis c-Plane Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
Compound Semiconductor Week 2019 (CSW 2019)
2019年05月20日, 口頭発表（一般） - イオン注入ドーピングを用いたβ-Ga2O3縦型パワーデバイス開発
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第113回研究会「ここまで来た！酸化ガリウム半導体・デバイス開発」
2019年05月10日, 口頭発表（招待・特別） - Growth of lattice-relaxed InGaN thick films by tri-halide vapor phase epitaxy
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’19)
2019年04月24日, ポスター発表 - Observation of dislocations in high-quality homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’19)
2019年04月24日, ポスター発表 - 窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード(II)
第66回応用物理学会春季学術講演会
2019年03月12日, 口頭発表（一般） - トリハライド気相成長法による格子緩和したInGaN厚膜成長
第66回応用物理学会春季学術講演会
2019年03月12日, 口頭発表（一般） - Vertical Triple-Ion-Implanted β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Doped Current Blocker
第66回応用物理学会春季学術講演会
2019年03月12日, 口頭発表（一般） - β-Ga2O3 MOSFETs with Nitrogen-Ion-Implanted Back-Barrier
第66回応用物理学会春季学術講演会
2019年03月12日, 口頭発表（一般） - GaCl-O2-N2系およびGaCl3-O2-N2系によるε-Ga2O3気相成長の比較
第66回応用物理学会春季学術講演会
2019年03月11日, 口頭発表（一般） - THVPE法を用いたc面サファイア基板上酸化ガリウム成長における準安定相の相制御
第66回応用物理学会春季学術講演会
2019年03月11日, 口頭発表（一般） - Ga2O3イオン注入技術の進展とデバイスプロセスへの適用
第66回応用物理学会春季学術講演会
2019年03月10日, 口頭発表（招待・特別） - Recent progress in vertical Ga2O3 transistors
2019 Photonics West
2019年02月05日, 口頭発表（招待・特別） - Phonon-plasmon coupling in monoclinic symmetry Ga2O3
2019 Photonics West
2019年02月04日, 口頭発表（招待・特別） - Development of Vertical Gallium Oxide Power Transistors
第28回日本MRS年次大会
2018年12月19日, 口頭発表（招待・特別） - 単結晶c-In2O3(111)のサファイア基板上HVPE成長における基板オフの効果
応用物理学会結晶工学分科会×電子材料若手交流会（ISYSE）第1回結晶工学×ISYSE合同研究会
2018年11月29日, ポスター発表 - MOVPE法を用いたBN成長の熱力学解析
応用物理学会結晶工学分科会×電子材料若手交流会（ISYSE）第1回結晶工学×ISYSE合同研究会
2018年11月29日, ポスター発表 - MOVPE法を用いたGa2O3結晶成長の熱力学解析
応用物理学会結晶工学分科会×電子材料若手交流会（ISYSE）第1回結晶工学×ISYSE合同研究会
2018年11月29日, ポスター発表 - 分子線エピタキシー法による(AlxGa1-x)2O3混晶成長の熱力学解析
応用物理学会結晶工学分科会×電子材料若手交流会（ISYSE）第1回結晶工学×ISYSE合同研究会
2018年11月29日, ポスター発表 - Advances in Ga2O3 MOSFETs for Power Switching and Beyond
2018 MRS Fall Meeting and Exhibit
2018年11月26日, 口頭発表（招待・特別） - Recent progress in tri-halide vapor phase epitaxy of GaN-related materials
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
2018年11月16日, 口頭発表（招待・特別） - High temperature growth of N-polar GaN by THVPE
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
2018年11月16日, 口頭発表（一般） - The effect of off-cut on thermal stability of m-plane GaN substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN2018)
2018年11月12日, 口頭発表（一般） - 有機金属気相成長法による窒化ホウ素成長の熱力学解析
第47回結晶成長国内会議（JCCG-47）
2018年11月01日, ポスター発表 - Preparation of β-Ga2O3 epitaxial wafers by HVPE method
The 6th Japan-China Symposium on Crystal Growth and Crystal Technology
2018年10月23日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法によるβ-Ga2O3結晶のエピタキシャル成長
独立行政法人日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会第160回研究会「ワイドギャップ半導体β-Ga2O3結晶育成と評価、デバイス応用の最前線」
2018年10月19日, 口頭発表（招待・特別） - Ga2O3 field-effect transistor technologies: Recent advances and future perspectives
7th International Symposium on Transparent Conductive Materials (IS-TCMs 2018)
2018年10月17日, 口頭発表（招待・特別） - Fabrication of β-Ga2O3 epitaxial wafers by halide vapor phase epitaxy
37th Electronic Materials Symposium (EMS-37)
2018年10月11日, 口頭発表（招待・特別） - 窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga2O3ショットキーバリアダイオード
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月21日, 口頭発表（一般） - THVPE法を用いたN極性GaNの高温成長
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月21日, 口頭発表（一般） - Ga2O3 power transistors: The promise, the reality, and future directions
2018 E-MRS Fall Meeting and Exhibit
2018年09月20日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法によるc面サファイア基板上ε-酸化ガリウム成長における酸素分圧及び成長温度の影響
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月20日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるサファイアおよびGaNテンプレート上ε-Ga2O3膜の成長
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月20日, 口頭発表（一般） - 窒化ガリウムm面基板の高温安定性に基板オフ角が与える影響
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月19日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長層の深いピットの発生原因
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月19日, 口頭発表（一般） - 有機金属気相成長法を用いた酸化ガリウム結晶成長の熱力学解析
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月19日, 口頭発表（一般） - c面サファイアoff基板を用いたc-In2O3(111)単結晶のHVPE成長
第79回応用物理学会秋季学術講演会
2018年09月19日, 口頭発表（一般） - Progress in halide vapor phase epitaxy of Ga2O3
2018 E-MRS Fall Meeting and Exhibit
2018年09月17日, 口頭発表（招待・特別） - Thermodynamics on HVPE of Group-III Nitrides
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
2018年08月06日, 口頭発表（招待・特別） - Excess Chlorine and Growth Temperature Effects of N-Polar GaN Growth via Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy and its Theoretical Study
The 7th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-7)
2018年08月06日, 口頭発表（一般） - Coherent Raman Microspectroscopy for Non-Contact and Non-Destructive Measurements of Carrier Concentrations in Wide-Bandgap Semiconductors
The Pacific Rim Conference on Lasers and Elctro-Optics 2018 (CLEO-PR 2018)
2018年08月02日, 口頭発表（一般） - トリハライド気相成長法によるGaN高温高速厚膜成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月13日, 口頭発表（招待・特別） - THVPE法を用いたGaNの高温・高速成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月13日, ポスター発表 - THVPE法による窒化ガリウムの高速ホモエピタキシャル成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月13日, ポスター発表 - ハライド気相成長法によるⅢ族セスキ酸化物半導体結晶の成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月12日, 口頭発表（招待・特別） - 有機金属気相成長法を用いたBN成長の熱力学解析
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月12日, ポスター発表 - MOVPE法によるGa2O3成長の熱力学解析
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月12日, ポスター発表 - ハライド気相成長法におけるサファイアoff基板上への単結晶c-In2O3成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月12日, ポスター発表 - ハライド気相成長法による酸化ガリウムホモエピタキシャル層のピットの起源
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第10回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2018年07月12日, ポスター発表 - Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with a Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation
2018 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2018)
2018年07月02日, 口頭発表（一般） - Recent Advances in Ga2O3 MOSFET Technologies
76th Device Research Conference (76th DRC)
2018年06月26日, 口頭発表（招待・特別） - Toward Realization of Ga2O3 Transistors for Power Electronics Applications
14th International Conference on Modern Materials and Technologies (CIMTEC 2018)
2018年06月14日, 口頭発表（招待・特別） - Reflections on the state of ultra-wide-bandgap Ga2O3 MOSFETs
20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WODIM 2018)
2018年06月12日, 口頭発表（招待・特別） - Thermodynamic analysis of metalorganic vapor phase epitaxy of BN
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
2018年06月07日, 口頭発表（一般） - Thermodynamics on (AlxGa1-x)2O3 growth by ozone molecular beam epitaxy
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
2018年06月07日, ポスター発表 - Thermodynamic analysis on Ga2O3 growth by metalorganic vapor phase epitaxy
19th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-19)
2018年06月05日, 口頭発表（一般） - Origin of Deep Pits Formed on (001) β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018)
2018年06月01日, ポスター発表 - Ga2O3 Current Aperture Vertical Electron Transistors with N-Ion-Implanted Current Blocking Layer
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018)
2018年06月01日, ポスター発表 - Development of Halide Vapor Phase Epitaxy of Ga2O3 for Power Device Applications
Compound Semiconductor Week 2018 (CSW 2018)
2018年06月01日, 口頭発表（招待・特別） - HVPEによるGa2O3ドリフト層エピ成長
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第108回研究会「ワイドギャップ半導体パワーデバイスの最前線とこれを支える結晶技術」
2018年05月25日, 口頭発表（招待・特別） - 深紫外線LED作製用単結晶AlN基板開発の進展
独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第105回研究会「2025年結晶産業の未来 ～光デバイス編～」
2018年05月11日, 口頭発表（招待・特別） - Developments of Ga2O3 Electronic Devices for Next-Generation Power Switching
2018 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH)
2018年05月10日, 口頭発表（招待・特別） - Halide Vapor Phase Epitaxy of Ga2O3
45th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (45th ICMCTF)
2018年04月27日, 口頭発表（招待・特別） - Thermodynamic and experimental analyses of β-Ga2O3 growth by ozone molecular beam epitaxy
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18)
2018年04月27日, 口頭発表（一般） - Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire and GaN templates by HVPE
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18)
2018年04月27日, 口頭発表（一般） - Structural recovery of Mg-ion-implanted N-polar bulk GaN substrates by high-temperature heat treatment
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications ’18 (LEDIA ’18)
2018年04月27日, 口頭発表（一般） - Optical and Electronic Properties of Monoclinic Ga2O3 Unravelled
45th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (45th ICMCTF)
2018年04月26日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるAlGaNの薄膜成長
第65回応用物理学会春季学術講演会
2018年03月18日, 口頭発表（一般） - Current Aperture Vertical Ga2O3 MOSFETs with N-Ion-Implanted Current Blocking Layer
第65回応用物理学会春季学術講演会
2018年03月18日, 口頭発表（一般） - Growth of Ga2O3 and AlGaO epitaxial structures by MOCVD
2018 Photonics West
2018年01月29日, 口頭発表（招待・特別） - Latest progress in gallium-oxide electronic devices
2018 Photonics West
2018年01月29日, 口頭発表（招待・特別） - Recent achievements in Ga2O3 MOSFET technology
2017 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS 2017)
2017年11月27日, 口頭発表（招待・特別） - トリハライド気相成長法によるGaN高温厚膜成長
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46）
2017年11月27日, 口頭発表（招待・特別） - Unlocking the Potential of Ga2O3 MOSFETs for Power Electronics
The 4th International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE 2017)
2017年11月21日, 口頭発表（招待・特別） - Defect selective etching of MOVPE grown AlN and HVPE grown bulk AlN substrates in a molten KOH/NaOH eutectic
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
2017年11月16日, ポスター発表 - Thermodynamic analysis on molecular beam epitaxy of Ga2O3
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
2017年11月16日, 口頭発表（一般） - High temperature growth of GaN by THVPE method
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
2017年11月15日, ポスター発表 - Solid-Source Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and AlGaN using GaCl3 and AlCl3
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
2017年11月15日, 口頭発表（一般） - Preparation of bulk AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy
International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD 2017)
2017年11月14日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等 - HVPE growth of the group III nitrides
36th Electronic Materials Symposium (EMS-36)
2017年11月08日, 口頭発表（基調） - Ultra-wide-bandgap Ga2O3 Material and Electronic Device Technologies
AVS 64th International Symposium & Exhibition
2017年11月02日, 口頭発表（招待・特別） - 分子線エピタキシー法を用いたGa2O3結晶成長の特異性
応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
2017年11月02日, ポスター発表 - HVPE法を用いたc面サファイア基板上Ga2O3成長の温度依存性の調査
応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
2017年11月02日, ポスター発表 - c面sapphire基板上c-In2O3のHVPE成長における成長速度の影響
応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
2017年11月02日, ポスター発表 - THVPE法を用いたGaNの高温高速成長
応用物理学会結晶工学分科会第6回結晶工学未来塾
2017年11月02日, ポスター発表 - 酸化ガリウムパワーデバイスの最先端
独立行政法人日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会100回記念特別公開シンポジウム「ワイドギャップ半導体の基盤技術と将来展望 ～パワー半導体を中心として～」
2017年10月27日, 口頭発表（招待・特別） - Thick InGaN layer with the indium solid composition over 10% using tri-halide vapor phase epitaxy
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
2017年10月12日, 口頭発表（一般） - Development of bulk AlN substrates for deep-UV optoelectronic devices by HVPE method
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
2017年10月10日, 口頭発表（招待・特別） - Influence of ambient oxygen on Si incorporation during hydride vapor phase epitaxy of AlN at high temperature
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
2017年10月10日, 口頭発表（一般） - Characterization of threading dislocations in HVPE-grown AlN substrates by wet chemical etching
11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2017)
2017年10月10日, ポスター発表 - Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick InGaN and AlGaN Ternary Alloys
10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X)
2017年09月22日, 口頭発表（招待・特別） - THVPE of GaN -current topics-
10th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-X)
2017年09月19日, 口頭発表（招待・特別） - Homoepitaxial Growth on 2-Inch-Diameter (001) β-Ga2O3 Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月15日, ポスター発表 - Temperature-Dependent Growth of Ga2O3 on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月15日, ポスター発表 - Influence of Growth Rate on Halide Vapor Phase Epitaxy of c-In2O3 on c-Plane Sapphire Substrates
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月15日, ポスター発表 - Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Homoepitaxial Layers Using O2 and H2O as Oxygen Sources
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月15日, 口頭発表（招待・特別） - Charge Trapping Processes in Ga2O3 Schottky Diodes
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月15日, 口頭発表（一般） - Electronic properties of residual donor in unintentionally doped β-Ga2O3
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月14日, 口頭発表（一般） - Advances in Ga2O3 MOSFETs for Power and Radiation-Hard Electronics
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月14日, 口頭発表（招待・特別） - Optical and electronic properties of monoclinic Ga2O3 unravelled
2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials (IWGO 2017)
2017年09月13日, 口頭発表（一般） - Ga2O3電子デバイス開発の現状と展望 ～パワーデバイス、そして～
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月08日, 口頭発表（招待・特別） - ハライド気相成長法による(0001)サファイア基板上準安定相α-Ga2O3成長の検討
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月07日, 口頭発表（一般） - 異なる酸素源を用いた酸化ガリウムハライド気相成長の比較
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月07日, 口頭発表（一般） - 分子線エピタキシー法によるGa2O3結晶成長の熱力学解析
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月07日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法を用いた2インチ(001) β-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月07日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法によるIn2O3成長の温度依存性
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月07日, 口頭発表（一般） - HVPE法を用いたIn2O3成長における成長速度の影響
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月07日, 口頭発表（一般） - エッチピットを用いたHVPE-AlN基板の貫通転位評価
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月06日, 口頭発表（一般） - 高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月06日, 口頭発表（一般） - Planar Vertical Ga2O3 MOSFETs with a Current Aperture
第78回応用物理学会秋季学術講演会
2017年09月05日, 口頭発表（一般） - 酸化ガリウムパワーデバイスの進展
独立行政法人日本学術振興会半導体界面制御技術第154委員会第104回研究会「酸化物半導体：現状と今後の進展」
2017年08月07日, 口頭発表（招待・特別） - Latest progress in gallium oxide epitaxial growth technologies for power devices
The 21st American Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-21)
2017年08月03日, 口頭発表（招待・特別） - Gallium Oxide-Based Devices for Power Electronics and Emerging Applications
The 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS-29)
2017年07月31日, 口頭発表（招待・特別） - Pursuing the Promise of Ultra-Wide-Bandgap Ga2O3 Power Device Technology
The 12th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-12)
2017年07月27日, 口頭発表（招待・特別） - 高品質InGaN厚膜成長を目指した中間層導入の検討
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2017年07月14日, ポスター発表 - エッチピットを用いたMOVPE AlNテンプレートの貫通転位評価
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2017年07月14日, ポスター発表 - 高品質窒化アルミニウムのハイドライド気相成長におけるSiドープ量制御
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2017年07月14日, ポスター発表 - トリハライド気相成長法によるInGaN系光デバイス作製に向けた膜厚制御性の検討
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2017年07月14日, ポスター発表 - N極性GaNの高熱耐性を利用したイオン注入プロセスの開発
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第9回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会
2017年07月14日, ポスター発表 - First Demonstration of Vertical Ga2O3 MOSFET: Planar Structure with a Current Aperture
75th Device Research Conference (75th DRC)
2017年06月26日, 口頭発表（一般） - Application of Gallium Oxide for High-Power Electronics
9th International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT 2017)
2017年06月20日, 口頭発表（招待・特別） - Application of Gallium Oxide for High-Power Electronics
44th International Conference on Metallurgical Coatings and Thin Films (44th ICMCTF)
2017年04月24日, 口頭発表（招待・特別） - High temperature growth of thick InGaN layer with the indium solid composition of 10% using tri-halide vapor phase epitaxy
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA '17)
2017年04月20日, ポスター発表 - Temperature dependence of In2O3 growth on (0001) sapphire by HVPE
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA '17)
2017年04月20日, ポスター発表 - Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations
International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications '17 (LEDIA '17)
2017年04月20日, ポスター発表 - パワーデバイスに向けたGa2O3ウエハプロセス技術
第64回応用物理学会春季学術講演会
2017年03月16日, 口頭発表（招待・特別） - Mg Ion Implantation Technology for Vertical Ga2O3 Power Devices
第64回応用物理学会春季学術講演会
2017年03月15日, 口頭発表（一般） - Current State-of-the-Art of Gallium Oxide Power Device Technology
44th Conference on the Physics & Chemistry of Surfaces & Interfaces (PCSI-44)
2017年01月18日, 口頭発表（招待・特別） - ハライド気相成長法による単結晶β-Ga2O3基板上高速ホモエピタキシャル成長
独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第98回研究会「ワイドギャップ酸化物半導体β-Ga2O3結晶成長、結晶評価、デバイス応用」
2017年01月12日, 口頭発表（招待・特別） - Mg Ion Implantation Technology for Vertical Ga2O3 Power Devices
2016 MRS Fall Meeting and Exhibit
2016年11月29日, 口頭発表（一般） - HVPE法による単結晶窒化アルミニウム基板の開発
独立行政法人日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会第97回研究会「バルクワイドギャップ半導体結晶」
2016年11月18日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法AlN単結晶基板表面のSi蓄積の原因調査および制御の検討
応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
2016年11月07日, ポスター発表 - ハライド気相成長法によるc-In2O3の高温成長
応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
2016年11月07日, ポスター発表 - トリハライド気相成長法を用いたN極性窒化ガリウムの高温成長
応用物理学会結晶工学分科会第5回結晶工学未来塾
2016年11月07日, ポスター発表 - Superior Thermal Resistance of N-Polar GaN Surface over Ga-Polar GaN Surface in NH3 added N2 Ambient at High Temperatures above 1200 ºC
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN 2016)
2016年10月05日, 口頭発表（一般） - Recent Progress in the Growth of AlN by HVPE on Native AlN Substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2016 (IWN 2016)
2016年10月04日, 口頭発表（招待・特別） - Status and Potential of Gallium Oxide Devices - a New Candidate for Future Power Semiconductor Electronics
11th European Conference on Silicon Carbide & Related Materials (ECSCRM 2016)
2016年09月26日, 口頭発表（招待・特別） - 1kV耐圧Ga2O3フィールドプレート付きショットキーバリアダイオード
第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年09月15日, 口頭発表（一般） - 酸化ガリウムエピ／基板開発の進展
第77回応用物理学会秋季学術講演会
2016年09月13日, 口頭発表（招待・特別） - Progress in Ga2O3 transistor and diode technologies
German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016
2016年09月09日, 口頭発表（招待・特別） - Thick and conductivity-controlled homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016
2016年09月07日, 口頭発表（招待・特別） - Influence of growth rate at 1000ºC on homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 (001) by halide vapor phase epitaxy
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
2016年08月11日, 口頭発表（一般） - Point Defect Management in Bulk AlN and AlGaN Epitaxial Films
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
2016年08月10日, 口頭発表（一般） - Growth of AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy for opto-electronic devices
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
2016年08月10日, 口頭発表（招待・特別） - Progress of homoepitaxial growth technique of thick beta-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
2016年08月09日, 口頭発表（招待・特別） - High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
2016年08月09日, 口頭発表（一般） - 酸化ガリウムパワーデバイス開発の進捗状況
応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「酸化物材料の基礎物性とその応用」
2016年07月29日, 口頭発表（招待・特別） - Recent progress in development of gallium oxide power devices
35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
2016年07月08日, 口頭発表（招待・特別） - High temperature growth of thick InGaN ternary alloy by tri-halide vapor phase epitaxy
35th Electronic Materials Symposium (EMS-35)
2016年07月07日, ポスター発表 - Recent advances in gallium oxide device technologies
2016 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2016)
2016年07月05日, 口頭発表（招待・特別） - Ga2O3 Field-Plated Schottky Barrier Diodes with a Breakdown Voltage of Over 1 kV
74th Device Research Conference (74th DRC)
2016年06月21日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるn形AlNバルク基板作製の検討
応用物理学会結晶工学分科会第145回研究会「ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術」
2016年06月03日, 口頭発表（招待・特別） - Ga2O3基板とホモ/ヘテロエピタキシャル成長技術
応用物理学会結晶工学分科会第145回研究会「ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術」
2016年06月03日, 口頭発表（招待・特別） - High temperature growth of thick InGaN layers using tri-halide vapor phase epitaxy
Conference on LED and Its Industrial Application '16 (LEDIA '16)
2016年05月19日, 口頭発表（一般） - Growth of In2O3 by Halide Vapor Phase Epitaxy
Conference on LED and Its Industrial Application '16 (LEDIA '16)
2016年05月19日, 口頭発表（一般） - Gallium oxide-based devices for power electronics and beyond
2016 E-MRS Spring Meeting and Exhibit
2016年05月04日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法によるIn2O3成長の検討
第63回応用物理学会春季学術講演会
2016年03月21日, 口頭発表（一般） - High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy
2016 Photonics West
2016年02月15日, 口頭発表（招待・特別） - Growth of Thick InGaN and GaN by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy with High Rate
2015 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015)
2015年12月15日, 口頭発表（招待・特別） - High speed growth of InN by HVPE realized by controlled generation of InCl3
2015 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG 2015)
2015年12月15日, 口頭発表（招待・特別） - The Challenges of Gallium Oxide Devices for Future Power Electronics
18th International Workshop on Physics of Semiconductor Devices (IWPSD 2015)
2015年12月08日, 口頭発表（招待・特別） - Homoepitaxial Growth of Si-Doped Thick (001) beta-Ga2O3 Layers by Halide Vapor Phase Epitaxy
2015 MRS Fall Meeting and Exhibit
2015年12月01日, 口頭発表（一般） - Analysis of formation mechanism of AlN whiskers on sapphire surfaces at elevated temperature in a mixed flow of H2 and N2
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
2015年11月11日, ポスター発表 - Influence of NH3 Input Partial Pressure on N-Polarity InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
2015年11月10日, ポスター発表 - Fabrication of vertical Schottky barrier diodes on n-type freestanding AlN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
2015年11月10日, ポスター発表 - Properties of point defects in AlN and high Al content AlGaN
The 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
2015年11月10日, ポスター発表 - Optical Properties of Doped and Intrinsic beta-Ga2O3
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015)
2015年11月06日, 口頭発表（一般） - EPR studies of defects in beta-Ga2O3
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015)
2015年11月06日, 口頭発表（一般） - Si Doping of beta-Ga2O3 in Halide Vapor Phase Epitaxy and its Electrical Properties
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015)
2015年11月05日, 口頭発表（一般） - Temperature-Dependent Device Characteristics of HVPE-Grown Ga2O3 Schottky Barrier Diodes
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015)
2015年11月05日, 口頭発表（一般） - Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers
9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
2015年11月04日, 口頭発表（招待・特別） - Thick (>10 μm) and High Crystalline Quality InGaN Growth on GaN(000-1) Substrate by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
2015年11月04日, 口頭発表（招待・特別） - Comparative Study on Thermal Stability of Group-III Oxides
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015)
2015年11月04日, ポスター発表 - Anisotropy, phonon modes and band-to-band transitions in single-crystal monoclinic beta-Ga2O3 determined by THz to VUV generalized ellipsometry
International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015)
2015年11月04日, ポスター発表 - HVPE法AlN高温成長における基板昇降温時の炉内雰囲気が表面に与える影響
応用物理学会第4回結晶工学未来塾（2015）
2015年10月29日, ポスター発表 - 一酸化窒素を用いた常圧CVD法によるNドープZnO薄膜のホモエピタキシャル成長
応用物理学会第4回結晶工学未来塾（2015）
2015年10月29日, ポスター発表 - Siドープn形HVPE-AlNバルク基板の作製と縦型ショットキーバリアダイオード作製への適用
応用物理学会第4回結晶工学未来塾（2015）
2015年10月29日, ポスター発表 - SiCl4同時供給によるSiドープn形ホモエピタキシャルbeta-Ga2O3(001)厚膜のHVPE成長
応用物理学会第4回結晶工学未来塾（2015）
2015年10月29日, ポスター発表 - トリハライド気相成長法によるIn組成5%のInGaN厚膜(>10μm)成長
応用物理学会第4回結晶工学未来塾（2015）
2015年10月29日, ポスター発表 - HVPE法によるSiドープn形AlN基板作製と縦型ショットキーバリアダイオード試作への適用
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
2015年10月20日, ポスター発表 - Siドープ酸化ガリウム厚膜のHVPEホモエピタキシャル成長
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45）
2015年10月19日, 口頭発表（一般） - Current Status of Gallium Oxide-Based Power Device Technology
37th IEEE Compound Semiconductor IC Symposium (CSICS 37)
2015年10月13日, 口頭発表（招待・特別） - Gallium Oxide Devices for the Next Revolution in Power Electronics
Workshop on Oxide Electronics 22 (WOE 22)
2015年10月08日, 口頭発表（招待・特別） - Ga2O3パワーデバイス開発の現状と課題
独立行政法人 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 薄膜第131委員会 合同研究会
2015年10月02日, 口頭発表（招待・特別） - First Demonstration of beta-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with Field Plate Edge Termination
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015)
2015年09月29日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法によるSiドープn形beta-Ga2O3(001)厚膜のホモエピタキシャル成長
第76回応用物理学会秋季学術講演会
2015年09月16日, 口頭発表（一般） - HVPE成長したドリフト層を有するGa2O3ショットキーバリアダイオード
第76回応用物理学会秋季学術講演会
2015年09月16日, 口頭発表（一般） - HVPE成長したGa2O3ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性
第76回応用物理学会秋季学術講演会
2015年09月16日, 口頭発表（一般） - フィールドプレート電極終端構造を設けたbeta-Ga2O3ショットキーバリアダイオード
第76回応用物理学会秋季学術講演会
2015年09月16日, 口頭発表（一般） - HVPE growth of AlN substrates for opto-electronic applications
The 2015 E-MRS Fall Meeting and Exhibit
2015年09月16日, 口頭発表（招待・特別） - III族酸化物結晶の熱的安定性の比較
第76回応用物理学会秋季学術講演会
2015年09月15日, 口頭発表（一般） - トリハライド気相成長法を用いたInGaN厚膜成長
第76回応用物理学会秋季学術講演会
2015年09月13日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用
第76回応用物理学会秋季学術講演会
2015年09月13日, 口頭発表（一般） - Dependences of input InCl3 ratio and growth temperature in InGaN growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
2015年07月15日, ポスター発表 - Effect of NH3 Input Partial Pressure on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
2015年07月15日, ポスター発表 - Thermodynamic and experimental studies on homoepitaxial growth of beta-Ga2O3 by halide vapor phase epitaxy
34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
2015年07月15日, ポスター発表 - Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy
Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
2015年07月13日, 口頭発表（一般） - 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の開発
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回研究会「次世代パワー半導体デバイスの進展」
2015年07月09日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法によるn型AlN基板の開発
応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第3回研究会「次世代パワー半導体デバイスの進展」
2015年07月09日, 口頭発表（招待・特別） - Progress in Research and Development on Gallium Oxide Power Devices
Compound Semiconductor Week 2015 (CSW 2015)
2015年06月30日, 口頭発表（招待・特別） - Ga2O3 Schottky Barrier Diodes with n--Ga2O3 Drift Layers Grown by HVPE
73rd Device Research Conference (73rd DRC)
2015年06月22日, 口頭発表（一般） - HVPE法AlN基板上紫外LEDの開発
応用物理学会 結晶工学分科会 第143回研究会「深紫外固体発光デバイス開発・応用の最前線」
2015年06月05日, 口頭発表（招待・特別） - トリハライド気相成長法を用いたInGaN成長におけるNH3供給分圧の影響
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第7回窒化物半導体結晶成長講演会
2015年05月08日, ポスター発表 - Growth of GaN on r-plane sapphire substrate by tri-halide vapor phase epitaxy
Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
2015年04月23日, ポスター発表 - Calculation of thermochemical data for the growth of III-nitrides by vapor phase epitaxy
Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
2015年04月23日, ポスター発表 - Homoepitaxial growth of nitrogen doped ZnO thin layers by atmospheric pressure CVD using NO
Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
2015年04月23日, ポスター発表 - Thermal stability of group-III oxides in flows of H2 and N2
Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
2015年04月23日, ポスター発表 - III-Cl・III-Cl3混在ハライド気相成長によるIII族窒化物特異構造の形成
第62回応用物理学会春季学術講演会
2015年03月14日, 口頭発表（招待・特別） - 水素・窒素気流中におけるbeta-Ga2O3の熱的安定性の熱力学的検討
第62回応用物理学会春季学術講演会
2015年03月13日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法によるbeta-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長
第62回応用物理学会春季学術講演会
2015年03月13日, 口頭発表（一般） - High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE
2015 Photonics West
2015年02月09日, 口頭発表（招待・特別） - Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
2014年12月16日, ポスター発表 - Theoretical calculation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
2014年12月16日, ポスター発表 - Homoepitaxial Growth of ZnO Thin Layers by Halide Vapor Phase Epitaxy using Hydrogen-Free Sources
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
2014年12月15日, 口頭発表（一般） - Thermal stability of Ga2O3 in mixed gases of H2 and N2
10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
2014年12月15日, 口頭発表（一般） - HVPE法AlN基板上紫外LED
独立行政法人 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第92回研究会「ワイドギャップ光デバイスの最近の進展と応用」
2014年12月13日, 口頭発表（招待・特別） - Predicted Properties of Point Defects and Complexes in AlN and AlGaN
2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
2014年12月04日, 口頭発表（一般） - Homo-Epitaxial Growth of High-Purity Films of beta-Ga2O3 and ZnO by Halide Vapor Phase Epitaxy
2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
2014年12月01日, 口頭発表（招待・特別） - Halide Vapor Phase Epitaxy of beta-Ga2O3 Films on (001) beta-Ga2O3 Substrate
2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
2014年12月01日, 口頭発表（一般） - トリハライド気相成長法によるInGaN成長における成長温度の影響
応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
2014年11月13日, ポスター発表 - HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討
応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
2014年11月13日, ポスター発表 - 窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への前駆体二段階生成HVPE法による高速InN成長
応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
2014年11月13日, ポスター発表 - GaCl-O2系HVPE法によるbeta-Ga2O3成長の熱力学解析
応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
2014年11月13日, ポスター発表 - 水素・窒素雰囲気下におけるIII族酸化物基板安定性の熱力学的調査
応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
2014年11月13日, ポスター発表 - ハライド気相成長法によるbeta-Ga2O3のホモエピタキシャル成長
応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
2014年11月13日, ポスター発表 - 水素・窒素雰囲気下におけるGa2O3分解の検討
第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
2014年11月07日, 口頭発表（一般） - HVPE法を用いたbeta-Ga2O3結晶成長の熱力学解析
第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
2014年11月07日, 口頭発表（一般） - 一酸化窒素を用いた常圧CVD法によるZnO:N薄膜の成長
第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
2014年11月07日, 口頭発表（一般） - 酸化物半導体ZnOおよびGa2O3のHVPE成長
独立行政法人 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 第91回研究会「酸化物材料の最近の進展」
2014年09月26日, 口頭発表（招待・特別） - ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析
第75回応用物理学会秋季学術講演会
2014年09月19日, 口頭発表（一般） - Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
第75回応用物理学会秋季学術講演会
2014年09月18日, 口頭発表（招待・特別） - AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因
第75回応用物理学会秋季学術講演会
2014年09月17日, 口頭発表（一般） - 前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長
第75回応用物理学会秋季学術講演会
2014年09月17日, 口頭発表（一般） - Thermal Stability of Group-III Oxides in Mixed Flows of H2 and N2 for Growth of Group-III Nitrides
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
2014年08月27日, ポスター発表 - Characterizing The Role of Point Defects and Complexes in UV Absorption and Emission in AlN
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
2014年08月27日, ポスター発表 - Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
2014年08月26日, 口頭発表（招待・特別） - Growth of Si-Doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
2014年08月26日, 口頭発表（一般） - Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
2014年08月26日, ポスター発表 - Selective Nucleation of Semi-Polar InN on Patterned GaAs(110) Substrate by MOVPE
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
2014年08月26日, ポスター発表 - High-Speed Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2014 (IWN2014)
2014年08月25日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
2014年07月25日, 公開講演，セミナー，チュートリアル，講習，講義等 - 第一原理計算と統計力学を用いたIII族窒化物の成長における熱化学データの算出
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
2014年07月25日, ポスター発表 - III族酸化物単結晶基板の水素・窒素雰囲気下分解の熱力学解析
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
2014年07月25日, ポスター発表 - AlN高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
2014年07月25日, ポスター発表 - AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
2014年07月25日, ポスター発表 - 前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
2014年07月25日, ポスター発表 - トリハライド気相成長法を用いたr面サファイヤ基板上へのGaN成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
2014年07月25日, ポスター発表 - MOCVD growth of AlGaN alloy for DUV-LEDs
17th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-17)
2014年07月15日, 口頭発表（基調） - Influence of Growth Temperature on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
2014年07月10日, ポスター発表 - Theoretical investigation of the influence of surface orientation on In-incorporation during InGaN growth using THVPE
33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
2014年07月10日, ポスター発表 - Selective growth of InN on patterned GaAs(110) substrate by MOVPE
33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
2014年07月10日, ポスター発表 - Estimation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides by the combination of first principles and statistical thermodynamic
33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
2014年07月10日, ポスター発表 - Deep UV-LEDs Fabricated of on HVPE-AlN Substrates
5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
2014年05月21日, 口頭発表（招待・特別） - Temperature Dependence of InN Growth on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates Using a Novel HVPE System
5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
2014年05月20日, 口頭発表（一般） - Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN
5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
2014年05月19日, 口頭発表（招待・特別） - Growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using non-hydrogenous sources
Conference on LED and Its Industrial Application '14 (LEDIA '14)
2014年04月24日, ポスター発表 - Thermal stability of beta-Ga2O3 substrates in mixed flows of H2 and N2
Conference on LED and Its Industrial Application '14 (LEDIA '14)
2014年04月24日, ポスター発表 - High-speed InN growth on yttria-stabilized zirconia (111) substrates by a two-step precursor generation HVPE system
Conference on LED and Its Industrial Application '14 (LEDIA '14)
2014年04月24日, ポスター発表 - Surface orientation dependence of the In-incorporation of THVPE-grown InGaN studied by first principles and statistical thermodynamics
Conference on LED and Its Industrial Application '14 (LEDIA '14)
2014年04月23日, 口頭発表（一般） - 前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価
第61回応用物理学会春季学術講演会
2014年03月19日, 口頭発表（一般） - InGaN成長におけるIn取り込みの面方位依存性の理論検討
第61回応用物理学会春季学術講演会
2014年03月19日, 口頭発表（一般） - Performance of DUV-LEDs fabricated on HVPE-AlN substrates
2014 Photonics West
2014年02月06日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法によるPVT-AlN基板上ホモエピタキシャル成長における成長速度増加の検討
第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
2013年11月08日, 口頭発表（一般） - 前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長の温度依存性
第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
2013年11月07日, 口頭発表（一般） - 前駆体二段階生成HVPE法によるIn, N各極性InN高速成長の比較検討
第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
2013年11月07日, 口頭発表（一般） - HVPE炉内高温雰囲気下におけるAlN単結晶表面の劣化
第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
2013年11月07日, ポスター発表 - 水素・窒素雰囲気下におけるbeta-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討
第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
2013年11月07日, ポスター発表 - 酸化亜鉛HVPEホモエピタキシャル成長のVI族源の比較検討
第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
2013年11月07日, ポスター発表 - Hydride Vapor Phase Epitaxy of InGaN
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
2013年10月04日, 口頭発表（招待・特別） - High-Speed InN Growth Using a Novel Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
2013年10月03日, 口頭発表（招待・特別） - Influence of growth parameters on homo-epitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on PVT-AlN substrates
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
2013年10月02日, 口頭発表（招待・特別） - Properties of homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
2013年10月02日, 口頭発表（招待・特別） - High speed and high temperature growth of GaN by HVPE using GaCl3 as group III-precursor
8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
2013年10月02日, 口頭発表（招待・特別） - Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
第74回応用物理学会学術講演会
2013年09月19日, 口頭発表（招待・特別） - 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長
第74回応用物理学会学術講演会
2013年09月19日, 口頭発表（一般） - Growth of high quality AlN with deep-UV transparency by HVPE
2013 JSAP-MRS Joint Symposia
2013年09月18日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法によるZnO薄膜成長の酸素源の検討
第74回応用物理学会学術講演会
2013年09月17日, 口頭発表（一般） - High temperature growth of thick GaN using GaCl3-NH3 system
2013 JSAP-MRS Joint Symposia
2013年09月17日, 口頭発表（一般） - Demonstration of high-speed growth of InN by HVPE with a two-step precursor generation scheme
2013 JSAP-MRS Joint Symposia
2013年09月17日, 口頭発表（一般） - Dependence of InGaN-HVPE growth on group-III input partial pressure
2013 JSAP-MRS Joint Symposia
2013年09月17日, 口頭発表（一般） - 高温下におけるbeta-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討
第74回応用物理学会学術講演会
2013年09月16日, 口頭発表（一般） - Vacancy Defects in UV-Transparent HVPE-AlN
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
2013年08月28日, 口頭発表（一般） - Comparative Study on High-Speed InN Growth in Both In- and N-Polarities Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
2013年08月26日, 口頭発表（一般） - Temperature Dependence of InN Growth by a Novel HVPE System with Two-Step Generation of InCl3
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
2013年08月26日, 口頭発表（一般） - DUV-LEDs Fabricated on HVPE-AlN Substrates
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
2013年08月26日, 口頭発表（招待・特別） - Donor-Acceptor Pair Compensation and the Broad 2.8 eV Luminescence in Bulk AlN
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
2013年08月26日, 口頭発表（一般） - Influence of Growth Temperature on Homo-Epitaxial Growth of AlN by HVPE on PVT-AlN Substrates
10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
2013年08月26日, ポスター発表 - 三塩化ガリウムを用いたGaN高温厚膜成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
2013年06月21日, ポスター発表 - HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNの成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
2013年06月21日, ポスター発表 - 前駆体二段階生成HVPE法によるInNの高速成長の実現
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
2013年06月21日, ポスター発表 - 前駆体二段階生成HVPE装置を用いたIn極性およびN極性InN成長の比較検討
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
2013年06月21日, ポスター発表 - GaAs(11n)基板上半極性InN成長の温度依存性
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
2013年06月21日, ポスター発表 - Semi-polar growth of InN on GaAs(11n) substrate by MOVPE
2013 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
2013年06月10日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法によるAlN基板作製と260 nm帯深紫外LEDへの応用
応用物理学会応用電子物性分科会研究例会「ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス ～実用デバイスへの展開～」
2013年06月07日, 口頭発表（招待・特別） - Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications
Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13)
2013年04月25日, 口頭発表（一般） - Fabrication of DUV-LEDs on AlN Substrates
Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13)
2013年04月25日, 口頭発表（招待・特別） - High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System
Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13)
2013年04月24日, ポスター発表 - High-Speed Growth of InN over 10 μm/h by a Novel HVPE System
Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13)
2013年04月24日, ポスター発表 - Growth of Semi-polar InN Layers on GaAs(311)A and (311)B by MOVPE
Conference on LED and Its Industrial Application '13 (LEDIA '13)
2013年04月23日, 口頭発表（一般） - Deep ultraviolet light-emitting diodes fabricated on AlN substrates prepared by hydride vapor phase epitaxy
2013 Photonics West
2013年02月06日, 口頭発表（一般） - Hetero- and Homo-Epitaxy of Thick AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
2012 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
2012年12月12日, 口頭発表（招待・特別） - InGaN成長組成の面方位依存性に関する理論的考察
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
2012年11月10日, ポスター発表 - HVPE法によるm面ZnO基板上へのZnO成長における表面オフ方向の影響
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
2012年11月10日, ポスター発表 - HVPE法を用いたsapphire(0001)基板上InN成長におけるNH3供給分圧依存性
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
2012年11月09日, 口頭発表（一般） - 2段階原料生成HVPE法によるGaN/sapphire(0001)テンプレート上InN成長
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
2012年11月09日, 口頭発表（一般） - HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNウェーハーの作製
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
2012年11月09日, 口頭発表（一般） - 超高温熱処理サファイア表面の水素・窒素混合ガスとの反応によるAlNウィスカー形成メカニズム
第42回結晶成長国内会議（NCCG-42）
2012年11月09日, 口頭発表（一般） - Preparation of low dislocation density and deep-UV transparent AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy
Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
2012年10月23日, 口頭発表（招待・特別） - High-Speed Growth of InN Using a Two-Stage Source Generation HVPE System
Intensive Discussion on Growth of Nitride Semiconductors
2012年10月22日, 口頭発表（招待・特別） - On the origin of the 265 nm absorption band in AlN bulk crystals
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月18日, ポスター発表 - Optical and structural properties of intentionally C-doped thick HVPE AlN layers grown on PVT AlN substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月18日, ポスター発表 - Effect of high NH3 input partial pressure on hydride vapor phase epitaxy of InN using nitrided (0001) sapphire substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月16日, ポスター発表 - HVPE growth of InN on InN/sapphire (0001) templates prepared by MBE
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月16日, ポスター発表 - MOVPE growth of semi-polar InN layers on GaAs(311)A and (311)B substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月16日, ポスター発表 - Prediction of point defect behavior in nitrides using hybrid exchange DFT: Applications to the deep-UV absorption band in AlN
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月16日, ポスター発表 - Homoepitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on bulk AlN substrates prepared by PVT
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月15日, ポスター発表 - High-temperature heat-treatment of c-, a-, r- and m-plane sapphire substrates in mixed gases of H2 and N2
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月15日, ポスター発表 - Predictive Calculations of Defect Properties using Hybrid Exchange DFT: Applications to Optically Active Impurities in AlN
International Workshop on Nitride Semiconductors 2012 (IWN2012)
2012年10月15日, ポスター発表 - ２段階原料生成機構を有する新規HVPE法によるInNの高速成長の検討
第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月13日, 口頭発表（一般） - 水素・窒素混合雰囲気下の高温熱処理によるサファイア表面上AlNウィスカーの形成メカニズム
第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月13日, 口頭発表（一般） - バルクPVT基板上HVPE成長によるAlN自立基板の作製
第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月13日, 口頭発表（一般） - HVPE成長フリースタンディングAlN基板の異方性を考慮した分光エリプソメトリー評価
第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月13日, 口頭発表（一般） - PVT基板上に成長したCドープHVPE法AlN厚膜の光学特性と構造特性
第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月13日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法によるm面ZnOバルク基板上へのホモエピタキシャルZnOの成長
第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月13日, 口頭発表（一般） - Improvement of crystalline and optical properties of InN grown on nitrided (0001) sapphire with high NH3 input partial pressures by HVPE
第73回応用物理学会学術講演会
2012年09月11日, 口頭発表（一般） - Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
2012年07月19日, 口頭発表（一般） - Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using III-bromides and III-iodides
The 4th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-4)
2012年07月17日, ポスター発表 - GaAs(311)A及び(311)B上半極性InNのMOVPE成長
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
2012年04月28日, ポスター発表 - 様々なハロゲン化物を原料に用いたInGaN-HVPE成長の熱力学解析
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
2012年04月28日, ポスター発表 - GaAs(110)基板上半極性InN成長における水素添加効果
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
2012年04月28日, ポスター発表 - GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第4回窒化物半導体結晶成長講演会
2012年04月28日, 口頭発表（招待・特別） - MOVPE法によるGaAs(110)上InN成長における水素添加の影響
第59回応用物理学関係連合講演会
2012年03月16日, ポスター発表 - MOVPE法による高指数面GaAs(311)A及び(311)B基板上への半極性InN成長
応用物理学会結晶工学分科会2011年年末講演会
2011年12月15日, ポスター発表 - MOVPE法を用いた半極性InN(10-1-3)低温成長への水素添加の影響
応用物理学会結晶工学分科会2011年年末講演会
2011年12月15日, ポスター発表 - サファイア基板の水素・窒素混合雰囲気下熱処理による表面分解およびAlN形成の熱力学的検討
第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
2011年11月05日, 口頭発表（一般） - 高温下での水素・窒素同時供給によるサファイア基板表面分解・AlN形成における面方位依存性
第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
2011年11月05日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるInN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN成長の検討
第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
2011年11月03日, 口頭発表（一般） - AlN/sapphire(0001)テンプレート上AlN HVPE成長における成長速度増加の検討
第41回結晶成長国内会議（NCCG-41）
2011年11月03日, 口頭発表（一般） - エピタキシャル装置内におけるサファイア基板とキャリアガスの反応
独立行政法人 日本学術振興会 結晶成長の科学と技術・第161委員会 第72回研究会「サファイア結晶基板の製造技術開発競争」
2011年10月21日, 口頭発表（招待・特別） - InN/sapphire (0001) MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響
第72回応用物理学会学術講演会
2011年08月30日, 口頭発表（一般） - 高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性
第72回応用物理学会学術講演会
2011年08月30日, 口頭発表（一般） - 水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析
第72回応用物理学会学術講演会
2011年08月30日, 口頭発表（一般） - AlN/sapphire (0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響
第72回応用物理学会学術講演会
2011年08月30日, 口頭発表（一般） - HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計
第72回応用物理学会学術講演会
2011年08月29日, 口頭発表（一般） - Influence of Growth Temperature on the Twin Formation of the InN{10-13} on GaAs(110) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
The 9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
2011年07月13日, ポスター発表 - Growth of AlN on homo- and hetero-substrates by HVPE
5th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-5)
2011年06月30日, 口頭発表（招待・特別） - Influence of source gas supply sequence on hydride vapor phase epitaxy of AlN on (0001) sapphire substrates
5th International Workshop on Crystal Growth Technology (IWCGT-5)
2011年06月27日, ポスター発表 - a面サファイア表面の反応メカニズムの原子レベルその場測定
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
2011年06月18日, ポスター発表 - 水素・窒素混合雰囲気での高温熱処理によるc面サファイア基板表面分解及びAlN形成
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
2011年06月18日, ポスター発表 - In系窒化物半導体のMOVPE、HVPE成長
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
2011年06月17日, 口頭発表（招待・特別） - MOVPE法によるGaAs(110)上InN{10-13}の成長温度が双晶形成に与える影響
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
2011年06月17日, ポスター発表 - HVPE法によるInN/sapphire(0001)テンプレート上InN高速成長の検討
日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 第3回窒化物半導体結晶成長講演会
2011年06月17日, ポスター発表 - GaAs(110)上半極性InN(10-13)成長における窒化及びバッファ層の効果
第58回応用物理学関係連合講演会
2011年03月27日, 口頭発表（一般） - Crack in HVPE grown 2H-AlN films on AlN templates prepared by PA-MBE using AM-MEE
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII)
2011年03月18日, 口頭発表（招待・特別） - Possibility of InGaN HVPE growth with the high growth rate and the wide composition control
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII)
2011年03月16日, 口頭発表（招待・特別） - Properties of thick freestanding AlN films prepared by hydride vapor phase epitaxy
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII)
2011年03月16日, 口頭発表（招待・特別） - Preparation of freestanding AlN substrates by hydride vapor phase epitaxy using hybrid seed substrates
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII)
2011年03月16日, 口頭発表（招待・特別） - Self epitaxial lateral overgrowth of HVPE-AlN layers on 6H-SiC(0001) substrates by the intentional formation of non c-axis oriented AlN grains
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII)
2011年03月16日, 口頭発表（招待・特別） - Measurement of temperature dependent lattice constants of single crystal AlN and various starting substrates for the growth of AlN
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII)
2011年03月16日, 口頭発表（招待・特別） - Formation of AlN on sapphire surface by high temperature heating in the mixed flow of H2 and N2
7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII)
2011年03月16日, 口頭発表（招待・特別） - サファイア基板上へのInN、AlN HVPE成長
電子ジャーナル第645回テクニカルセミナー「サファイア基板とその応用★徹底解説」
2010年12月21日, 口頭発表（招待・特別） - 水素・窒素混合雰囲気における高温熱処理がc面sapphire基板表面に与える影響
応用物理学会結晶工学分科会2010年年末講演会
2010年12月17日, ポスター発表 - ハライド気相成長法を用いたsapphire(0001)基板上ZnO二段階成長
応用物理学会結晶工学分科会2010年年末講演会
2010年12月17日, ポスター発表 - 第一原理計算による窒化物表面へのV族原料吸着過程の解析
東北大学多元物質科学研究所窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会
2010年11月05日, ポスター発表 - Control of in-plane Epitaxial Relationship of c-plane AlN Layers Grown on a-plane Sapphire Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
2010年09月22日, 口頭発表（一般） - First-principle Study on the Effect of Surface Hydrogen Coverage on the Adsorption Process of Ammonia on the InN(0001) Surfaces
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
2010年09月20日, ポスター発表 - Influence of Hydrogen Gas on the Growth of Semi-polar InN
International Workshop on Nitride Semiconductors 2010 (IWN2010)
2010年09月20日, ポスター発表 - ハライド気相成長法によるc面sapphire基板上ZnO二段階成長
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月17日, 口頭発表（一般） - 第一原理計算によるAlN(0001)表面へのV族原料吸着過程の解析
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月16日, 口頭発表（一般） - AlN及びAlN成長用初期基板の格子定数の温度依存性測定
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月16日, 口頭発表（一般） - GaCl3を用いたGaNのHVPE成長
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月14日, 口頭発表（一般） - a面sapphire基板上c面AlN HVPE成長における面内配向性の制御
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月14日, 口頭発表（一般） - 非c軸配向AlNグレインを利用した6H-SiC(0001)基板上AlNのSelf-ELO
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月14日, 口頭発表（一般） - 高温熱処理によるc面sapphire基板表面の窒化
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月14日, 口頭発表（一般） - GaAs(110)基板上半極性InNのMOVPE成長
第71回応用物理学会学術講演会
2010年09月14日, 口頭発表（一般） - Growth of InN Films by Hydride Vapor Phase Epitaxy
The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
2010年08月12日, 口頭発表（招待・特別） - Effect of High NH3 Input Partial Pressure on HVPE of InN on (0001) Sapphire Substrates
The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
2010年08月12日, 口頭発表（一般） - Thermodynamic Analysis on HVPE Growth of InGaN Ternary Alloy
The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
2010年08月10日, ポスター発表 - Two-Step Growth of (0001) ZnO Single Crystal Layers on (0001) Sapphire Substrates by Halide Vapor Phase Epitaxy
The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
2010年08月10日, 口頭発表（一般） - Growth of Semi-Polar InN Layer on GaAs(110) Surface by MOVPE
The 16th International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICCG-16/ICVGE-14)
2010年08月09日, 口頭発表（一般） - Hydride vapor-phase epitaxy of GaN using GaCl3
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
2010年07月16日, ポスター発表 - Temperature dependence of the lattice constants of single crystal AlN
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
2010年07月15日, ポスター発表 - Carrier Gas Dependence of a-Plane AlN Layer Growth on r-Plane Sapphire Substrates at Initial Stage by Hydride Vapor Phase Epitaxy
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
2010年07月15日, ポスター発表 - Effects of growth temperature on the crystal orientation of InN on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
2010年07月14日, ポスター発表 - Influence of GaN substrate polarity on InN growth by hydride vapor phase epitaxy
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
2010年07月14日, ポスター発表 - Influence of nucleation behavior in the initial growth stage on the HVPE growth of InN on sapphire (0001) substrates
29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
2010年07月14日, ポスター発表 - Tri-halide vapor-phase epitaxy of GaN
The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
2010年07月05日, ポスター発表 - Theoretical study on the influence of surface hydrogen coverage on the initial growth process of AlN(0001) surface
The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-3)
2010年07月05日, ポスター発表 - Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN at High Temperatures on Freestanding (0001)AlN Substrates
2010 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (22nd IPRM)
2010年06月02日, 口頭発表（一般） - Lattice constants of AlN in the range 25–1600ºC investigated by using a quasi-bulk crystal grown by hydride vapor phase epitaxy
The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010)
2010年06月02日, 口頭発表（一般） - 第一原理計算による気相成長法におけるGaN(0001)へのV族原料吸着過程の解析
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
2010年05月15日, ポスター発表 - InGaN三元混晶のHVPE成長に関する熱力学的考察
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
2010年05月15日, ポスター発表 - サファイア(0001)基板上InN HVPE成長における成長初期核制御の効果
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
2010年05月15日, ポスター発表 - 窒化物半導体のHVPE成長－表面反応解析から結晶成長へ－
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
2010年05月14日, 口頭発表（基調） - 単結晶AlNの格子定数の温度依存性
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
2010年05月14日, ポスター発表 - r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長初期過程におけるキャリアガスの影響
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
2010年05月14日, ポスター発表 - GaN自立基板上InNハイドライド気相成長における基板極性の影響
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第2回窒化物半導体結晶成長講演会
2010年05月14日, ポスター発表 - r面sapphire基板上a面AlN HVPE成長におけるキャリアガスの影響
第57回応用物理学関係連合講演会
2010年03月17日, 口頭発表（一般） - 高温その場X線回折による単結晶AlNの格子定数の温度依存性測定
第57回応用物理学関係連合講演会
2010年03月17日, 口頭発表（一般） - サファイア(0001)基板上InN HVPE成長におけるNH3供給分圧変調効果
第57回応用物理学関係連合講演会
2010年03月17日, 口頭発表（一般） - ハイドライド気相成長法によるGaN自立基板上InN成長の極性依存性
第57回応用物理学関係連合講演会
2010年03月17日, 口頭発表（一般） - ZnO基板上へのHVPE-MgZnO膜の成長および特性評価
第57回応用物理学関係連合講演会
2010年03月17日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるMgZnO成長における混晶組成制御
第57回応用物理学関係連合講演会
2010年03月17日, 口頭発表（一般） - Surface analysis of Ga- and N-polar GaN by angle resolved X-ray photoelectron spectroscopy
37th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI 37)
2010年01月13日, ポスター発表 - AlN/sapphire界面ボイドの形成を利用したfreestanding AlN基板の作製
応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
2009年12月11日, ポスター発表 - ハイドライド気相成長法によるsapphire(0001)基板上InN成長の成長温度依存性
応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
2009年12月11日, ポスター発表 - ZnCl2-H2O系HVPEにより高温成長したホモエピタキシャルZnO膜の特性評価
応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
2009年12月11日, ポスター発表 - ハライド気相成長法によるZnO単結晶薄膜のヘテロエピタキシャル成長
応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会
2009年12月11日, ポスター発表 - ZnCl2-H2O系HVPE法によるZnO高温ホモエピタキシャル成長
第39回結晶成長国内会議（NCCG-39）
2009年11月14日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法によるZnO成長における成長温度・VI/II比の影響
第39回結晶成長国内会議（NCCG-39）
2009年11月14日, 口頭発表（一般） - 水素雰囲気下におけるAlN(0001)面の分解過程の理論解析
第39回結晶成長国内会議（NCCG-39）
2009年11月14日, 口頭発表（一般） - Si汚染の低減を目指したAlN-HVPE成長のための原料探索
第39回結晶成長国内会議（NCCG-39）
2009年11月14日, 口頭発表（一般） - AlN/sapphire界面ボイドの形成制御により自発分離したAlN自立基板の特性
第39回結晶成長国内会議（NCCG-39）
2009年11月13日, ポスター発表 - HVPE法を用いたsapphire (0001)基板上InN成長における成長温度の影響
第39回結晶成長国内会議（NCCG-39）
2009年11月13日, ポスター発表 - Temperature dependence of InN growth on (0001) sapphire substrates by atmospheric pressure hydride vapor phase epitaxy
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
2009年10月20日, ポスター発表 - Selective growth of InN on patterned GaAs(111)B substrate –Influence of InN decomposition at the interface–
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
2009年10月19日, ポスター発表 - Theoretical investigation of the decomposition mechanism of AlN(0001) surface under a hydrogen atmosphere
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
2009年10月19日, ポスター発表 - XPS spectra of (0001) and (000-1) GaN surfaces
The 8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-8)
2009年10月19日, ポスター発表 - 気相成長法におけるGaN(0001)の成長初期過程の理論解析
第70回応用物理学会学術講演会
2009年09月11日, 口頭発表（一般） - sapphire (0001)基板上InN HVPE成長における成長温度依存性
第70回応用物理学会学術講演会
2009年09月10日, 口頭発表（一般） - Investigation of source precursor for AlN-HVPE to decrease Si-contamination
6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI)
2009年08月25日, 口頭発表（招待・特別） - Growth of 2H-AlN films on Si(111) grown by RF-MBE using an interface reaction epitaxy and AM-MEE for HVPE growth
6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI)
2009年08月24日, 口頭発表（招待・特別） - Investigation of void formation beneath thin AlN layers by decomposition of sapphire substrates for self-separation of thick AlN layers grown by HVPE
6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI)
2009年08月24日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE AlN厚膜自発分離の最適化に向けたAlN/sapphire (0001)界面ボイドの拡張制御
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
2009年05月16日, ポスター発表 - AlN-HVPE成長のための原料探索 －熱力学解析－
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
2009年05月16日, ポスター発表 - XPSを用いたGaN結晶の表面改質評価
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
2009年05月15日, ポスター発表 - 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)の分解過程の解析
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
2009年05月15日, ポスター発表 - 成長モード制御によるMOVPE-InNの高品質化の検討
日本結晶成長学会ナノエピ分科会 第1回窒化物半導体結晶成長講演会
2009年05月15日, ポスター発表 - ZnO基板上に高温HVPE成長したZnOホモエピタキシャル層の特性評価
第56回応用物理学関係連合講演会
2009年04月02日, 口頭発表（一般） - ZnCl2とH2Oを原料気体とするHVPE法によるZnO薄膜の高温成長
第56回応用物理学関係連合講演会
2009年04月02日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるZnO/sapphireテンプレート上へのZnO成長
第56回応用物理学関係連合講演会
2009年04月02日, 口頭発表（一般） - sapphire (0001)基板上HVPE AlN厚膜自発分離のための界面ボイド拡張制御
第56回応用物理学関係連合講演会
2009年04月01日, ポスター発表 - 熱力学解析によるAlN-HVPE成長のための原料探索 ‐Si汚染の低減を目指して‐
第56回応用物理学関係連合講演会
2009年04月01日, ポスター発表 - その場測定による水素雰囲気下6H-SiC表面反応メカニズムの検討
第56回応用物理学関係連合講演会
2009年03月31日, ポスター発表 - AlN自立基板上へのAlN高温HVPE成長
応用物理学会結晶工学分科会2008年年末講演会
2008年12月11日, ポスター発表 - Sapphire初期基板上にHVPE成長したAlN厚膜の自発分離プロセスの考案
応用物理学会結晶工学分科会2008年年末講演会
2008年12月11日, ポスター発表 - その場測定を用いた6H-SiC{0001}面の高温下における表面反応メカニズム面極性依存性の解明
応用物理学会結晶工学分科会2008年年末講演会
2008年12月11日, ポスター発表 - Comparison of decomposition processes of R- and m-plane sapphire studied by ab initio calculation
第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）
2008年11月06日, 口頭発表（一般） - HVPE法を用いたAlGaN結晶の成長と評価
第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）
2008年11月05日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるAlN(0001)自立基板上へのAlN高温成長
第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）
2008年11月05日, 口頭発表（一般） - AlN/sapphire界面void形成によるAlN厚膜の自己分離
第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）
2008年11月05日, 口頭発表（一般） - InN{0001}の窒素及び水素雰囲気下における分解の極性依存性
第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）
2008年11月05日, 口頭発表（一般） - サファイア基板上AlN薄膜下へのボイド形成によるAlN厚膜の自発的リフトオフ
第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）
2008年11月04日, 口頭発表（一般） - 水素雰囲気下6H-SiC {0001}表面反応過程のその場測定
第38回結晶成長国内会議（NCCG-38）
2008年11月04日, 口頭発表（一般） - Investigation of Polarity Dependent InN{0001} Decomposition in N2 and H2 Ambient
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月09日, 口頭発表（一般） - Progress in Preparation of Freestanding AlN Substrates by Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月08日, 口頭発表（招待・特別） - AlN Nano-islands Prepared from Polarity-Controlled Buffer Layer by Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月08日, 口頭発表（一般） - Controlled Formation of Voids at the AlN and Sapphire Interface by the Sapphire Decomposition for Self-Separation of AlN Layers
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月07日, ポスター発表 - Ab Initio Calculation for an Initial Growth Process of GaN on (0001) and (000-1) Surfaces by Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月06日, ポスター発表 - Measurement of Misorientation of AlN Layer Grown on (111)Si for Freestanding Substrate
International Workshop on Nitride Semiconductors 2008 (IWN2008)
2008年10月06日, ポスター発表 - Influence of growth condition on homoepitaxy of ZnO by halide vapor phase epitaxy
5th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
2008年09月22日, ポスター発表 - Homoepitaxial growth of high-quality ZnO layers at 1000 ºC by halide vapor phase epitaxy
5th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
2008年09月22日, ポスター発表 - Nucleation and coalescence behavior for halide vapor phase epitaxy-grown ZnO on ZnO templates
5th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials
2008年09月22日, ポスター発表 - 窒素及び水素雰囲気下におけるInN{0001}分解の極性依存性
第69回応用物理学会学術講演会
2008年09月04日, 口頭発表（一般） - サファイア(0001)初期基板を用いたAlN自立基板の作製
第69回応用物理学会学術講演会
2008年09月04日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるサファイア基板上クラックフリーAlNテンプレートの作製
第69回応用物理学会学術講演会
2008年09月04日, 口頭発表（一般） - 水素雰囲気下におけるGaN(0001)表面の分解過程の理論解析
第69回応用物理学会学術講演会
2008年09月04日, 口頭発表（一般） - SiC (0001) Si面 - H2系における表面反応速度のその場測定
第69回応用物理学会学術講演会
2008年09月04日, 口頭発表（一般） - In situグラヴィメトリック法による6H-SiC(0001)Si面の表面分解速度の測定
第69回応用物理学会学術講演会
2008年09月02日, 口頭発表（一般） - Hydride vapor phase epitaxy of AlN and AlGaN
XXI Congress of the International Union of Crystallography (IUCr 2008)
2008年08月27日, 口頭発表（一般） - High temperature growth of a crack-free AlN layer on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy
27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
2008年07月10日, ポスター発表 - Facet formation of InN for the growth of high quality InN layers on GaAs (111)B surfaces by MOVPE
27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
2008年07月10日, ポスター発表 - Investigation of surface reactions between (0001) C-plane sapphire and NH3 by in situ gravimetric monitoring method
27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
2008年07月09日, ポスター発表 - First-principle calculation for the decomposition process of the reconstructed GaN(0001) surface under a hydrogen atmosphere
27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
2008年07月09日, ポスター発表 - Study of the decomposition of R-plane sapphire by the first principles calculation
27th Electronic Materials Symposium (EMS-27)
2008年07月09日, ポスター発表 - In situ Gravimetric Monitoring of Surface Reactions between Sapphire and NH3
2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
2008年07月08日, ポスター発表 - Theoretical Investigation on the Decomposition Process of GaN(0001) Surface under a Hydrogen Atmosphere
2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
2008年07月07日, ポスター発表 - Preparation of a crack-free AlN template layer on sapphire substrate by hydride vapor phase epitaxy at 1450ºC
2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2)
2008年07月07日, ポスター発表 - HVPE法によるInN厚膜成長の現状と課題
電子情報通信学会研究会「材料デバイスサマーミーティング：インジウムナイトライドの現状と将来」
2008年06月27日, 口頭発表（招待・特別） - Improvements in crystalline quality of MOVPE-InN layers by facet controlling with hydrogen partial pressure
14th International Conference of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-14)
2008年06月04日, ポスター発表 - 窒化物気相成長の熱力学解析
2008年日本結晶成長学会特別講演会
2008年04月18日, 口頭発表（招待・特別） - In situグラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(0001)C面サファイア表面反応メカニズム
第55回応用物理学関係連合講演会
2008年03月29日, 口頭発表（一般） - HVPEによるInN成長と表面反応メカニズム
プレISGN-2シンポジウム「未来を切り開く窒化物半導体結晶」
2007年12月19日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE法によるInN成長と表面反応メカニズム
平成19年度東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究会
2007年10月26日, 口頭発表（一般） - HVPE of AlN and AlGaN
Meijo International Symposium on Nitride Semiconductors 2007
2007年10月20日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE Growth of AlN, AlGaN and InN
7th Akasaki Research Center Symposium “To the New Horizon of the Nitride Research”
2007年10月19日, 口頭発表（招待・特別） - Theoretical Study of AlN Decomposition Processes in Hydrogen Atmosphere
The 34th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2007)
2007年10月16日, ポスター発表 - Polarity-dependent growth of InN on Ga- and N-polar GaN surfaces by hydride vapor phase epitaxy
5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-V)
2007年09月28日, 口頭発表（招待・特別） - Polarity Control of 2H-AlN templates on Si(111) grown by RF-MBE using a mode change MEE for HVPE growth
5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-V)
2007年09月28日, 口頭発表（招待・特別） - N-polar AlN sacrificial layers grown by MOCVD for free-standing AlN substrates
5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-V)
2007年09月28日, 口頭発表（招待・特別） - High temperature growth of AlN by solid source HVPE with local heating system
5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-V)
2007年09月28日, 口頭発表（招待・特別） - Hydride vapor phase epitaxy of AlxGa1-xN layers on GaN substrates
5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-V)
2007年09月28日, 口頭発表（招待・特別） - Experimental and Ab-Initio Studies of Temperature Dependent InN Decomposition in Various Ambient
7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
2007年09月19日, ポスター発表 - Growth of Thin Protective AlN Layers on Sapphire Substrates at 1065ºC for Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN above 1300ºC
7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
2007年09月17日, 口頭発表（一般） - Characterization of a Freestanding AlN Substrate Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
7th International Conference of Nitride Semiconductors (ICNS-7)
2007年09月17日, 口頭発表（一般） - 第一原理計算による水素雰囲気下におけるGaN(0001)および(000-1)面の分解過程の解析
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月08日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるsapphire基板上AlN高温成長における中間層導入の効果
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月07日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるSi-doped AlN成長の検討
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月07日, 口頭発表（一般） - Si (111)基板を初期基板に用いたHVPE法によるAlN自立基板の作製
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月07日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるGaN基板上高品質AlxGa1-xN成長
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月07日, 口頭発表（一般） - In situグラヴィメトリック法によるNH3雰囲気下(0001)c面サファイア分解速度の測定
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月07日, 口頭発表（一般） - GaN {0001}基板を用いたInN HVPE成長における極性制御
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月06日, 口頭発表（一般） - 様々な雰囲気下におけるN極性InN分解の温度依存性
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月06日, 口頭発表（一般） - 原料分子制御HVPE法によるAlN，AlGaNおよびInN成長
第68回応用物理学会学術講演会
2007年09月05日, 口頭発表（一般） - In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (10-12) r-plane Sapphire for the High Temperature Growth of non-polar AlN
15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15)
2007年08月16日, 口頭発表（一般） - HVPE growth of AlN and AlGaN
15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15)
2007年08月16日, 口頭発表（招待・特別） - Ab initio calculation of decomposition GaN (0001) and (000-1) surfaces
15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15)
2007年08月14日, ポスター発表 - Influence of hydrogen input partial pressure on the polarity of InN on GaAs (111)A grown by metalorganic vapor phase epitaxy
15th International Conference on Crystal Growth (ICCG-15)
2007年08月13日, ポスター発表 - Effect of hydrogen partial pressure on the growth of InN layers on GaAs (111)A surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy
26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
2007年07月05日, ポスター発表 - Decomposition Rate on the Surface of (10-12) r-plane Sapphire Monitored by in situ Gravimetric Monitoring Method for the High Temperature Growth of non-polar AlN
26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
2007年07月05日, ポスター発表 - High Temperature Growth of High-Quality AlN by Solid-Source HVPE
26th Electronic Materials Symposium (EMS-26)
2007年07月05日, ポスター発表 - 高温H2雰囲気下における{0001}AlN分解の面極性依存性
第54回応用物理学関係連合講演会
2007年03月27日, 口頭発表（一般） - 3C-SiC/Siテンプレート上へのAlNのHVPE成長
第54回応用物理学関係連合講演会
2007年03月27日, 口頭発表（一般） - GaN自立基板上へのAlGaNのHVPE成長
第54回応用物理学関係連合講演会
2007年03月27日, 口頭発表（一般） - GaN(0001)/(000-1)面の表面再構成面の解析
第36回結晶成長国内会議（NCCG-36）
2006年11月01日, 口頭発表（一般） - Theoretical investigation of Al desorption process from (0001) AlN surface
第36回結晶成長国内会議（NCCG-36）
2006年11月01日, 口頭発表（一般） - HVPE法を用いたAlGaN三元混晶エピタキシー
第36回結晶成長国内会議（NCCG-36）
2006年11月01日, 口頭発表（一般） - GaAs初期基板上半絶縁性GaN成長に向けたFeドーピングメカニズムの解明
第36回結晶成長国内会議（NCCG-36）
2006年11月01日, 口頭発表（一般） - First-Principles Calculation and X-ray Absorption Fine Structure Analysis of Fe Doping Mechanism for Semi-Insulating GaN Growth on GaAs Substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006)
2006年10月25日, 口頭発表（一般） - In situ Gravimetric Monitoring of Decomposition Rate on the Surface of (0001) c-plane Sapphire for the High Temperature Growth of AlN
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006)
2006年10月24日, ポスター発表 - A New System for Growing Thick InN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors 2006 (IWN2006)
2006年10月23日, ポスター発表 - RF-MBE growth of 2H-AlN templates by using a mode change MEE on Si(111) for HVPE growth
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IV)
2006年10月21日, 口頭発表（招待・特別） - Properties of Fe-doped semi-insulating GaN substrates for high-frequency device fabrication
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IV)
2006年10月21日, 口頭発表（招待・特別） - Improvement of AlN crystalline quality with high epitaxial growth rate by hydride vapor phase epitaxy
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IV)
2006年10月20日, 口頭発表（招待・特別） - Improvement of crystalline quality for Al- and N-polar AlN layers by modified flow-modulation MOCVD growth
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IV)
2006年10月20日, 口頭発表（招待・特別） - Polarity dependence of AlN {0001} decomposition in flowing H2
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IV)
2006年10月20日, 口頭発表（招待・特別） - HVPE growth of AlxGa1-xN ternary alloy using AlCl3 and GaCl
4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IV)
2006年10月18日, 口頭発表（招待・特別） - サファイア(0001)基板上へのAlN HVPE成長における原料供給順序の影響
第67回応用物理学会学術講演会
2006年08月30日, 口頭発表（一般） - 原料分子制御法によるサファイア(0001)基板上InNのHVPE成長
第67回応用物理学会学術講演会
2006年08月29日, 口頭発表（一般） - In situグラヴィメトリック法による(0001)c面サファイアの表面分解過程のその場測定
第67回応用物理学会学術講演会
2006年08月29日, 口頭発表（一般） - 第一原理計算及びX線吸収微細構造解析によるGaAs初期基板上半絶縁性GaN成長を目指したFeドーピングメカニズムの解明
第67回応用物理学会学術講演会
2006年08月29日, 口頭発表（一般） - HVPE法によるAlNの高温・高速エピタキシャル成長
第67回応用物理学会学術講演会
2006年08月29日, 口頭発表（一般） - Effect of arsenic desorption on MOVPE-grown InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces
25th Electronic Materials Symposium (EMS-25)
2006年07月05日, ポスター発表 - Growth of AlxGa1-xN ternary alloy by hydride vapor phase epitaxy
First International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-1)
2006年06月07日, ポスター発表 - Thermodynamic approach to the growth of III-nitrides
First International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-1)
2006年06月06日, 口頭発表（招待・特別） - High-speed epitaxial growth of AlN above 1200ºC by hydride vapor phase epitaxy
First International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-1)
2006年06月05日, ポスター発表 - Hydride vapor phase epitaxy of InN by the formation of InCl3 using In metal and Cl2
First International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-1)
2006年06月05日, 口頭発表（招待・特別） - Influences of surface atom arrangement on the growth of InN layers on GaAs (111)A and (111)B surfaces by metalorganic vapor phase epitaxy
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-13)
2006年05月26日, 口頭発表（一般） - Improvement of crystalline quality of N-polar AlN layers on c-plane sapphire by low-pressure flow-modulated MOCVD
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-13)
2006年05月23日, 口頭発表（一般） - MOVPE-like HVPE of AlN using Solid Aluminum Trichloride Source
13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-13)
2006年05月23日, 口頭発表（一般） - GaAsを初期基板に用いたHVPE成長によるFeドープ半絶縁性GaN基板の作製
第53回応用物理学関係連合講演会
2006年03月25日, 口頭発表（一般） - AlGaN三元混晶厚膜エピタキシーを目指したHVPE成長
第53回応用物理学関係連合講演会
2006年03月25日, 口頭発表（一般） - Si基板上低温GaNバッファ層成長における水素キャリアガスの影響
第53回応用物理学関係連合講演会
2006年03月22日, 口頭発表（一般） - ハイドライド気相成長法によるGaN, AlN擬似バルク結晶の作製
東北大学学際センター研究会，「窒化物単結晶基板技術の新たな展開」
2006年01月13日, 口頭発表（招待・特別） - DEEP法によるGaN結晶
第66回応用物理学会学術講演会
2005年09月10日, 口頭発表（一般） - Al原料反応部を伴わない新しいAlN-HVPE成長
第66回応用物理学会学術講演会
2005年09月08日, 口頭発表（一般） - Thermodynamics on Hydride Vapor Phase Epitaxy of AlN Using AlCl3 and NH3
6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
2005年08月30日, 口頭発表（一般） - Thermodynamic study on the role of hydrogen during hydride vapor phase epitaxy of AlxGa1-xN
6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6)
2005年08月29日, ポスター発表 - AlCl3固体原料を用いたAlN成長
第35回結晶成長国内会議（NCCG-35）
2005年08月17日, 口頭発表（一般） - ハライド気相成長法によるAlxGa1-xN成長の熱力学解析 －キャリアガス中水素分圧の影響－
第35回結晶成長国内会議（NCCG-35）
2005年08月17日, 口頭発表（一般） - 二成分完全固溶体結晶の実効分配係数の成長条件依存
第35回結晶成長国内会議（NCCG-35）
2005年08月17日, 口頭発表（一般） - MOVPE growth of GaN buffer layer directly on Si substrate
24th Electronic Materials Symposium (EMS-24)
2005年07月05日, ポスター発表 - Thermodynamic study on hydride vapor phase epitaxy of AlxGa1-xN
24th Electronic Materials Symposium (EMS-24)
2005年07月05日, ポスター発表 - GaNバッファー層を用いたGaN/Si(111)のMOVPE成長
第52回応用物理学関係連合講演会
2005年03月31日, ポスター発表 - サファイアおよびGaAs基板上へのFeドープGaN厚膜成長
第52回応用物理学関係連合講演会
2005年03月30日, ポスター発表 - AlGaN三元混晶のHVPE成長は可能か？
第52回応用物理学関係連合講演会
2005年03月30日, ポスター発表 - AlNのHVPE成長の熱力学解析
第52回応用物理学関係連合講演会
2005年03月30日, ポスター発表 - MOVPE AlN/sapphireテンプレート上へのAlNのHVPE成長
第52回応用物理学関係連合講演会
2005年03月30日, 口頭発表（一般） - HVPEによるAlN成長
応用物理学会応用電子物性分科会研究例会，「窒化アルミニウム －結晶・プロセス・デバイスの最前線－」
2004年10月29日, 口頭発表（招待・特別） - ハイドライド気相成長法によるAl系窒化物の高速成長 －AlNの高速成長は可能か？－
電子情報通信学会技術研究報告〔電子デバイス〕
2004年10月21日, 口頭発表（一般） - Growth of thick AlN by hydride vapor phase epitaxy
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors III (IWBNS-III)
2004年09月07日, 口頭発表（招待・特別） - Thermodynamic analysis of AlGaN HVPE growth
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors III (IWBNS-III)
2004年09月06日, 口頭発表（招待・特別） - 様々な窒素源を用いたIn系窒化物MOVPE成長の熱力学解析
第65回応用物理学会学術講演会
2004年09月01日, 口頭発表（一般） - GaN/GaPヘテロ成長と基板面方位
第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）
2004年08月27日, 口頭発表（一般） - 第一原理計算によるIn系窒化物原料の熱力学データ
第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）
2004年08月27日, 口頭発表（一般） - 様々な窒素源を用いたMOVPE法によるInNおよびInGaNの成長の熱力学解析
第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）
2004年08月27日, 口頭発表（一般） - InGaN光励起MOVPEにおける薄膜物性の光強度依存性
第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）
2004年08月27日, 口頭発表（一般） - II-IV-V2族磁性半導体薄膜のMBE成長に向けた理論検討
第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）
2004年08月26日, 口頭発表（一般） - 完全固溶体における実効分配係数の結合エネルギー依存性
第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）
2004年08月26日, 口頭発表（一般） - 表面光吸収法によるGaAs(111)A面からのAs脱離過程のその場観察
第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）
2004年08月25日, 口頭発表（一般） - Impact of crystallization manner of buffer layer on the crystalline quality of GaN epitaxial layer on GaAs (111)A substrate
14th International Conference on Crystal Growth (ICCG-14)
2004年08月10日, ポスター発表 - GaN growth process using GaP(111)A and (111)B surfaces as an initial substrate
14th International Conference on Crystal Growth (ICCG-14)
2004年08月09日, ポスター発表 - Growth and Characterization of Thick GaN Layers with High Fe Doping
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2004)
2004年07月22日, 口頭発表（一般） - Growth of Thick AlN Layer on Sapphire (0001) Substrate Using Hydride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2004)
2004年07月22日, 口頭発表（一般） - High Fe doping during thick GaN layer growth on sapphire (0001)
23rd Electronic Materials Symposium (EMS-23)
2004年07月08日, ポスター発表 - Thermodynamic Analyses of the MOVPE Growth of Indium Containing Nitrides Using Various Nitrogen Sources
23rd Electronic Materials Symposium (EMS-23)
2004年07月08日, ポスター発表 - Hydride Vapor Phase Epitaxy of Thick AlN Layer on Sapphire (0001) Substrate
23rd Electronic Materials Symposium (EMS-23)
2004年07月08日, ポスター発表 - Thermodynamic Analysis of InN and InxGa1-xN MOVPE Using Various Nitrogen Sources
12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-12)
2004年06月03日, ポスター発表 - Influence of Laser Power on Crystalline Quality of InGaN with High Indium Content Grown by Pulse Laser Assisted MOVPE
12th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-12)
2004年05月31日, ポスター発表 - Hydride vapor phase epitaxy of AlN: Thermodynamic analysis and its application to actual growth
5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5)
2003年05月26日, ポスター発表 - Temperature ramping rate dependence of thick GaN growth on GaN buffer/GaAs(111)A substrates
21st Electronic Materials Symposium (EMS-21)
2002年06月19日, ポスター発表 - Thick and High Quality GaN Growth on GaAs (111) Substrates for Preparation of Freestanding GaN
International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors
2002年05月20日, 口頭発表（招待・特別） - GaAs(111)A面上GaN厚膜成長における昇温速度の影響
第49回応用物理学関係連合講演会
2002年03月30日, ポスター発表 - Comparison of GaN Buffer Layers Grown on GaAs (111)A and (111)B Surfaces
4th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-4)
2001年07月17日, ポスター発表 - Thick and high quality GaN growth on GaAs (111)A surfaces for preparation of freestanding GaN substrates
Frontier Science Research Conferences on Science and Technology of Crystal and Epitaxial Growth
2001年03月20日, 口頭発表（招待・特別） - Influence of Growth Temperature on the Crystalline Quality of Hexagonal GaN Layer on GaAs (111)A by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000)
2000年09月26日, ポスター発表 - MOHVPE法によるGaAs(111)A面上GaN厚膜成長の温度依存性
第61回応用物理学会学術講演会
2000年09月04日, ポスター発表 - Thermodynamic Analysis of β-FeSi2 Growth by Vapor Phase Epitaxy
19th Electronic Materials Symposium (EMS19)
2000年06月29日, ポスター発表 - 気相法によるβ鉄シリサイド成長の検討
第47回応用物理学関係連合講演会
2000年03月30日, 口頭発表（一般） - GaAs(111)A面上でのGaNのMOHVPE成長
第47回応用物理学関係連合講演会
2000年03月28日, 口頭発表（一般） - In Situ Gravimetric Monitoring of Halogen Transport Atomic Layer Epitaxy of Cubic-GaN
3rd International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-3)
1999年10月27日, 口頭発表（一般） - Thermodynamics on MOVPE Growth of Group III Nitrides Using Hydrazine as N Source
18th Electronic Materials Symposium (EMS '99)
1999年07月01日, ポスター発表 - Effect of H2 Anneal on the Formation of SiO2/Si(100) Interface
Seminar on Surface Reactions
1998年02月20日, 口頭発表（招待・特別） - 酸化前H2アニールによるSiO2/Si(100)界面の平坦化
極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性
1998年01月23日, 口頭発表（一般） - Formation of Atomically Flat Si(100) Surface by H2 Ambient Annealing and Its Preservation Through the Oxidation Process
28th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
1997年12月04日, ポスター発表 - Formation of Periodic Step and Terrace Structure on Si(100) Surface during Annealing in Hydrogen Diluted with Inert Gas
44th National Symposium of American Vacuum Society
1997年10月21日, 口頭発表（一般） - He希釈したH2中アニールで平坦化されたSi(100)表面の熱酸化に伴う変化
第58回応用物理学会学術講演会
1997年10月02日, 口頭発表（一般） - A 4 ML Height Layer-by-Layer Growth and Increase of the Critical Thickness of Ge MBE Growth on Boron Preadsorbed Si(111) Surface
37th Electronic Materials Conference
1995年06月22日, 口頭発表（一般） - Si(111)表面吸着BがGeのMBE成長様式に与える影響
第42回応用物理学関係連合講演会
1995年03月29日, 口頭発表（一般） - B吸着Si(111)上Si MBEにおけるB表面偏析，成長様式の基板温度依存性
第55回応用物理学会学術講演会
1994年09月21日, 口頭発表（一般） - Temperature dependence of boron surface segregation in Si MBE growth over Si(111)√3×√3-B surface
8th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE-8)
1994年08月30日, ポスター発表 - Si(111)表面へのB吸着とSi成長への影響
第41回応用物理学関係連合講演会
1994年03月29日, 口頭発表（一般） - Planar to Columnar Structure Transition of MBE Grown Si/PtSi/Si(111) Double Heterostructure
1st International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-1)
1993年11月11日, ポスター発表 - PtSi(010)/Si(111)構造上へのSiのエピタキシャル成長
第40回応用物理学関係連合講演会
1993年03月29日, 口頭発表（一般） - 同時蒸着によるSi(111)基板上へのPtSi層の低温形成
第53回応用物理学会学術講演会
1992年09月16日, 口頭発表（一般） - PtSi/p-Si Schottoky Barrier Formed by Co-Evaporation of Pt and Si
11th Symposium on Alloy Semiconductor Physics and Electronics (ASPEcs-11)
1992年07月09日, ポスター発表 - HF処理したSi(111)基板上でのMBEにおけるRHEED強度振動
第39回応用物理学関係連合講演会
1992年03月30日, 口頭発表（一般） - 基板加熱清浄化工程がPtSi/p-Siショットキー特性に及ぼす影響
第52回応用物理学会学術講演会
1991年10月11日, 口頭発表（一般）
外部研究資金等
- N極性AlN系デバイスの検討に関する研究
共同研究, 自 2024年08月07日, 至 2025年02月28日 - 次世代省エネ型デバイス関連技術の開発・実証事業（第二期）
受託研究, 自 2024年04月01日, 至 2025年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2024年, 至 2024年 - 高耐圧酸化ガリウムエピタキシャル成長技術開発
共同研究, 自 2023年04月01日, 至 2025年03月31日 - 次世代省エネ型デバイス関連技術の開発・実証事業
受託研究, 自 2023年04月01日, 至 2024年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2023年, 至 2023年 - 高耐圧酸化ガリウムエピタキシャル成長技術開発
共同研究, 自 2022年04月04日, 至 2023年03月31日 - MOVPE法およびHVPE法による酸化ガリウム（β-Ga2O3）薄膜成長に関する研究
共同研究, 自 2022年04月01日, 至 2025年03月31日 - 次世代省エネ型デバイス関連技術の開発・実証事業
受託研究, 自 2022年04月01日, 至 2023年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2022年, 至 2022年 - 次世代省エネ型デバイス関連技術の開発・実証事業
受託研究, 自 2021年08月10日, 至 2022年03月31日 - HVPE法によるn型AlN合成プロセスの研究
共同研究, 自 2021年04月01日, 至 2022年03月31日 - 高耐圧酸化ガリウムエピタキシャル成長技術開発
共同研究, 自 2021年04月01日, 至 2022年03月31日 - MOVPE法による酸化ガリウム（β-Ga2O3）薄膜成長に関する研究
共同研究, 自 2021年04月01日, 至 2022年03月31日 - 高純度・高速AlN基板成長技術の確立
受託研究, 自 2021年04月01日, 至 2022年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2021年, 至 2021年 - MOVPE法による酸化ガリウム（β-Ga2O3）薄膜成長に関する研究
共同研究, 自 2020年10月01日, 至 2021年03月31日 - 熱反応流体解析による炉内構造最適化
共同研究, 自 2020年07月01日, 至 2022年03月31日 - 高純度・高速AlN基板成長技術の確立
受託研究, 自 2020年04月01日, 至 2021年03月31日 - 高耐圧酸化ガリウムエピタキシャル成長技術開発
共同研究, 自 2020年04月01日, 至 2021年03月31日 - HVPE法によるn型AlN合成プロセスの研究
共同研究, 自 2020年04月01日, 至 2021年03月31日 - AlN種結晶上HVPE AlN結晶成長の高速化、大面積化に関する研究
共同研究, 自 2020年03月01日, 至 2025年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2020年, 至 2020年 - β-Ga2O3成長条件解析および成膜実証
共同研究, 自 2019年11月26日, 至 2020年06月30日 - 高純度・高速AlN基板成長技術の確立
受託研究, 自 2019年04月01日, 至 2020年03月31日 - HVPE法によるn型AlN合成プロセスの研究
共同研究, 自 2019年04月01日, 至 2020年03月31日 - 高耐圧酸化ガリウムエピタキシャル成長技術開発
共同研究, 自 2019年03月22日, 至 2020年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2019年, 至 2019年 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2019年, 至 2019年 - 高純度・高速AlN基板成長技術の確立
受託研究, 自 2018年04月01日, 至 2019年03月31日 - 大口径酸化ガリウムHVPE炉の開発
共同研究, 自 2018年04月01日, 至 2019年03月31日 - HVPE法によるn型AlN合成プロセスの研究
共同研究, 自 2018年04月01日, 至 2019年03月31日 - 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
受託研究, 自 2018年04月, 至 2019年02月 - 高純度・高速AlN基板成長技術の確立
受託研究, 自 2017年12月, 至 2018年03月 - 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
受託研究, 自 2017年04月, 至 2018年03月 - HVPE法によるn型AIN合成プロセスの研究
共同研究, 自 2017年04月, 至 2018年03月 - 2インチ酸化ガリウムHVPE炉の開発
共同研究, 自 2017年04月, 至 2018年03月 - GaNの高温アニールに関する研究
共同研究, 自 2017年04月, 至 2018年03月 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2017年, 至 2017年 - 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
受託研究, 自 2016年04月01日, 至 2017年03月31日 - HVPE法によるn型AIN合成プロセスの研究
共同研究, 自 2016年04月01日, 至 2017年03月31日 - 六方晶窒化ホウ素剥離層を利用したHVPE成長InN‐GaN厚膜成長に関する研究
共同研究, 自 2016年04月01日, 至 2017年03月31日 - GaNの高温アニールに関する研究
共同研究, 自 2016年04月01日, 至 2017年03月31日 - 六方晶窒化ホウ素剥離層を利用したHVPE成長窒化アルミニウムの共同研究
共同研究, 自 2016年04月01日, 至 2017年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2016年, 至 2016年 - 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
受託研究, 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日 - 高品位窒化アルミニウム単結晶バルク基板上の高効率深紫外LED開発
受託研究, 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日 - HVPE法によるAIN合成プロセスの研究
共同研究, 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日 - 六方晶窒化ホウ素剥離層を利用したHVPE成長窒化アルミニウム基板に関する研究
共同研究, 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日 - 六方晶窒化ホウ素剥離層を利用したHVPE成長InN‐GaN厚膜成長に関する研究
共同研究, 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日 - Ga2O3用HVPE装置の研究開発
共同研究, 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日 - GaNの高温アニールに関する研究
共同研究, 自 2015年04月01日, 至 2016年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2015年, 至 2015年 - 将来のパワーエレクトロニクスを支える基盤研究開発 酸化ガリウムパワーデバイス基盤技術の研究開発
受託研究, 自 2014年09月04日, 至 2015年03月31日 - 酸化ガリウム薄膜のハライド気相成長法及びそのデバイス応用に関する研究開発
共同研究, 自 2014年09月04日, 至 2015年03月31日 - 高品位窒化アルミニウム単結晶バルク基板上の高効率深紫外LED開発
受託研究, 自 2014年04月01日, 至 2015年03月31日 - GaNの高温アニールに関する研究
共同研究, 自 2014年04月01日, 至 2015年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2014年, 至 2014年 - 高品位窒化アルミニウム単結晶バルク基板上の高効率深紫外LED開発
受託研究, 自 2013年12月01日, 至 2014年03月31日 - ＨＶＰＥ法によるｎ型ＡＩＮ基盤の開発
共同研究, 自 2013年04月01日, 至 2014年03月31日 - 酸化ガリウムのVPE技術開発
共同研究, 自 2013年04月01日, 至 2014年03月31日 - 酸化ガリウムのVPE技術開発
共同研究, 自 2013年04月01日, 至 2014年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2013年, 至 2013年 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2013年, 至 2013年 - ＨＶＰＥ法によるＡＩＮ合成プロセスの研究
共同研究, 自 2012年04月01日, 至 2013年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2012年, 至 2012年 - ＨＶＰＥ法によるＡ１Ｎ合成プロセスの研究
共同研究, 自 2011年04月01日, 至 2012年03月31日 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長プロセス・装置技術に関わる研究
共同研究, 自 2011年04月01日, 至 2012年03月31日 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長プロセス・装置技術に関わる研究
共同研究, 自 2011年04月01日, 至 2013年03月31日 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長プロセス・装置技術に関わる研究
共同研究, 自 2011年04月01日, 至 2013年03月31日 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長プロセス・装置技術に関わる研究
共同研究, 自 2011年04月01日, 至 2014年03月31日 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長プロセス・装置技術に関わる研究
共同研究, 自 2011年04月01日, 至 2014年03月31日 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長プロセス・装置技術に関わる研究
共同研究, 自 2011年04月01日, 至 2015年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2011年, 至 2011年 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2011年, 至 2011年 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
共同研究, 自 2010年04月01日, 至 2011年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2010年, 至 2010年 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
共同研究, 自 2009年04月01日, 至 2010年03月31日 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
共同研究, 自 2009年04月01日, 至 2010年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2009年, 至 2009年 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
共同研究, 自 2008年04月01日, 至 2009年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2008年, 至 2008年 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2008年, 至 2008年 - 酸化亜鉛系化合物半導体用の結晶成長装置開発および結晶成長技術に関わる研究
共同研究, 自 2007年09月07日, 至 2008年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2007年, 至 2007年 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2007年, 至 2007年 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2007年, 至 2007年 - 酸化亜鉛系化合物半導体の気相成長の熱力学解析
共同研究, 自 2006年05月15日, 至 2007年03月31日 - 奨学寄附金
奨学寄附金, 自 2006年, 至 2006年 - 超高温を用いる高品位窒化アルミニウムの厚膜エピタキシャル成長
その他補助金, 自 2006年, 至 2007年 - 光電子デバイス用AlGaN基板の開発
その他補助金, 自 2005年, 至 2007年 - 新しい窒化アルミニウム単結晶薄膜をベースにした高効率紫外発光素子の開発
その他補助金, 自 2004年, 至 2006年 - アルミ(Al)系窒化物半導体の大型基板結晶成長装置の開発
その他補助金, 自 2002年, 至 2004年
委員歴
- Materials Research Society (MRS)
2023 Fall Meeting, UWBG Session Organizer
自 20220526, 至 20231207 - Materials Research Society (MRS)
2022 Spring Meeting, UWBG Session Organizer
自 20201204, 至 20220525 - International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO)
国際諮問委員
自 20190225, 至 20260331 - International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS)
国際諮問委員
自 200709, 至 202603 - 応用物理学会 結晶工学分科会
幹事長
自 20240401, 至 20260331 - 応用物理学会 結晶工学分科会
副幹事長
自 20220401, 至 20240331 - 応用物理学会
第61期代議員
自 20220401, 至 20230331 - 応用物理学会
第60期代議員
自 20210401, 至 20220331 - 応用物理学会 先進パワー半導体分科会
幹事
自 20200401, 至 20260331 - 日本結晶成長学会
理事（講演会企画運営委員）
自 20190401, 至 20250331 - 15th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-15), July 6-11, 2025, Malmö, Sweden
プログラム委員
自 20240626, 至 2025 - 日本結晶成長学会 第53回結晶成長国内会議（JCCG-53），2024年11月18-20日，工学院大学新宿キャンパス
実行委員会 委員長
自 2023, 至 2024 - 12th International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2024), November 3-8, 2024, Hilton Hawaiian Village, O’ahu, Hawai’I, USA
プログラム委員
自 20240207, 至 2025 - 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), November 12-17, 2023, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan
プログラム委員会 副委員長
自 20190901, 至 20240331 - The 10th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022), November 13-18, 2022, COZZI Blu, Taoyuan, Taiwan
プログラム委員
自 20200916, 至 20221118 - The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-4), October 23-27, 2022, Nagano, Japan
実行委員会 委員長
自 20190814, 至 20230630 - International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 (IWN 2022), October 9-14, 2022, Hotel Berlin Central District, Berlin, Germany
プログラム委員
自 20191002, 至 2022 - The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-8), March 1-4, 2021
プログラム委員および受賞委員会
自 20190726, 至 20210331 - The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019), November 10-15, 2019, Okinawa Institute of Science and Technology Graduate University (OIST), Okinawa, Japan
プログラム委員
自 20190112, 至 20200331 - The 3rd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-3), August 12-15, 2019, Ohio State University, Columbus, Ohio, USA
プログラム委員
自 2018, 至 2019 - 日本結晶成長学会 ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第11回講演会
プログラム委員長
自 2018, 至 2019 - Compound Semiconductor Week 2019 (CSW2019), May 19-23, 2019, Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan
プログラム委員
自 20180803, 至 20200331 - The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’19), April 23-25, 2019, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
プログラム委員会 副委員長
自 2018, 至 2019 - International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018), November 11-16, 2018, Kanazawa, Japan
出版委員会 副委員長
自 20161104, 至 20190331 - 19th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIX), June 10-15, 2018, Nara Kasugano International Forum, Nara, Japan
プログラム委員
自 20170328, 至 20190331 - The 6th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’18), April 25-27, 2018, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
運営委員会 委員長
自 2017, 至 2018 - 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44），2014年11月6-8日，学習院創立百周年記念会館
現地実行委員会 委員
自 2013, 至 2014 - 第34回結晶成長国内会議（NCCG-34），2004年8月25-27日，東京農工大学小金井キャンパス
実行委員会 委員
自 2003, 至 2004 - 23rd Electronic Materials Symposium (EMS-23), July 7-9, 2004, Hotel Sunvalley Fujimi, Izu-Nagaoka, Shizuoka, Japan
実行委員会 総務委員
自 2003, 至 2004 - 22nd Electronic Materials Symposium (EMS-22), July 2-4, 2003, Laforet Biwako, Moriyama, Shiga, Japan
実行委員会 総務委員
自 2002, 至 2003 - The 4th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ‘16), May 18-20, 2016, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
運営委員会 副委員長
自 2015, 至 2016 - International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2017), September 29-October 1, 2017, Nagoya University, Japan
組織委員
自 2017, 至 2017 - International Workshop on UV Materials and Devices 2017 (IWUMD-2017), November 15-18, 2017, Kyushu University, Fukuoka, Japan
プログラム委員
自 20161104, 至 20180331 - The 5th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA ’17), April 19-21, 2017, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
実行委員会 委員長
自 201605, 至 201704 - German-Japanese Gallium Oxide Technology Meeting 2016, September 7-9, 2016, Leibniz Institute for Crystal Growth (IKZ) in Berlin, Germany
組織委員およびプログラム委員
自 2015, 至 2016 - The 9th International Workshop on Zinc Oxide and Related Materials (IWZnO 2016), October 30-November 2, 2016, National Taiwan University, Taipei, Taiwan
組織委員
自 2015, 至 2016 - The 2nd International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-2), September 13-15, 2017, Parma University, Parma, Italy
プログラム委員
自 2016, 至 2017 - 応用物理学会 結晶工学分科会
幹事
自 20140401, 至 20220331 - Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Application ’15 (LEDIA ‘15), April 22-24, 2015, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
運営委員会 副委員長
自 2014, 至 2015 - 9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX), November 2-6, 2015, Oak Valley, Wonju, Korea
プログラム委員
自 2014, 至 2015 - The 1st International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-1), November 3-6, 2015, Kyoto University, Kyoto, Japan
プログラム委員会 委員長
自 2014, 至 2015 - 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6), November 8-12, 2015, Act City-Hamamatsu, Hamamatsu, Japan
運営委員会 副委員長
自 2014, 至 2015 - 日本結晶成長学会
評議員
自 20130401, 至 20190331 - Conference on LED and its industrial application ’14 (LEDIA ‘14), April 22-24, 2014, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
プログラム委員会 委員長
自 2013, 至 2014 - The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-40), May 20-23, 2013, Kobe Convention Center, Hyogo, Japan
論文委員
自 2012, 至 2013 - Conference on LED and its industrial application ’13 (LEDIA '13), April 23-25, 2013, Pacifico Yokohama, Yokohama, Japan
プログラム委員会 委員長
自 2012, 至 2013 - 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII), September 30-October 5, 2013, Kloster Seeon, Bavaria, Germany
出版委員
自 2012, 至 2013 - 7th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VII), March 15-20, 2011, Koyasan, Wakayama, Japan
プログラム委員会 委員長および出版委員
自 2010, 至 2011 - The 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-37), May 31-June 4, 2010, Takamatsu Symbol Tower, Kagawa, Japan
論文委員
自 2009, 至 2010 - 日本結晶成長学会
理事（総務委員）
自 20080401, 至 20130331 - 6th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VI), August 23-28, 2009, Galindia Mazurski Eden, Iznota, Mikolajki, Ruciane Nida, Poland
実行委員会 共同委員長
自 2008, 至 2009 - 2nd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-2), July 6-9, 2008, Laforet Shuzenji, Izu, Japan
実行委員会 会計主任
自 2007, 至 2008 - 5th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-V), September 24-28, 2007, Itaparica Village Hotel, Itaparica, Salvador, Bahia, Brazil
実行委員会 財務委員
自 2006, 至 2007 - 13th International Conference on Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XIII), May 22-26, 2006, Phoenix Seagaia Resort, Miyazaki, Japan
実行委員会 庶務主任
自 2005, 至 2006 - 4th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IV), October 17-22, 2006, Okubiwako Makino Prince Hotel, Makino, Shiga, Japan
実行委員会 現地実行副委員長
自 2005, 至 2006 - 5th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-5), May 25-30, 2003, Nara-Ken New Public Hall, Nara, Japan
実行委員会 広報委員
自 2002, 至 2003
メディア報道
- β型酸化ガリウム結晶 高速成長技術を開発
化学工業日報
自 2025年05月21日, 至 2025年05月21日 - 東京農工大学と大陽日酸 MOVPE法で酸化ガリを成長
電子デバイス産業新聞
自 2023年10月19日, 至 2023年10月19日 - NEDO酸化ガリウム成膜成功 HVPE法で6インチ上に
日刊産業新聞
自 2022年03月03日, 至 2022年03月03日 - NCTなどが成功のHVPE法での6インチウエハー上の酸化ガリウム成膜 成膜条件の最適化などで前進
電波新聞
自 2022年03月03日, 至 2022年03月03日 - 6インチウエハへの酸化ガリウム成膜 大陽日酸など世界初成功 ウエハの大口径・低コスト化に寄与
鉄鋼新聞
自 2022年03月03日, 至 2022年03月03日 - 世界初、HVPE法で6インチウエハーに酸化ガリウム成膜 大陽日酸など、HVPE法で
電波新聞
自 2022年03月02日, 至 2022年03月02日 - 6インチウエハー上へ酸化ガリウム成膜
化学工業日報
自 2022年03月02日, 至 2022年03月02日 - β型酸化ガリウム結晶 有機金属気相成長に成功
科学新聞
自 2021年04月23日, 至 2021年04月23日 - 縦型Ga2O3トランジスタ開発に成功
電波新聞
自 2018年12月21日, 至 2018年12月21日 - 縦型酸化ガリウムのトランジスタ開発に成功
電波タイムズ
自 2018年12月19日, 至 2018年12月19日 - イオン注入で成功 酸化ガリウムパワー半導体
日刊産業新聞
自 2018年12月13日, 至 2018年12月13日 - 酸化ガリウムで量産に向く技術 パワー半導体トランジスタ
日経産業新聞
自 2018年12月13日, 至 2018年12月13日 - パワー半導体 材料に新星
日経産業新聞
自 2018年05月01日, 至 2018年05月01日 - 広がる 大学⇔中堅・中小連携 酸化ガリウムエピウエハー
日刊工業新聞
自 2016年02月16日, 至 2016年02月16日 - 人
神戸新聞
自 2015年07月31日, 至 2015年07月31日 - フェース
西日本新聞（夕刊）
自 2015年07月27日, 至 2015年07月27日 - 時のひと
京都新聞
自 2015年07月21日, 至 2015年07月21日 - 時の人
神奈川新聞
自 2015年07月21日, 至 2015年07月21日 - ひと
宮崎日日新聞
自 2015年07月16日, 至 2015年07月16日 - 人
佐賀新聞
自 2015年07月15日, 至 2015年07月15日 - 人
徳島新聞
自 2015年07月15日, 至 2015年07月15日 - この人
東京新聞
自 2015年07月15日, 至 2015年07月15日 - ひと
福井新聞
自 2015年07月14日, 至 2015年07月14日 - 時のひと
岐阜新聞
自 2015年07月14日, 至 2015年07月14日 - 時の人
静岡新聞
自 2015年07月14日, 至 2015年07月14日 - ひと
新潟日報
自 2025年07月14日, 至 2025年07月14日 - けさの人
北日本新聞
自 2015年07月14日, 至 2015年07月14日 - 導電性窒化アルミ開発
化学工業日報
自 2015年07月02日, 至 2015年07月02日 - 殺菌用LEDを作製
毎日新聞（朝刊）
自 2013年03月26日, 至 2013年03月26日 - 殺菌用紫外線LED開発
読売新聞（朝刊）
自 2013年02月10日, 至 2013年02月10日 - 深紫外線LED開発
半導体新聞
自 2013年01月23日, 至 2013年01月23日 - 深紫外線LED作製
科学新聞
自 2013年01月18日, 至 2013年01月18日 - 小型・軽量、寿命10倍に 高出力の紫外線LED
産経新聞
自 2013年01月14日, 至 2013年01月14日 - LEDでウイルス退治
中日新聞
自 2013年01月11日, 至 2013年01月11日 - ウイルス不活化に紫外線LED
山口新聞
自 2013年01月11日, 至 2013年01月11日 - 出力特性世界トップクラス深紫外線LED
電氣新聞
自 2013年01月11日, 至 2013年01月11日 - 高出力の深紫外LED
化学工業日報
自 2013年01月11日, 至 2013年01月11日 - 深紫外線LED開発
日刊工業新聞
自 2013年01月11日, 至 2013年01月11日 - 深紫外線LED開発
日経産業新聞
自 2013年01月11日, 至 2013年01月11日 - 紫外線LED開発
日本経済新聞
自 2013年01月11日, 至 2013年01月11日 - 窒化アルミ基板 高品質化
化学工業日報
自 2012年07月02日, 至 2012年07月02日 - Hybrid reactor speeds up AlN growth
Vol. 13, No. 5, 2007, p. 32
Compound Semiconductor
自 2007年05月, 至 2007年05月 - AlN単結晶自立基板を作製
化学工業日報
自 2007年04月18日, 至 2007年04月18日 - 単結晶膜成長に成功 高品質の窒化アルミ
日刊産業新聞
自 2005年08月26日, 至 2005年08月26日 - 窒化アルミ 高品質の単結晶膜成長
化学工業日報
自 2005年08月26日, 至 2005年08月26日 - 窒化アルミ単結晶量産に道
日刊工業新聞
自 2005年08月25日, 至 2005年08月25日 - Tokyo University of Agriculture And Technology and Taiyo Nippon Sanso achieve high-speed MOVPE growth high-purity gallium oxide films
Tokyo University of Agriculture And Technology's professor Yoshinao Kumagai and assistant professor Ken Goto of the Institute of Engineering's Division of Chemistry and assistant professor Shogo Sasaki of the FLOuRISH Institute -
semiconductor TODAY
自 2023年10月18日, 至 2023年10月18日 - 大陽日酸 酸化ガリウムの高速成長技術、東京農工大と共同開発
農工大と大陽日酸、大陽日酸CSEはβ型酸化ガリウム結晶の高速成長技術を開発しているが、更なる高速成長を実現したと、紹介される。
ガスレビュー
自 2023年10月15日, 至 2023年10月15日 - 東京農工大など、β-Ga2O3結晶を高速成長 膜厚制御自在
農工大などの研究グループは、次世代パワー半導体として注目されるβ酸化ガリウム結晶の高純度結晶の高速成長を、有機金属気相成長（MOVPE）法で実現したと紹介される。
NIKKEI Tech Foresight
自 2023年10月13日, 至 2023年10月13日 - 次世代パワー半導体向け材料で期待…「β型酸化ガリウム結晶」の高速成長を実現した
農工大 熊谷教授らは大陽日酸と共同で次世代パワー半導体向け材料として期待される高純度のβ型酸化ガリウム結晶の高速成長を、有機金属気相エピタキシャル成長（MOVPE）法で実現したと、紹介される。
ニュースイッチ
自 2023年10月06日, 至 2023年10月06日 - 次世代半導体 安価に 東京農工大が新製法
農工大と大陽日酸、大陽日酸CSEは、次世代パワー半導体の「酸化ガリウム」を低コストで生産できる手法を開発したと紹介される。
日経産業新聞
自 2023年10月06日, 至 2023年10月06日 - β型酸化ガリウム結晶 半導体向け高速成長法 東京農工大と大陽日酸
農工大 熊谷先生らが大陽日酸と共同で、次世代パワー半導体向け材料として期待される高純度のβ型酸化ガリウム結晶の高速成長を、有機金属気相エピタキシャル成長（MOVPE）法で実現したと、紹介される。
日刊工業新聞
自 2023年10月05日, 至 2023年10月05日 - 東京農工大、高純度のβ型酸化ガリウム結晶を高速成長
農工大は大陽日酸、大陽日酸CSEと共同で、有機金属気相成長（MOVPE）法を用い、高純度のβ型酸化ガリウム結晶を高速成長させることに成功したと紹介される。
EE Times Japan
自 2023年10月02日, 至 2023年10月02日 - 東京農工大、次世代パワー半導体材料 低コストで製造
農工大と大陽日酸、大陽日酸CSEは次世代パワー半導体の「酸化ガリウム」を低コストで生産できる手法を開発したと、紹介される。
日本経済新聞
自 2023年09月29日, 至 2023年09月29日 - Nippon Sanso’s first Ga2O3 MOCVD system installed and qualified
Taiyo Nippon Sanso Corp (TNSC) of Tokyo, Japan has installed its first gallium oxide (Ga2O3) metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) system in the laboratory of professor Yoshinao Kumagai at the Tokyo University of Agriculture and Technology.
semiconductor TODAY
自 2022年04月20日, 至 2022年04月20日 - 次世代パワー半導体材料「酸化ガリウム」の150mmウエハー成膜に成功した
東京農工大学がノベルクリスタルテクノロジーおよび大陽日酸新と共同で、次世代半導体材料として注目される酸化ガリウム(β-Ga2O3)をハライド気相成長(HVPE)法により6インチウェハ上への成膜に成功したことを発表した。
yahooニュース
自 2022年03月09日, 至 2022年03月09日 - 酸化ガリウム150mmウエハー成膜
東京農工大学がノベルクリスタルテクノロジーおよび大陽日酸新と共同で、次世代半導体材料として注目される酸化ガリウム(β-Ga2O3)をハライド気相成長(HVPE)法により6インチウェハ上への成膜に成功したことを発表した。
日刊工業新聞／日経産業新聞
自 2022年03月08日, 至 2022年03月08日 - ＜みんかぶ・個人投資家の予想から＞＝「買い予想数上昇」３位にタムラ
東京農工大学がノベルクリスタルテクノロジーおよび大陽日酸新と共同で、次世代半導体材料として注目される酸化ガリウム(β-Ga2O3)をハライド気相成長(HVPE)法により6インチウェハ上への成膜に成功したことを発表した。
yahooファイナンス／MINKABU／Kabutan
自 2022年03月02日, 至 2022年03月02日 - HVPE法による6インチウェハ上への酸化ガリウム成膜にノベルなどが成功
東京農工大学がノベルクリスタルテクノロジーおよび大陽日酸新と共同で、次世代半導体材料として注目される酸化ガリウム(β-Ga2O3)をハライド気相成長(HVPE)法により6インチウェハ上への成膜に成功したことを発表した。
gooニュース／マイナビニュース／yahooニュース／電波新聞／fabcross for エンジニア／EETimesJapan
自 2022年03月01日, 至 2022年03月03日 - 【2月第4週資金調達まとめ】日本経済新聞
【2月第4週資金調達まとめ】として、東京農工大学と共同で研究を行っているノベルクリスタルテクノロジーが紹介される。
yahooニュース／ForbesJapan
自 2022年03月01日, 至 2022年03月01日 - Crystal's MOVPE growth paves way for next power devices
東京農工大学の熊谷義直教授らが発表した、β型酸化ガリウム結晶の有機金属気相成長に成功した研究が掲載される。
DempaAEI
自 2021年10月01日, 至 2021年10月01日 - MOVPE法によるβ型酸化ガリウム結晶成長を実現東京農工大学、大陽日酸、気相成長ら
東京農工大学の熊谷義直教授、後藤健助教らが、β型酸化ガリウム結晶の有機金属気相成長プロセスにおける化学反応メカニズムを世界で初めて解明したことが紹介される。
ガスレビュー
自 2021年05月15日, 至 2021年05月15日 - β型酸化ガリウム結晶有機金属気相成長に成功「世界初」化学反応メカニズム解明東京農工大など産学共同
東京農工大大学院 工学研究院 応用化学部門の熊谷義直教授、同・後藤健助教らが、高い省エネ効果を有する次世代パワーデバイス用半導体材料として注目されている「β型酸化ガリウム結晶」が有機金属気相成長(MOVPE)法で成長する化学反応メカニズムを解明し、高純度の結晶成長法を開発したことが紹介される。
科学新聞
自 2021年04月23日, 至 2021年04月23日 - 東京農工大と大陽日酸ら、β型酸化ガリウム結晶のＭＯＶＰＥに成功
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門の熊谷義直教授、後藤健助教らが高い省エネ効果を有する次世代パワーデバイス用半導体材料として注目されるβ型酸化ガリウム（β‐Ｇａ２Ｏ３）結晶が、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法で成長する化学反応メカニズムを世界で初めて解明したことが紹介される。
SANPO WEB
自 2021年04月13日, 至 2021年04月13日 - 次世代半導体材料「β型酸化ガリウム結晶」の高純度成長法を農工大が開発
東京農工大大学院 工学研究院 応用化学部門の熊谷義直教授、同・後藤健助教らが、高い省エネ効果を有する次世代パワーデバイス用半導体材料として注目されている「β型酸化ガリウム結晶」が有機金属気相成長(MOVPE)法で成長する化学反応メカニズムを解明し、高純度の結晶成長法を開発したことが紹介される。
マイナビニュース／mapionニュース／ニコニコニュース／gooニュース／exciteニュース
自 2021年04月05日, 至 2021年04月05日 - 東京農工大、気相成長（株）、大陽日酸が共同でβ型酸化ガリウム結晶の有機金属気相成長に成功
東京農工大学大学院工学研究院応用化学部門の熊谷 義直教授、後藤健助教らが、高い省エネ効果を有する次世代パワーデバイス用半導体材料として注目されている β 型酸化ガリウム（β-Ga2O3）結晶注１が有機金属気相成長（MOVPE）法注２で成長する化学反応メカニズムを世界で初めて解明し、見出された最適成長条件で高純度の β-Ga2O3結晶の MOVPE 成長を実証したことが紹介される。
ガスペディア
自 2021年04月01日, 至 2021年04月01日 - 酸化ガリウムで作成新型トランジスタEVなど省エネ期待
情報通信研究機構らによる新型トランジスタ作成技術の開発が東京農工大学との共同研究であることが紹介される。
日刊工業新聞
自 2019年01月07日, 至 2019年01月07日 - 第三代半导体又有新成员？氧化镓有什么优点？
近期，日本情报通信研究机构(NICT)与东京农工大学(TUAT)演示了一种“纵向的”氧化镓MOSFET，它采用“全离子注入( all-ion-implanted )”工艺进行N型与P型掺杂，为低成本、高可制造性的Ga2O3 功率电子器件铺路。※中国語記事。日本の情報通信総合研究所（NICT）と東京農工大学（TUAT）は、N型とP型に「全イオン注入」プロセスを使用する「縦型」酸化ガリウムMOSFETを実証したことが紹介される。
電子産品世界
自 2018年12月28日, 至 2018年12月28日 - Entwicklung des weltweit ersten vertikalen Galliumoxid-Transistors durch Ionenimplantationsdotierung
Pionierarbeit von Profs. Yoshinao Kumagai und Hisashi Murakami am TUAT, HVPE ist in der Lage, einkristalline Ga2O3-Schichten mit hoher Geschwindigkeit und geringem Verunreinigungsgrad zu erzeugen.※ドイツ語記事。情報通信研究機構（NICT）と東京農工大学が、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）パワー半導体（トランジスタ）の開発に成功したと発表したことが紹介される。
TEKK
自 2018年12月19日, 至 2018年12月19日 - イオン注入ドーピングの適用で：酸化ガリウムパワー半導体、低コスト化へ前進
新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）は2018年12月12日、情報通信研究機構（NICT）と東京農工大学が、イオン注入ドーピング技術を用いた縦型酸化ガリウム（Ga2O3）パワー半導体（トランジスタ）の開発に成功したと発表したことが紹介される。
EE TIMES
自 2018年12月13日, 至 2018年12月13日 - Development of world's first vertical Ga2O3 transistor through ion implantation dopingPaving the way for new generations of low-cost and highly-manufacturable Ga2O3 power electronic devices
Pioneered by Profs. Yoshinao Kumagai and Hisashi Murakami at TUAT, HVPE is capable of growing single-crystal Ga2O3 films at high speeds and with low impurity levels.
Science Daily
自 2018年12月12日, 至 2018年12月12日 - パワー半導体用のウエハー 酸化ガリウム製、本格生産
本学の技術をもとに、酸化ガリウム製のウエハーが開発されたことが紹介される。
日経産業新聞
自 2017年09月12日, 至 2017年09月12日
所属学協会
受賞
- 公益社団法人 応用物理学会
応用物理学会 第46回論文賞
Vertical β-Ga2O3 Schottky barrier diodes with trench staircase field plate (Applied Physics Express, Vol. 15, No. 5, 2022, pp. 054001 1-3)
2022年および2023年発行の論文誌Applied Physics Express (Vol. 15およびVol. 16)に掲載された論文の著者であって、応用物理学の進歩向上に寄与する優秀な原著論文の著者が対象となる賞。 次世代超低損失パワーデバイス用半導体材料として期待の大きいβ酸化ガリウム結晶を用い、トレンチ構造と階段状のフィールドプレートを用いることにより、優れた特性を有するショットキーバリアダイオード（SBD）を実現したことが評価された。
2025年03月14日 - 応用物理学会
第36回応用物理学会論文賞（応用物理学会優秀論文賞）
Performance and Reliability of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on AlN Substrates Prepared by Hydride Vapor Phase Epitaxy
2014年09月17日 - 日本結晶成長学会
第20回日本結晶成長学会技術賞
HVPE法による窒化アルミニウム単結晶基板の開発
2013年11月06日 - 応用物理学会
第35回応用物理学会論文賞（応用物理学会優秀論文賞）
Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport
2013年09月16日